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electrode interfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 853件
Switching circuits 4A and 18A disposed in a semiconductor memory chip switch the interface function of a predetermined second external connection electrode according to the state of a potential applied to a first external connection electrode by a bonding option.例文帳に追加
半導体メモリチップが備える切り換え回路(4A,18A)は、ボンディングオプションにより第1の外部接続電極に印加される電位状態に応じて所定の第2の外部接続電極のインタフェース機能を切り換える。 - 特許庁
To prevent a depleted layer at a part of gate electrode near the interface with a gate insulating film and to form a T-type gate electrode with precision, related to an insulated gate semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加
絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、ゲート電極のゲート絶縁膜との界面近傍での空乏層の発生を防止するとともに、精度良くT型ゲート電極を形成する。 - 特許庁
To provide a unit cell for an SOFC capable of suppressing to a minimum electric resistance at an interface of an alloy or the like and an air electrode, in the cell for the SOFC formed by jointing the alloy or the like containing Cr and the air electrode.例文帳に追加
Crを含有する合金等と空気極とを接合してなるSOFC用セルにおいて、合金等−空気極界面の電気抵抗を最小限に抑えることが可能なSOFC用セルを提供する。 - 特許庁
This battery 1 is equipped, between the positive electrode layer 13 and the SE layer 15, with a buffer layer 16 for buffering deviation of lithium ions in the vicinity of the interface of these both layers, and the density of the positive electrode layer 13 is 70 to 90% of the theoretical density.例文帳に追加
この電池1は、正極層13とSE層15との間に、これら両層の界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩衝する緩衝層16を備え、正極層13の密度が、理論密度の70〜90%である。 - 特許庁
To provide a membrane electrode assembly for a fuel cell increasing three layer interface, enlarging gas permeability, securing an electron moving path, and enhancing power generation efficiency, and to provide the manufacturing method of the membrane electrode assembly.例文帳に追加
三相界面を増大させ、ガス透過性を拡大し、且つ電子移動経路を確保することが可能で、発電効率が向上した燃料電池用膜電極接合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The organic transistor 1 includes an intermediate layer 16 that is made of a mixed body of a conductor 18 and an organic semiconductor 19 on an interface between a source electrode 11 (and a drain electrode) and an organic semiconductor layer 13.例文帳に追加
本発明の有機トランジスタ1は、ソース電極11(及びドレイン電極)と有機半導体層13との界面に導電体18と有機半導体19との混合体からなる中間層16を備えている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a membrane electrode junction which is advantageous for suppressing breakage of an electrolyte membrane and damage to a catalyst layer while increasing jointing performance of the interface of the electrode membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加
電解質膜とガス拡散層との界面の接合性を高めつつ、電解質膜の損傷、触媒層の損傷を抑制するのに有利な膜電極接合体の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
An organic semiconductor layer 7 is held between the source or drain electrode 6 and a drain or source electrode 8, and an organic transistor channel is vertically formed on the interface of the organic semiconductor layer 7 with the gate insulation film 5.例文帳に追加
有機半導体層7は、ソース又はドレイン電極6とドレイン又はソース電極8との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層7とゲート絶縁膜5との界面に垂直方向に形成される。 - 特許庁
To provide an organic transistor which has a high operating frequency and whose power consumption is low and a method of manufacturing the same by improving both carrier injection efficiency and extraction efficiency for an interface between a source electrode and a semiconductor, and an interface between a drain electrode and the semiconductor, and to provide a display device with small pixel variance using the same.例文帳に追加
ソース電極と半導体の界面及びドレイン電極と半導体界面に対してキャリアの注入効率及び抽出効率の向上を両立し、動作周波数が大きく且つ低消費電力な有機トランジスタとその製造方法、及びこれを用いた画素バラツキの小さい表示装置を提供すること。 - 特許庁
At the interface between an Ru film 32a for composing the lower electrode 32 and the silicon oxide film 24, the bonding layer composed by a TaN film 30 is interposed for preventing the interface between the Ru film 32a and silicon oxide film 24 from peeling off when the dielectric film 34 deposited on the lower electrode 32 is heat-treated.例文帳に追加
下部電極32を構成するRu膜32aと酸化シリコン膜24との界面には、TaN膜30によって構成される接着層が介在し、下部電極32上に堆積した誘電体膜34を熱処理したときにRu膜32aと酸化シリコン膜24との界面が剥離するのを防いでいる。 - 特許庁
