「electrode interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, since the interface on the substrate 5 side of the transparent electrode layer 3 (interface with the layer 4 having the low refractive index) is made to be a rugged surface, the total reflection on this interface reduces, and the light extraction efficiency can be enhanced.例文帳に追加

透明電極層３の基板５側の界面（低屈折率層４との界面）を凹凸面としており、この界面での全反射も減少し、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing for a secondary battery with high battery characteristics, high charge/discharge cycle characteristics, and high safety by uniformalizing and homogenizing an interface between a positive electrode and an electrolyte, an interface between a negative electrode and the electrolyte, and an interface between a separator and the electrolyte, in the secondary battery comprising the positive electrode, the negative electrode, the separator, and the electrolyte.例文帳に追加

正極と負極とセパレータと電解液とからなる二次電池において、前記正極と前記電解液との界面および、前記負極と前記電解液との界面、および、前記セパレータと前記電解液との界面を均一かつ均質し、電池特性、充放電サイクル特性、過充電時安全性に優れた二次電池の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a cermet electrode suppressing growth caused by sintering of Pt, increasing three phase interface, and increasing electrode activity.例文帳に追加

Ｐtの焼結による成長を抑制し、三相界面を増加し電極活性を増大させたサーメット電極及びその製法を提供する。 - 特許庁

To obtain a catalyst electrode of high efficiency by optimizing diffusibility and the interface of three phases of a fuel in the catalyst electrode used for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池に用いる触媒電極において、燃料の拡散性と三相界面を最適化して高効率の触媒電極を得る。 - 特許庁

To improve adhesion at the interface between an electrode and an electrolyte and improve conductivity between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加

電極と電解質層との界面における接着性の向上を図るとともに、電極と電解質との間の導電性を向上させる。 - 特許庁

To provide an electrode stack effectively suppressing slippage on an interface between a negative electrode and an electrolyte, and to provide a bipolar secondary battery.例文帳に追加

正極、負極および電解質間の界面がずれることを効果的に抑制する電極積層体およびバイポーラ２次電池を提供する。 - 特許庁

Then, when the thickness of the negative electrode layer 14 is set to Tn, the thickness of the interface layer will be Tb, and the relation 0.005<Tb/Tn<0.5 is satisfied.例文帳に追加

そして、負極層の厚さをＴｎ、界面層の厚さをＴｂとした場合、０．００５＜Ｔｂ／Ｔｎ＜０．５を満たす。 - 特許庁

To improve adhesion between an electrolyte and an electrode without reducing a three-phase interface area.例文帳に追加

三相界面の面積を減少させることなく、電解質と電極との密着性を向上させる。 - 特許庁

To provide an electrode for alkaline fuel cell having an excellent three-phase interface and a high reactivity.例文帳に追加

良好な三相界面を有し、高い反応性をもつアルカリ燃料電池用電極を提供する。 - 特許庁

To improve junction strength on the interface between a dielectric layer and an electrode layer in a multilayer ceramic board.例文帳に追加

多層セラミック基板において、誘電体層と電極層と界面での接合強度を向上させる。 - 特許庁

Each join interface of contact probes 10 and an electrode pad 22 is formed with same metallic material.例文帳に追加

コンタクトプローブ１０及び電極パッド２２の各接合界面を同一の金属材料により形成する。 - 特許庁

A new MOSFET provided with the metal gate electrode, a gate dielectric and an interface layer is disclosed.例文帳に追加

金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device which reduces contact resistance of the interface between an electrode and a semiconductor substrate.例文帳に追加

電極と半導体基板との界面のコンタクト抵抗を低減した半導体装置を実現する。 - 特許庁

To improve power generating efficiency by making higher the performance of an interface between a current collector and an electrode layer.例文帳に追加

集電体と電極層の界面における性能を高めることで、発電効率のアップを図る。 - 特許庁

To provide an electrolyte-electrode joined assembly which is formed by an anode-side electrode, a solid electrolyte, and a cathode-side electrode and with an intermediate layer inserted in order to reduce interface resistance between the solid electrolyte and the cathode-side electrode.例文帳に追加

アノード側電極、固体電解質、カソード側電極から構成され、固体電解質とカソード側電極間の界面抵抗を減少させるために中間層を介挿させた電解質・電極接合体の提供。 - 特許庁

This electrode plate has an electrode mix layer containing an electrode active material and a first binder on a collector, and has a second binder eluted by destruction of a pressure-sensitive microcapsule on the interface of the electrode mix layer and the collector.例文帳に追加

集電体上に電極活物質と第一の結着剤を含む電極合剤層を有し、電極合剤層と集電体の界面に、感圧性マイクロカプセルの破壊により溶出した第二の結着剤を有する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device in which a semiconductor/metal interface of proper quality without residues can be obtained in any region which forms a source electrode, a drain electrode and a gate electrode.例文帳に追加

