「electrode interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

It relates to the film electrode assembly of the fuel cell in which electrochemical characteristic including an ion exchange high polymer of the latest technology and a gas diffusion electrode of the latest technology is reformed by addition of hydrophilic ingredient arranged in accordance with one side of the interface of an electrode or both sides and/or one side on the membranous external surface.例文帳に追加

本発明は、最先端技術のイオン交換高分子膜及び最先端技術のガス拡散電極を含み、その電気化学的特性が、電極の界面の片側又は両側及び／又は膜の外部表面の片側又は両側に一致して配置された親水性成分の添加によって改質された、燃料電池の膜電極アセンブリーに関する。 - 特許庁

To provide a positive electrode collector for a lithium ion secondary battery, capable of increasing the battery life, by preventing elution of the collector into an electrolyte to increase adherence between the collector and an active material at the interface, and to provide a positive electrode for the lithium ion secondary battery and a method of manufacturing the positive electrode collector for the lithium ion secondary battery.例文帳に追加

集電体の電解液への溶出を防止して集電体と活物質の界面における密着性を向上させることで電池寿命を増大させることができるリチウムイオン二次電池用正極集電体、リチウムイオン二次電池用正極およびリチウムイオン二次電池用正極集電体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Anneal is performed in a state where the first electrode film 30 and the main dielectric film 31 are formed, thereby aluminum (Al) in the first electrode film is allowed to react with oxygen (O) in the main dielectric film to form a subsidiary dielectric film 35 containing aluminum oxide at an interface between the first electrode film and the main dielectric film.例文帳に追加

第１の電体膜３０と主誘電体膜３１とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第１の電極膜中のアルミニウム（Ａｌ）と主誘電体膜中の酸素（Ｏ）とを反応させて、第１の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜３５を形成する。 - 特許庁

According to the above configuration, the stack of the first electrode layer having small diffusion with respect to the active layer composed of the oxide semiconductor and the second electrode layer having a low specific resistance provides excellent FET characteristics at the interface between the active layer and the electrode layer, thereby obtaining a FET that has low-resistance electrodes.例文帳に追加

上記構成によれば、酸化物半導体からなる活性層に対する拡散が小さい第１の電極層と、比抵抗が小さい第２の電極層を積層することにより、活性層と電極層の層界面でのＦＥＴ特性が良好であり、電気抵抗の小さい電極を備えたＦＥＴを得ることが可能である。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

A method for manufacturing an electrode mixture for a polarizing electrode comprises a first step for charging conductive particle, a second step for mixing the conductive particle with electrode active substance particle, and a step for mixing at least a kind of a substance selected from a group including an interface active agent, water, and a binder with the above mixed substance.例文帳に追加

導電性粒子を帯電させる第１工程；帯電させた導電性粒子を電極活物質粒子と混合する第２工程；及び該混合物を界面活性剤、水及びバインダーからなる群から選択される少なくとも１種と混合する工程；を包含する、分極性電極用電極合剤の製造方法。 - 特許庁

Electric field is produced between the metallic electrode plate 30a and the water 9 interface by applying voltage to the metallic electrode plate 30a and connecting an earth electrode 8 in the water 9 in the 3rd chamber 90 to separate the waste liquid in the 1st chamber 80 into a regenerated cleaning liquid, regenerated water 9 and an ink pigment 88.例文帳に追加

金属電極板３０ａには電圧を印可し、第３室９０内の水９にはアース電極８を接続することで、金属電極板３０ａと水９界面との間に電界を発生させ、第１室８０内の廃液１１を再生洗浄液６２と再生水９とインキ顔料８８とに分離するようにしている。 - 特許庁

To provide a cell for a solid oxide fuel cell with excellent electrode property and small internal resistance having a porous electrode layer with a large surface area, without any reaction product generated owing to high temperature baking deposited on the interface between an electrolyte layer and an electrode layer, and to provide a method of manufacturing such a cell for the solid oxide fuel cell with high efficiency.例文帳に追加

高温焼成に起因する反応生成物が電解質層と電極層の界面に介在せず、表面積が大きく多孔質の電極層を備え、電極性能に優れしかも内部抵抗の少ない固体酸化物形燃料電池用セルと、このような燃料電池用セルを高能率に製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a proton conductive polymer membrane wherein peeling-off of bonded interface of membrane-electrode junction is suppressed even in a hot press method similar to a conventional technology and wherein a superior and stable membrane-electrode junction is capable of preparing, and provide the membrane-electrode junction using the same, and further provide a solid polymer fuel cell using the same.例文帳に追加