The gate electrode of the p-type MIS transistor has a first metal at least on te interface with the gate insulation film, and the gate electrode of the n-type MIS transistor has a boride of the first metal at least on the interface with the gate insulation film.例文帳に追加
前記p型MISトランジスタにおける前記ゲート電極は、少なくとも前記ゲート絶縁膜との界面に第1の金属を有し、前記n型MISトランジスタにおける前記ゲート電極は、少なくとも前記ゲート絶縁膜との界面に、前記第1の金属のホウ化物を有することを特徴とする。 - 特許庁
While the alloy layer 116 which contains Ni being prevented from Au atom diffusing into the semiconductor layer, the internal dispersion and the absorption loss are eliminated at the interface between the semiconductor layer 111 or the contact layer 114 and the electrode 115 by preventing the aggravation of the interface flatness between the semiconductor layer and the electrode 115.例文帳に追加
上記Niを含む合金層116が、Au原子の半導体層中への拡散を防止する共に、半導体層と電極115との界面の平坦性の悪化を防止して、半導体層111やコンタクト層114および半導体層と電極115との界面での内部散乱や吸収損失をなくす。 - 特許庁
Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加
また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁
A gate electrode includes a first insulating film, which is formed in contact with an interface oxide film under the gate electrode and has a little electron affinity and a wide band gap, and a second insulating film, which is formed in contact with the gate electrode and has a larger electron affinity and a narrower band gap.例文帳に追加
ゲート電極を、その下の界面酸化膜に接して形成され、小さな電子親和力と大きなバンドギャップを有する第1の絶縁膜と、ゲート電極に接して形成され、より大きな電子親和力とより小さなバンドギャップを有する第2の絶縁膜の積層により形成する。 - 特許庁
To provide an Ni system alloy powder for forming a fuel electrode of an oxide fuel cell, a fuel electrode which is fabricated of this and has a fine structure with an increased three-phase interface as a reaction field, and a power generation cell which incorporates this fuel electrode with an improved power generation performance.例文帳に追加
酸化物形燃料電池の燃料極を形成するためのNi系合金粉末、これから作製した微細構造を有し、反応場である3相界面が増加した燃料極およびこの燃料極を組み込んだ発電性能が向上した発電セルを提供する。 - 特許庁
By densifying the neighborhood of the surface of the substrate, when the tensile strength of an electrode 13 formed on the surface of the substrate is measured, generating a break starting point around the electrode is suppressed, and development in crack in the neighborhood of the interface between the electrode 13 and the topmost surface of a dielectric layer 8 is prevented.例文帳に追加
基板表面近傍が緻密になることにより、基板表面に形成された電極13の引張強度測定の際、電極周りに破壊起点が生じることを抑制し、電極13と誘電体層8の最上層の界面近傍に亀裂が進展することを防止する。 - 特許庁
To prevent a reactive product at a Schottky junction interface between an electrode and a semiconductor layer, and to prevent component elements of the electrode from diffusing into a semiconductor layer, and a component element of the semiconductor layer from diffusing into the electrode, in a method for manufacturing a compound semiconductor device.例文帳に追加
化合物半導体装置の製造方法に関し、電極と半導体層のショットキー接合界面での反応生成物の形成を防止するとともに、電極の構成元素の半導体層への拡散を防止し、さらに半導体層の構成元素の電極への拡散を防止すること。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescent element capable of preventing reduction of a flow of current between a wiring and a common electrode due to variation of interface characteristics between two layers because of a direct contact between a pixel electrode and a common electrode formed on the wring, and further preventing a degradation of reliability of the element.例文帳に追加
本発明は、有機電界発光素子で、配線に形成される画素電極と共通電極の、直接的な接触による、二つの層間の界面特性が変化により、配線と共通電極との間の電流の流れが低下し、且つ素子の信頼性も低下することを防止する。 - 特許庁
In the battery having a laminated structure, which comprises an electrode laminate layer, composed of a positive material or a negative material absorbing and discharging lithium and a current collector, a heat- expanding micro-capsule is included into the electrode laminate layer or along the interface between the electrode laminate layer and the current collector.例文帳に追加
リチウムを吸蔵・放出する正極材料または負極材料からなる電極合剤層と、集電体との積層構造を有する電極において、該電極合剤層中または該電極合剤層と集電体との界面に沿って熱膨張性マイクロカプセルを含ませる。 - 特許庁
A nonvolatile memory cell 1 includes a channel 5 constituted of an organic semiconductor, a gate insulating film 3 and a transistor structure constituted of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and a trap 8 of carrier is formed on or near an interface of the channel 5 and the gate insulating film 3.例文帳に追加
