「electrode interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The catalyst layer is preferably provided with an inclined structure wherein the content of the aggregated polymer electrolyte is decreased and the content of the catalyst or the catalyst support with catalyst supported is increased toward an electrode/gas phase interface from an electrolyte/electrode interface.例文帳に追加

さらに、触媒層は、電解質／電極界面から電極／気相界面に向かって、塊状の高分子電解質の含有量が少なくなり、かつ触媒又は触媒を担持した担体の含有量が多くなる傾斜構造を備えていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a catalyst electrode forming a three phase interface which does not damage reaction gas permeability in a gas diffusion electrode of a polymer electrolyte fuel cell, and capable of stably supplying reaction gas to the three phase interface during power generation.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池のガス拡散電極における反応ガス透過性を損なうことがない三相界面を形成させ、発電時に安定した反応ガス供給を三相界面に対して行うことができる触媒電極を提供する。 - 特許庁

A ceria-based electrolyte material contained in an air electrode 3 of a unit cell 1 gets into an interface between an electrolyte layer 2 and the air electrode 3, and inhibits the air electrode from reaction with zirconia as a component material of the electrolyte layer 2.例文帳に追加

単セル１において、空気極３に含まれるセリア系電解質材料は、電解質層２と空気極３との界面に入り込み、空気極３と電解質層２の構成材料であるジルコニアとの反応を阻害する。 - 特許庁

Carrier injection efficiency is improved by providing an interface layer 4 which is excellent in adhesion with electrode surfaces between an organic semiconductor layer 3 and a source electrode 5 and between the organic semiconductor layer 3 and a drain electrode 6.例文帳に追加

有機半導体層３とソース電極５および有機半導体層３とドレイン電極６との間に、電極表面との密着性が良好な界面層４を挿入することで、キャリア注入効率が向上する。 - 特許庁

A thin film capacitor 10 comprises a substrate 12, a lower electrode 14, a dielectric thin film 16 and an upper electrode 18, and if necessary, an antireaction layer 20 is arranged at the interface between the dielectric thin film 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

薄膜キャパシタ１０は、基板１２，下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極１８からなり、必要に応じて誘電体薄膜１６と上部電極１８との界面に反応防止層２０が設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor having a thin film capacitor where the worsening of the morphology caused by the oxidation of an electrode/dielectric interface, the deterioration of the capacitor characteristics caused by the electrode material and the deterioration of the characteristics of the electrode material per se are prevented.例文帳に追加

電極／誘電体界面の酸化によるモフォロジーの悪化、電極材料によるキャパシタ特性の低下、電極材料自体の特性低下などを防止した薄膜キャパシタを有する半導体装置が求められている。 - 特許庁

The battery is equipped with a positive electrode layer 13, a negative electrode layer 14, and a solid electrolyte layer (SE layer 15) to mediate the conduction of lithium ions between these both layers, and furthermore, equipped with an interface layer 16 between the negative electrode layer 14 and the SE layer 15.例文帳に追加

正極層１３と、負極層１４と、これら両層の間でリチウムイオンの伝導を媒介する固体電解質層（ＳＥ層１５）とを備え、さらに、負極層１４とＳＥ層１５との間に界面層１６を備える。 - 特許庁

Before the first write-in operation, a high resistance layer 19 is formed at an interface of the memory layer 17 with the lower electrode 14 by applying initialization pulse voltage to the upper electrode 18 and the lower electrode 14.例文帳に追加

初回の書込み動作の前に、上部電極１８および下部電極１４に対して初期化パルス電圧が印加されることにより、記憶層１７の下部電極１４との界面に高抵抗層１９が設けられている。 - 特許庁

A second electrode contact region 4 is apart from the first interface between first and second electrode regions 2 and 3 within a specific distance required for electric field relaxation to be formed on the second electrode region 3.例文帳に追加

第２電極コンタクト領域４が、第１電極領域２と第２電極領域３との間の第１の界面から、電界緩和に必要な所定の距離内側に離間して、第２電極領域３の表面に形成されている。 - 特許庁

Thermal expansion microcapsules are contained, at least in a separator 9 or an interface between a positive electrode plate 5 or a negative electrode plate 7 and the separator 9 for an electrode group 4 constituting a nonaqueous secondary battery.例文帳に追加

非水系二次電池を構成する電極群４の少なくともセパレータ９あるいは正極板５または負極板７とセパレータ９との界面に熱膨張性マイクロカプセルを含有させたことを特徴とするものである。 - 特許庁