従来技術と類似したホットプレス法であっても、膜−電極接合体の接合界面の剥がれを抑制し、良好かつ安定な膜−電極接合体を調製するのが可能なプロトン伝導性高分子膜、これを使用した膜−電極接合体、更にはそれを使用した固体高分子型燃料電池を提供する - 特許庁

To provide a positive electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery enhancing reliability and safety of the battery by suppressing the generation of gas on the interface between an electrolyte and a positive electrode and elution of ions without using a metal oxide or a metal fluoride as a positive electrode active material, and to provide a method for manufacturing the same and the nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加

金属酸化物又は金属フッ化物を正極活物質に使用しなくても電解液と正極との界面でのガスの発生及びイオンの溶出を抑制し、電池の信頼性及び安全性を高める非水電解質二次電池用正極材料及びその製造方法並びに非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁

The method further includes providing a capping layer on the first region between the dielectric layer and the gate electrode to change the work function of the gate electrode on the first region, and embedding species so as to introduce the species at an interface between the dielectric layer and the gate electrode in the second region to change the work function of the gate electrode on the second region.例文帳に追加

上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第１領域上にキャッピング層を設けることで第１領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第２領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第２領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。 - 特許庁

Since the obtained positive electrode material has fine crystal grains, going in and out of alkali metal ions such as lithium ions on the interface of positive electrode material particles and an electrolyte are accelerated, electrode reaction polarization is suppressed, the contact area between the positive electrode material and a conducting material is increased to increase conductivity, and voltage efficiency and effective battery capacity are increased.例文帳に追加

この方法により得られる２次電池は、結晶が細粒化されているため、正極材料粒子内部と電解質との間でリチウムを初めとするアルカリ金属イオンの出入りを促進させて電極反応分極を抑制するとともに、正極材料と導電性付与材との接触面積を増大させて導電性を改善し、電圧効率と実効電池容量の向上が図られる。 - 特許庁

The non-shrinkage ceramic substrate includes: a ceramic laminate formed by laminating a plurality of green sheets; an electrode part including a via electrode penetratingly formed at the ceramic laminate and an outer electrode formed on a surface of the ceramic laminate and electrically connected with the via electrode; and an interface part formed between the ceramic laminate and the electrode part to prevent an electrical connection between the electrodes from weakening.例文帳に追加

本発明による無収縮セラミック基板は、複数のグリーンシートを積層して形成されたセラミック積層体と、上記セラミック積層体に貫通形成されるビア電極及び、上記セラミック積層体の表面に形成され上記ビア電極と電気的に連結される外部電極を含む電極部と、及び上記セラミック積層体及び上記電極部の間に形成され上記電極同士に電気的な連結が弱くなることを防ぐための界面部と、を含む。 - 特許庁

When a predetermined current is passed to the storage unit, the recording layer is heated by substantially exceeding a melting point, and a cavity is formed near the interface between the recording layer 103 and the lower electrode layer 102.例文帳に追加

記録ユニットに所定の電流を流すと、記録層１０３は融点を大幅に超えて加熱され、記録層１０３と下部電極層１０２との界面近傍に空洞Ｒが形成される。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion element which has uniform and stable characteristics in the junction state of junction interface, by absorbing and mitigating the variation in the height of an electrode and a thermoelectric conversion material (chip).例文帳に追加

電極および熱電変換材料（チップ）の高さバラツキを吸収、緩和して、接合界面の接合状態が均一で安定した熱電特性を有する熱電変換素子を提供する。 - 特許庁

Further, in the jointing interface to the intermediate layer 18 in the anode side electrode 14, the interval distance of the particles 28, 28 adjoining jointing to the intermediate layer 18 is 1 μm or less.例文帳に追加

さらに、アノード側電極１４における中間層１８に対する接合界面において、中間層１８に接合して隣接する粒子２８、２８同士の離間距離は、１μｍ以下である。 - 特許庁

Further, the film-electrode junction (MEA) having a good junction interface can be manufactured by applying the heat treatment to the thin film composed of the mixture in the state of being held between the electrodes facing each other.例文帳に追加

更に混合物からなる薄膜を対向電極間に挟持した状態で加熱処理することにより、膜と電極との接合界面が良好な膜−電極接合体（ＭＥＡ）を作製できる。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

To form a silicide film whose interface with a silicon base material is flat, and structure and composition or the like are uniform, and which can be used as the practical electrode material of a silicon system element.例文帳に追加

シリコン基材との界面が平坦であって、構造及び組成などが均一であり、シリコン系素子の実用的な電極材料などとして使用することのできるシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

Baking treatment is applied to the laminate in a low-oxygen atmosphere wherein an oxygen content is 0.1 to 10 vol.%, and voids 4a, 4a' are formed on an interface between a ceramic element body 1 and the internal electrode 5a.例文帳に追加