化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。 - 特許庁

A positive potential is put on the electrode layer EL making an upper electrode of the capacitive element C, whereby electrons in the interface carrier layer SCL opposed to the electrode layer EL are fixed.例文帳に追加

そして、この容量素子Ｃの上部電極となる電極層ＥＬに正電位を印加することにより、電極層ＥＬに相対する界面キャリア層ＳＣＬの電子を固定している。 - 特許庁

To improve light reflectivity at an interface of a semiconductor layer and a contact electrode, and restrain electrode peeling by simultaneously improving adherence of an electrode, in a semiconductor light-receiving device.例文帳に追加

半導体受光装置において、半導体層とコンタクト電極との界面における光反射率を向上させ、同時に電極の密着性を向上させ、電極剥がれを抑制する。 - 特許庁

When the position of an element electrode for forming a bump electrode is sectioned from the position of an element electrode for performing inspection through pressure contact of a probe pin, formation of an electrode is not required at a part, where a probe track is present and formation of alloy is sufficiently promoted on the interface of a bump electrode and an inspection electrode by forming an electrode for a new element electrode.例文帳に追加

突起電極が形成される素子電極と、プローブピンの圧接により検査を行うための素子電極の位置を区分することにより、プローブ跡のある部分への電極形成が不要になり、新規な素子電極への電極形成を行うことで、突起電極と検査用電極との界面における合金形成が十分に促進する。 - 特許庁

The electrode for the fuel cell for forming a fuel electrode and an air electrode is equipped with an electrode substrate; a first channel formed on the electrode substrate; a first hydrophilic interface formed on the inner surface on one side of the first channel and guiding liquid; and a first hydrophobic interface formed so as to face the first hydrophilic interface and guiding gas.例文帳に追加

本発明による燃料電池用電極、燃料電池の燃料極と空気極とを形成する燃料電池用電極であって、電極基材と、電極基材に形成される第１チャンネルと、第１チャンネルの一側の内面に形成され液体を誘導する第１親水性界面と、第１親水性界面と対向するように形成され気体を誘導する第１疎水性界面とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁

The element further comprises oxide films 15 and 17 that are formed at the interface between the cathode electrode 14 and the interlayer dielectric film 18, and at the interface between the gate electrode 16 and the interlayer dielectric film 18, respectively, by oxidation annealing, and are mainly composed of constituent elements of the underlying layer.例文帳に追加

カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 - 特許庁

At this point, an interface between the capacitive insulating film 8 and the lower electrode 7 and/or an interface between the capacitive insulating film 8 and the upper electrode 9 is formed into a semicylinder or a trapezoid.例文帳に追加

ここで、容量絶縁膜８と下部電極７との界面形状または容量絶縁膜８と上部電極９との界面形状のうち少なくともいずれか一方を、半円筒形または台形に形成する。 - 特許庁

To realize the thinning of a gate insulating film by reducing a parasitic low dielectric-constant interface layer on the interface of a gate-electrode material film/a high dielectric-constant gate insulating film formed when the gate-electrode material film is formed.例文帳に追加

ゲート電極材料膜形成時に形成されたゲート電極材料膜／高誘電率ゲート絶縁膜の界面における寄生低誘電率界面層を還元し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。 - 特許庁

The high-k gate insulating layer formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and the high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a relative dielectric constant higher than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

The high-k gate insulation film formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and a high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a high relative permittivity than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

When light wave-guided into a first electrode is fully reflected from an interface between the first electrode and a buffer layer, evanescent light is produced on the side of the buffer layer.例文帳に追加

第１電極内を導波する光が、第１電極とバッファ層の界面で全反射した場合、バッファ層側にエバネッセント光が生じる。 - 特許庁

Halogen elements segregate on an interface between the high dielectric gate insulating film 109 and metal gate electrode 110 on the side of the metal gate electrode 110.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜１０９とメタルゲート電極１１０との界面におけるメタルゲート電極１１０の側に、ハロゲン元素が偏析している。 - 特許庁

To restrain resistance in an interface part between a negative electrode and a separator layer, in an all solid polymer battery having a negative electrode containing lithium or a lithium alloy.例文帳に追加

リチウムまたはリチウム合金を含む負極を有する全固体型ポリマー電池において、負極とセパレータ層との界面部における抵抗を抑制する。 - 特許庁

When an electric signal is impressed between a comb-shaped electrode 2A and a counter electrode 3, a longitudinal wave is sent into the substance through one interface of the substance.例文帳に追加

電気信号が櫛型電極２Aと対向電極３の間に印加されると、物質の一方の界面を介してその物質中に縦波が照射される。 - 特許庁

A gas permeating layer (5) into which the gas supplied to this electrode permeates is also installed in the interface between the gas shielding layer and the electrode contacting this gas shielding layer.例文帳に追加