In this volatile organic substance detection sensor 1, a first electrode 3 and a second electrode 4 are provided on the surface of an oxygen ion conductive solid electrolyte 2, and roughness of the surface of the oxygen ion conductive solid electrolyte 2 on a bonding interface 5 with the first electrode 3 is different from that on a bonding interface 6 with the second electrode 4.例文帳に追加

上記の目的を解決するために、この発明の揮発性有機物検出センサ１は、酸素イオン伝導性固体電解質２の表面に第１の電極３と第２の電極４が設けられており、酸素イオン伝導性固体電解質２の表面の粗さが第１の電極３との接合界面５と第２の電極４との接合界面６において異なるものである。 - 特許庁

A second concentration difference obtained by subtracting impurity concentration in an interface region between the second electrode and the second insulation film 302b from impurity concentration in the upper part of the second electrode 304 is larger than a first concentration difference obtained by subtracting impurity concentration in an interface region between the first electrode and the first insulation film 302a from impurity concentration in the upper part of the first electrode 303.例文帳に追加

第２の電極３０４の上部における不純物濃度から第２の絶縁膜３０２ｂとの界面領域における不純物濃度を差し引いた第２の濃度差は、第１の電極３０３の上部における不純物濃度から、第１の絶縁膜３０２ａとの界面領域における不純物濃度を差し引いた第１の濃度差よりも大きい。 - 特許庁

In the organic TFT comprising a gate electrode 2, a gate insulating layer 3, an organic semiconductor layer 5, a source electrode 6, and a drain electrode 7 on a substrate 1, the organic TFT including a fluorine-based polymer layer 4 is prepared at the interface between the gate electrode 3 and the organic semiconductor layer 5.例文帳に追加

基板上１にゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層５、ソース電極６及びドレイン電極７を含む有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層３と有機半導体層５との界面にフッ素系高分子層４を含む有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The Fe-based electrode layer takes in the carbon as a by-product of a sinter processing process for the ohmic electrode to suppress an increase in contact resistance between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode, caused by accumulation of carbon on a junction interface between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode.例文帳に追加

Ｆｅ系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがＳｉＣ半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してＳｉＣ半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 - 特許庁

By utilizing the catalysis of the metal of the internal electrode 2 during the baking process, the heterogeneous metal sticking to the end part surface of the internal electrode is made to diffuse into the interface between the ceramic layer 1 and the internal electrode 2 with the internal electrode as a path, to fill a void 3 and a metal 5.例文帳に追加

この焼付過程で内部電極２金属の触媒作用を利用し、前記内部電極端部表面に付着させた異種金属を内部電極を経路としてセラミック層１と内部電極２の界面に拡散させ、空隙３を金属５で充填する。 - 特許庁

While the second planar electrode and the first via, and the third planar electrode and the second via are respectively disposed on the same substrate interface, only one side of the second planar electrode faces one side of the first via, and only one side of the third planar electrode faces one side of the second via.例文帳に追加

第２の平板電極と第１のビアと、第３の平板電極と第２のビアがそれぞれ同一の基板界面上に配置されるが、第２の平板電極が第１のビアと１辺のみ対向し、第３の平板電極が第２のビアと１辺のみ対向する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the gate electrode of the gate insulating film 3 is ≥1×10^17 cm^-3 and that the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the silicon substrate of the gate insulating film is larger than the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３のゲート電極との界面近傍における重水素濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以上であり、かつゲート絶縁膜のシリコン基板との界面近傍における重水素濃度はゲート電極との界面近傍における重水素濃度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To improve the fatigue life of solder by suppressing the fatigue of the solder by a resin core in the vicinity of an interface between the solder and an electrode.例文帳に追加

半田と電極との界面近傍において、樹脂コアにより半田の疲労を抑えて半田の疲労寿命を向上させる。 - 特許庁

To provide an interface for injecting many carriers into an organic film from an electrode without depending on an energy level of an organic film material.例文帳に追加

有機膜材料のエネルギーレベルに依存することなく、電極から有機膜に多くのキャリアを注入するための界面を提供する。 - 特許庁

Either or both of the electrode assembly and the power source are connected to respective interface by means of connection chains including two electric conductors.例文帳に追加

電極組立体および電源の一方または双方は、二つの導体を含む連結鎖によって各インターフェイスが接続する。 - 特許庁

The first semiconductor part includes a first electrode 16 formed on a surface on the side of a junction interface and extending in a first direction.例文帳に追加

第１半導体部には、接合界面側の表面に形成されかつ第１の方向に延在する第１電極１６を設ける。 - 特許庁

A watt-hour measuring device 20 has an electrode 21 and a serial communication interface 23 connected to a watt-hour meter 10.例文帳に追加