そして、酸素含有量が０．１〜１０体積％の低酸素雰囲気で前記積層体に焼成処理を施し、セラミック素体１と内部電極５ａとの界面に空隙４ａ、４ａ′を形成する。 - 特許庁

The angle of the interface between the electrode 7 and the insulating part 5 to the direction perpendicular to the first surface 2a is smaller than the angle of the wall surface 4W to the direction perpendicular to the first surface 2a.例文帳に追加

電極７と絶縁部５の界面が第１の面２ａに垂直な方向に対してなす角度は、壁面４Ｗが第１の面２ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。 - 特許庁

By installing the metal covered layer, invasion of the low melting point metal into a joining interface in joining the electric contact with the electrode rod can be inhibited, and generation of joint defect and peeling-off can be prevented.例文帳に追加

金属被覆層を設けたことで、電気接点を電極棒に接合する際に接合界面に低融点金属が侵入するのを阻止でき、接合不良や剥離が生ずるのを防止できる。 - 特許庁

Then, a surface layer of the base region 2 is removed until the surface of the base region 2 becomes lower than the interface between the gate electrode 5 and the interlayer insulation film 7 by etching to form a first recess 6.例文帳に追加

そして、エッチングによって、ベース領域２の表面がゲート電極５と層間絶縁膜７との界面より低い位置になるまで、ベース領域２の表面層を除去し、第１凹部６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-device manufacturing method that reduces specific resistance by uniforming the interface roughness when forming a gate electrode film having a laminated structure of a conductive film and a metal film.例文帳に追加

導電膜と金属膜の積層構造のゲート電極膜を形成する時、界面の粗度を均一にすることにより、比抵抗を減少させる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The front most surface of a lower electrode 1 is made of a TiAlN film 3, and an oxide-based film 4, containing titanium oxide and aluminum oxide, is provided on an interface in between the TiAlN film 3 and the oxide dielectric film 5.例文帳に追加

下部電極１の最表面をＴｉＡｌＮ膜３とし、ＴｉＡｌＮ膜３と酸化物誘電体膜５との界面にチタン酸化物及びアルミ酸化物を含む酸化物系膜４を設ける。 - 特許庁

A metal plating layer 4a is formed also on the interface between the protruded electrode 3 of a portion formed in a region on the insulating base member 1 on opposite sides of the conductive wiring 2 and the insulating base member 1.例文帳に追加

導体配線２の両側の絶縁基材１上の領域に形成された部分の突起電極３の絶縁基材１との界面にも、金属めっき層４ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a contact structure of semiconductor/electrode in which recombination amount of carriers is reduced on the contact interface, and to provide a semiconductor element in which the characteristics are enhanced by employing that contact structure.例文帳に追加

コンタクト界面でのキャリア再結合量を低減した半導体／電極のコンタクト構造を提供すると共に、これを使用することにより特性を向上させた半導体素子を提供する - 特許庁

To stabilize electrical characteristics of an interface between an electrode and an insulating film, and to prevent gate leakage current from generating, in a semiconductor device having a gate insulating film made by oxidizing a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体が酸化されてなるゲート絶縁膜を有する半導体装置において、電極・絶縁膜界面の電気的特性を安定化させると共にゲートリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, a first image data interface section 110 is disposed in an electrode region 210 and in an input/output buffer region 220 provided along a first side 230 of a semiconductor chip 200.例文帳に追加

第１の画像データインターフェース部１１０は半導体チップ２００の第１の辺２３０に沿って設けられている電極領域２１０及び入出力バッファ領域２２０に配置される。 - 特許庁

To provide a Group III-V compound semiconductor light-emitting diode which allows a problem of light-interception by an electrode to be completely in principle eliminated and also allows a total reflection at an interface to be suppressed effectively.例文帳に追加

電極による光の遮蔽問題を原理的に完全になくすことができ、しかも界面での全反射も効果的に抑えることのできるIII-V族化合物半導体発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell preventing separation of an electrolyte layer and a counter electrode interface due to expansion and contraction resulting from temperature changes and superior in photoelectric transfer efficiency and high temperature durability.例文帳に追加

温度変化に伴う膨張と収縮等による電解質層と対極界面の剥離を防ぎ、光電変換効率および高温耐久性に優れた色素増感太陽電池を提供する。 - 特許庁

To eliminate reflection loss in the interface of a transparent conduction film and a photoelectric conversion active layer in a back electrode, to provide a photoelectric conversion element with high photoelectric conversion efficiency, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

裏面電極における透明導電膜と光電変換活性層との界面での反射ロスをなくし、光電変換効率の高い光電変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which has such structure as lowers a contact interface resistance between a contact plug and a lower electrode of a capacitor, in a microfabrication process, for improved yield.例文帳に追加

