「electrode interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Nitride, oxide or carbide is used for a portion of a chalcogenide constituent atom, while these are formed in the grain boundary of a metal plugged interface and a chalcogenide crystal as a chalcogenide film and a ground electrode, thereby raising the phase change temperature and increasing the resistance of the film, to enable a high Joule heating to be generated, even at low current and electric power for rewriting to be reduced.例文帳に追加

カルコゲナイドの構成元素の一部を窒化物、酸化物あるいは炭化物にするとともに、これらをカルコゲナイド膜と下地電極である金属プラグ界面およびカルコゲナイド結晶の粒界に形成せしめることにより相変化温度を上昇させるとともに該膜の抵抗を高くすることにより低電流でも高いジュール熱を発生可能とすることにより書き換えに要する電力を低減する。 - 特許庁

An electromagnetic wave interface device 200 which supplies or receives power to or from an electromagnetic wave transmission medium having a mesh electrode includes a spiral first conductor 210 which is arranged closely to a first conductor layer substantially in parallel therewith, a second conductor 230 which is arranged to face the first conductor substantially in parallel therewith, and a dielectric 220 which is arranged between the first conductor and second conductor.例文帳に追加

メッシュ状の電極を有する電磁波伝達媒体との間で給電または受電する電磁波インターフェース装置２００であって、第一導電体層に近接して略平行に配置されるスパイラル状の第一導電体２１０と、第一導電体に対向して略平行に配置された第二導電体２３０と、第一導電体と第二導電体との間に配置された誘電体２２０とを備える電磁波インターフェース装置とする。 - 特許庁

The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加

本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