電力量測定装置２０は、電力量計１０に接続されるシリアル通信インタフェース２３と電極２１とを備えるようにする。 - 特許庁

To enhance an operating speed of a MOS transistor by a method wherein the influences of a distribution interface resistance in a polymetal gate electrode is decreased.例文帳に追加

ポリメタルゲート電極における分布界面抵抗の影響を低減することにより、ＭＯＳトランジスタの動作速度を向上させる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting device capable of reducing influences of oxides on an interface between a contact layer and an electrode.例文帳に追加

コンタクト層と電極との界面における酸化物の影響を低減可能なIII族窒化物半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

To obtain a piezoelectric thin film that indicates excellent film quality characteristics without being affected by reformed film interface that is the surface of a lower electrode layer.例文帳に追加

下部電極層の表面である再成膜界面の影響を受けずに、良好な膜質特性を示す圧電体薄膜を得ること。 - 特許庁

To conduct an unevenness processing to a membrane electrode assembly (MEA) while keeping a uniform interface structure of a polymer electrolyte membrane 14 and a catalyst layer 13.例文帳に追加

高分子電解質膜１４と触媒層１３の均一な界面構造を保ちながらＭＥＡに凹凸加工を施すこと。 - 特許庁

Accordingly, outflow of the connecting electrode 10 from the interface separated between the sealing resin 11 and the substrate 8 can be suppressed.例文帳に追加

この為、接続電極１０が封止樹脂１１と基板８の界面を剥離させて流出することを抑制することができる。 - 特許庁

In the organic EL element, an electron injection layer including a reducible dopant is preferably arranged on an interface between the negative electrode and the organic layer.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子において、陰極と有機層との界面に還元性ドーパントを含む電子注入層を設けてもよい。 - 特許庁

The laminated piezoelectric element includes at least one of Pd and Pt existent on an interface between a piezoelectric layer 11 and internal electrode layers 21, 22.例文帳に追加

積層型圧電体素子は、圧電層１１と内部電極層２１、２２との界面に、ＰｄとＰｔの少なくとも一方が存在する。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device by preventing humidity from permeating through an interface between a silicon nitride film and an electrode pad.例文帳に追加

窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させること。 - 特許庁

However, by making a portion near the interface of the first electrode amorphous, the dielectric thin film is made to have a fine grain structure.例文帳に追加

しかし、第１の電極の界面近傍を非晶質にすることで、誘電体薄膜は微細グレイン構造を有するようになる。 - 特許庁

The source electrode S10 is formed so as to come into contact with an interface between the first semiconductor layer 110 and second semiconductor layer 120.例文帳に追加

ソース電極Ｓ１０は、第１の半導体層１１０と前記第２の半導体層１２０との界面と接するように形成される。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having high output by using polyimide as binder resin, enhancing binding between a negative electrode core and a negative electrode mix layer even if rolled copper foil is used as the negative electrode core, preventing peeling off of the negative electrode mix layer from the negative electrode core, and hardly forming a resistive element on the interface between the negative electrode core and the negative electrode mix layer.例文帳に追加

ポリイミドをバインダー樹脂として用いるとともに、圧延銅箔を負極芯体として用いても、負極芯体と負極合剤層との結着力を向上させて、負極芯体から負極合剤層が剥離しないような負極を得るとともに、負極芯体と負極合剤層との界面に抵抗体が形成されにくくして、高出力の非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

A capacitor having a ferroelectric film (capacitor film) 302 that is formed above a semiconductor substrate and is sandwiched between an upper electrode 303 and a lower electrode 301, wherein a conductive oxide film 303a, which is crystallized at deposition, is provided on an interface between the upper electrode 303 and the ferroelectric film 302, thus evading the formation of an interface layer with coarsened crystal grains in the interface between the upper electrode 303 and the ferroelectric film 302.例文帳に追加

半導体基板の上方に形成され、上部電極３０３と下部電極３０１との間に強誘電体膜（キャパシタ膜）３０２が挟持されてなるキャパシタにおいて、上部電極３０３の強誘電体膜３０２との界面に、成膜の時点で結晶化されている導電性酸化物膜３０３ａを設けるようにして、上部電極３０３と強誘電体膜３０２との界面に、結晶粒が粗大化した界面層が形成されてしまうのを回避する。 - 特許庁

The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6.例文帳に追加

誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 - 特許庁

Only surface modifications of an electrode and an insulating film are selectively changed, without changing TFT materials, by using a mathematical expression values of differences in Fermi energy on a semiconductor-electrode interface and a semiconductor-gate insulator interface to actualize n-type and p-type TFTs.例文帳に追加