微細化加工において、コンタクトプラグとキャパシタの下部電極との接触界面抵抗を低下させ、歩留まりを向上させる構造の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After joining through assembly by activating each join interface of each contact probe 10 and each electrode pad 22, the metallic material is melted of the block unit 30 fixing the contact probes 10.例文帳に追加

各コンタクトプローブ１０及び各電極パッド２２の各接合界面を活性化させて会合させることにより接合した後、コンタクトプローブ１０を固定しているブロック体３０の金属材料を溶融させる。 - 特許庁

When such a bonding wire is used to connect to an electrode whose principal constituent is Al, a joint construction is obtained in which intermetallics of Al and X exist at an interface of a very fine-grained layer and a matrix.例文帳に追加

このボンディングワイヤによってＡｌを主成分とする電極と接続したとき微細粒層とマトリックスとの界面にＡｌとＸの金属間化合物が存在する接続部構造を得る。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell can improve power generation performance by suppressing increase in interface resistance and preventing peeling off of an air electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

界面抵抗の増加を抑制すると共に、空気極の剥離を防止して、発電性能を向上させ得る固体酸化物形燃料電池及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for fuel cell which has hardly cracks in the layer interface and is excellent both in adhesion to an electrolyte membrane and drainage to a gas diffusion layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層界面でのひび割れが生じ難く、かつ、電解質膜への密着性とガス拡散層へ排水性がともに良好な燃料電池用電極触媒層とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the deterioration in characteristic of a MOS transistor or MIM capacitor by terminating a defect on an interface with an insulating film by doping an electrode formed of a conductor film with a large amount of heavy hydrogen.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタあるいはＭＩＭキャパシタにおいて、導体膜からなる電極に、多量の重水素をドープすることにより、絶縁膜との界面の欠陥を終端し特性劣化を抑制する。 - 特許庁

Then a nitrogen plasma is projected between the source/drain electrode wirings 7 where the oxidized insulating film 9 is formed, and a nitride insulating film 11 is provided at the interface between a semiconductor layer 4 and the oxidized insulating films 9.例文帳に追加

次に、酸化絶縁膜９が形成されたソース・ドレイン電極配線７間に窒素プラズマを照射し、半導体層４と酸化絶縁膜９界面に窒化絶縁膜１１を設ける。 - 特許庁

To form a stabilized electrostatic latent image by preventing occurrence of contact corrosion on the interface even when the conductive fine particles of an image carrier and a writing electrode are composed of different metals.例文帳に追加

像担持体の導電性微粒子と書込電極とが互いに異なる金属で構成されても、それらの界面に接触腐食が生じないようにして、安定した静電潜像を形成する。 - 特許庁

The electric field control part 22 applies an electric field to a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the electric field application electrode 14 by applying a bias voltage Ve exceeding a threshold value to the switching element 10.例文帳に追加

電界制御部２２は、閾値を超えるバイアス電圧Ｖｅをスイッチ素子１０に印加することによって、電界印加電極１４から半導体基板１０４のヘテロ接合界面に電界を印加する。 - 特許庁

To reduce cross leak to a counter electrode of a fuel such as methanol, and to secure electron conductivity between a catalyst layer and a diffusion layer of an MEA and a separator to reduce interface resistance.例文帳に追加

メタノールなどの燃料の対極へのクロスリークを低減するとともに、ＭＥＡ中の触媒層、拡散層、セパレータ間での電子伝導性の確保し、界面抵抗を小さくしようとすること。 - 特許庁

To provide a resistance contact type or electrostatic capacity type touch panel allowing reducing reflection and diffraction of light at an interface of an air layer with a transparent electrode and having a high light transmittance.例文帳に追加

空気層と透明電極との界面における光の反射や回折を低減することができ、光透過率の高い、抵抗接触方式あるいは静電容量方式のタッチパネルを提供する。 - 特許庁

The proton conductive composite film having a surface layer having favorable adhesion properties with an electrode is interposed between facing electrodes, and in this state, heat treatment is conducted to produce an MEA having a favorable joining interface.例文帳に追加

更に、電極と接着性の良い表面層を有するプロトン伝導性複合膜を対向電極間に挟持した状態で加熱処理して、接合界面が良好なＭＥＡを作製する。 - 特許庁

To provide the subject apparatus capable of elucidating an electrolytic process capable of obtaining the data of the electrolytic electrode interface in the electrolytic process in real time.例文帳に追加

電気分解過程における電気分解電極界面の情報をリアルタイムに得ることができるなど電気分解過程の解明を可能とする電解液のｐＨ分布測定装置を提供すること。 - 特許庁