さらに、前記ガス遮断層とこのガス遮断層に接する電極との界面にこの電極に供給されるガスが透過するガス透過層（５）を設ける。 - 特許庁

To manufacture a membrane electrode assembly enhancing durability of joining between a catalyst electrode layer and a polymer electrolyte membrane, a three-phase interface quantity, and joining capability.例文帳に追加

触媒電極層と高分子電解質膜との接合の耐久性、三相界面量、接合性を向上させる膜電極接合体を製造する。 - 特許庁

To form a gate electrode having a proper work function value with a low resistance while maintaining the interface state of a gate electrode in a low status.例文帳に追加

ゲート電極の界面準位を低い状態に維持しつつ、低抵抗で適性な仕事関数値を有するゲート電極の形成を可能とする。 - 特許庁

An electric field concentrates at the interface between the NTCDA film 4 and the Au electrode 6, electron injection occurs from the Au electrode 6, and doubling phenomena arise.例文帳に追加

ＮＴＣＤＡ膜４とＡｕ電極６の界面に電界が集中し、Ａｕ電極６から電子注入が起こって増倍現象が発生する。 - 特許庁

Besides, the content of dopant elements such as Sr is largest at the interface between the ferroelectric film 36 and the lower electrode 41, and decreases toward the upper electrode 35.例文帳に追加

さらに、Ｓｒなどのドーパント元素の含有量が、下部電極４１との界面で最も多く、上部電極３５に向けて減少する分布を有する。 - 特許庁

Further, in an interface between the variable-phase film and an upper electrode, a hollow is formed in the variable-phase film, and a part of the upper electrode is embedded in this hollow.例文帳に追加

更に、相変化膜と上部電極との界面において、相変化膜に窪みを形成し、この窪みに上部電極の一部を埋め込む。 - 特許庁

An inorganic electric conduction layer is formed using a material, which has a smaller work function for the interface between the negative electrode and an organic compound layer rather than the negative electrode material.例文帳に追加

本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。 - 特許庁

The first interface film 53A has a film thickness with which electrical connection between the lower-layer electrode 51A and the upper-layer electrode 52A is maintained, and the second interface film 53B has a film thickness with which epitaxial growth between the substrate 15 and the diode electrode 52B is inhibited.例文帳に追加

第１の界面膜５３Ａは、下層電極５１Ａと上層電極５２Ａとの電気的接続を維持する膜厚であり、第２の界面膜５３Ｂは、基板１５とダイオード電極５２Ｂとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 - 特許庁

Before the gate electrode 5 is formed, a gate insulating film 4 having a nitrided region at its inside from the interface between the film 4 and a semiconductor substrate 1 or the gate electrode 5 is formed by adding nitride to the interface between an aluminum oxide layer which becomes the insulating film 4 and the substrate 1 or electrode 5.例文帳に追加

ゲート電極５の形成前に、ゲート絶縁膜４となる酸化アルミニウム層の半導体基板１との界面側またはゲート電極５との界面側に窒素を添加し、その界面から内部の領域が窒化されたゲート絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

On the other hand, on a formation area of a slit part 22S of the common electrode 22, an interface D between a pixel electrode 20 and an insulation film 21, an interface E between the insulation film 21 and the first alignment film 24, and an interface F between the first alignment film 24 and liquid crystal LC exist in this order.例文帳に追加

一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、画素電極２０と絶縁膜２１との界面Ｄ、絶縁膜２１と第１の配向膜２４との界面Ｅ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。 - 特許庁

In a region where a slit portion 22S of the common electrode 22 is formed, on the other hand, an interface D between a pixel electrode 20 and an insulating film 21 which is an inorganic film, an interface E between the inorganic film 23 and first alignment layer 24, and an interface F between the first alignment layer 24 and liquid crystal LC are present in this order.例文帳に追加

一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、画素電極２０と無機膜である絶縁膜２１との界面Ｄ、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｅ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。 - 特許庁

The tiny resonant structure is formed at an interface with the light path length and the transparent layer, and at the interface with the organic compound layer and a reflective electrode.例文帳に追加

光路長調整層と透明層との界面と、有機化合物層と反射電極との界面で微小共振器構造が構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To solve a problem of the generation of a low-permittivity interface layer at the interface between a high-permittivity gate insulating layer and a gate electrode, a problem of reduction in permittivity of the entire insulating layer, and a problem of the shifting of a threshold caused by silicide reaction.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁層と、ゲート電極界面において、低誘電率界面層が生成し、絶縁層全体の誘電率を低下させる。 - 特許庁

The rate of this interface layer 9 is preferably 5 to 95% in terms of the ratio of the length of the interface layer to the length of the internal electrode.例文帳に追加

この界面層９の発生率は、内部電極３の長さに対する界面層の長さの比で５％以上かつ９５％以下となるようにすることが好ましい。 - 特許庁