半導体−電極界面、および、半導体−ゲート絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、ＴＦＴ材料を変えずに電極および絶縁膜の表面修飾だけを選択的に変化してｎ型とｐ型のＴＦＴを実現する。 - 特許庁

An interface layer comprising SiC_X is not formed on an interface between a Schottky electrode 4 and SiC, and respective particles of metal forming the Schottky electrode 4 are made to be in a state of lattice matching such that an atom arrangement is continuous, on a surface of the SiC.例文帳に追加

ショットキー電極４とＳｉＣとの界面にＳｉＯ_Xにて構成される界面層が形成されることなく、ショットキー電極４を構成する金属の各粒子がＳｉＣの表面において、原子配列が連続的となった格子整合した状態となるようにする。 - 特許庁

On the other hand, on a formation area of a slit part 22S of the common electrode 22, an interface D between a pixel electrode 20 made of transparent conductive material such being ITO and an organic insulation film 21 being organic film, and an interface E between the first alignment film 23 being organic film and liquid crystal LC, exist in this order.例文帳に追加

一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極２０と有機膜である有機絶縁膜２１との界面Ｄ、有機膜である第１の配向膜２３と液晶ＬＣとの界面Ｅが、この順で存在する。 - 特許庁

A light scattering structure which scatters light is formed at least at the interface of the buffer layer 3 and the transparent electrode layer 4 or at its surroundings, and suppresses total reflection of light by scattering light at the interface of the transparent electrode layer 4 and the buffer layer 3.例文帳に追加

そして、少なくとも緩和層３と透明電極層４との界面又はその付近に光を散乱させる光散乱構造が形成してあり、透明電極層４と緩和層３との界面で光を散乱させて全反射することを抑制するようにしてある。 - 特許庁

The organic thin-film electronic device comprising at least one electron transport layer or electrode interface layer between an anode and a cathode is characterized in that the at least one electron transport layer or electrode interface layer contains 0.1-70 wt.% of a carbene compound.例文帳に追加

陽極と陰極の間に少なくとも一層の電子輸送層または電極界面層を有する有機薄膜電子デバイスであって、電子輸送層または電極界面層の少なくとも一層にカルベン化合物を０．１〜７０重量％含有することを特徴とする有機薄膜電子デバイス。 - 特許庁

For measuring the electron injection energy barrier on the interface between metal and organic matter, a ballistic electron 5 is knocked from a chip 1 for supplying a tunnel electron to the interface 3 between metal and organic matter through a metal electrode 2 with an extremely thin film.例文帳に追加

金属・有機物界面の電子注入エネルギーバリアを測定するにあたり、トンネル電子供給用のチップ１から極薄膜の金属電極２を介し、金属・有機物界面３に弾道電子５を打ち込む。 - 特許庁

To provide an organic EL element, in which the transport of holes or electrons at the interface of an electrode and an organic thin-film layer and/or at the interface between the mutual organic thin-film layers is carried out efficiently, and in which the driving voltage can be reduced.例文帳に追加

電極と有機薄膜層との界面および／または有機薄膜層同士の界面での正孔あるいは電子の輸送が効率的に行われ、駆動電圧を低減可能な有機ＥＬ素子を提供すること。 - 特許庁

A diffraction grating 20 is formed in a two-dimensional direction at an interface between a transparent electrode 103 and a glass substrate 104 as an interface where total reflection takes place with different refractive indices inside the self-luminous surface-emitting element.例文帳に追加

自発光型面状発光素子内部において屈折率が異なり全反射が起こる界面である透明電極１０３とガラス基板１０４との界面に回折格子２０が２次元方向に形成されている。 - 特許庁

In the solder junction formed on a Cu electrode, the Cu_6Sn_5 phase formed on a junction interface between the Cu electrode and an Sn-based solder part has an average particle diameter D of D≤2.0 μm in a horizontal face to the Cu electrode.例文帳に追加

Ｃｕ電極上に形成されたはんだ接合体において、Ｃｕ電極とＳｎ系はんだ部との接合界面に形成するＣｕ_６Ｓｎ_５相のＣｕ電極に対する水平面における平均粒径ＤがＤ≦２．０μｍであるはんだ接合体。 - 特許庁

To provide a fuel cell electrode improved in electrode efficiency by providing a member with which a triple-phase interface can be easily formed although reducing costs as further as possible, while using a perovskite-type composite oxide as an electrode constituent material.例文帳に追加

電極構成材料として、ペロブスカイト型複合酸化物を使用しつつ、可能な限り低コストでありながら、三相界面を容易に形成しうる部材を提供することにより、電極効率に優れた燃料電池用電極を提供すること。 - 特許庁