不揮発性記憶素子1は、有機半導体からなるチャンネル5とゲート絶縁膜3とゲート電極とソース電極とドレイン電極とからなるトランジスタ構造を有し、チャンネル5とゲート絶縁膜3との界面又は界面近傍に、キャリアのトラップ8が形成されている。 - 特許庁
To provide a technique capable of reducing the increased reactive resistance (interface resistance), while preventing corrosion of an electrode collector in forming an electrode active material layer using an aqueous paste, and to provide a manufacturing method of an electrode excellent in the electrical performance by using such a technique.例文帳に追加
水性ペーストを用いて電極活物質層を形成する際に、反応抵抗(界面抵抗)の増加を抑制しつつ電極集電体の腐食を防止し得る技術を提供することであり、かかる技術を適用して電気的性能に優れる電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
This effectively removes the oxide film 3 of the lower electrode 2 formed between the electrode 2 and the dielectric film 6 to prevent the peel off of the film on the interface of the lower electrode 2 and the dielectric film 6 due to heat treatment in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加
下部電極2と酸化物誘電体膜6との間に形成される下部電極2の酸化膜3が効果的に除去され、水素を含む雰囲気中での熱処理による下部電極2と酸化物誘電体膜6との界面における膜剥がれを防止することができる。 - 特許庁
The microcomputer chip is provided with a plurality of first electrode pads 11 arranged on a chip peripheral part, a plurality of second electrode pads 12 arranged on the inside of these first electrode pads 11 and an emulation circuit 7 acting as an interface with the external at the time of emulation.例文帳に追加
マイクロコンピュータチップ10は、チップ周縁部に配置された複数の第1電極パッド11と、その複数の第1電極パッド11より内側に配置された複数の第2電極パッド12と、エミュレーション時に外部とのインターフェースを果たすエミュレーション回路7とを備える。 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor device is provided with a gate electrode 10g controlling a potential of a heterojunction interface between the first semiconductor layer 1 and the second semiconductor layer 2, a drain electrode 10d connected to the first semiconductor layer 1, and a source electrode 10s connected to the second semiconductor layer 2.例文帳に追加
更に、第1の半導体層1と第2の半導体層2との間のヘテロ接合面の電位を制御するゲート電極10gと、第1の半導体層1に接続されたドレイン電極10dと、第2の半導体層2に接続されたソース電極10sと、が設けられている。 - 特許庁
The negative electrode active material layer 14B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface with the negative electrode collector 14A is alloyed with the negative electrode collector 14A.例文帳に追加
負極活物質層14Bは、Si,Snあるいはこれらの合金を含み、気相法,液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体14Aとの界面の少なくとも一部において負極集電体14Aと合金化していることが好ましい。 - 特許庁
The negative electrode active material layer 14B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface to the negative electrode collector 14A is alloyed with the negative electrode collector 14A.例文帳に追加
負極活物質層14Bは、Si,Snあるいはこれらの合金を含み、気相法,液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体14Aとの界面の少なくとも一部において負極集電体14Aと合金化していることが好ましい。 - 特許庁
An expression giving a magnitude of difference in Fermi energy between on a semiconductor-electrode interface and on a semiconductor-insulator interface is used and only a cover coat is selectively changed while a TFT material is not changed, thereby achieving n-type and p-type TFTs.例文帳に追加
半導体−電極界面、および、半導体−絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、TFT材料を変えずに上薬だけを選択的に変化してn型とp型のTFTを実現する。 - 特許庁
Since positive holes generated in the active layer 3 can be restrained from moving to the negative electrode 2 side at the interface between the active layer 3 and the positive hole blocking layer 4, the positive holes can be efficiently moved to and collected by the positive electrode 1.例文帳に追加
活性層3に生成された正孔が負極2側へ移動することを活性層3と正孔阻止層4との界面で抑えることができ、正孔を正極1へと効率良く移動させて収集することができる。 - 特許庁
To improve power generation efficiency by increasing all of a gas channel, proton conducting path, and three-phase interface of an electrode catalyst layer structuring a unit cell of a polymer electrolyte fuel cell, and by efficiently utilizing a catalyst in the electrode catalyst layer.例文帳に追加
固体高分子形燃料電池の単セルを構成する電極触媒層のガスチャネル、プロトン伝導パス、三相界面の全てを増大させ、電極触媒層中の触媒を有効に利用して発電効率を高くする。 - 特許庁
To prevent the generation of a gap at an interface between a solid electrolyte and an electrode caused by the movement of ion at the inside of the electrolyte, and to cope with the mechanical deformation in a state of keeping the electric bonding of the electrolyte and the electrode.例文帳に追加
イオンの電解質内部の移動により、固体電解質と電極との界面に隙間が生じることを防ぐことができるとともに、電解質と電極との電気的な接合を保ちながら機械的な変形に対応できる。 - 特許庁
A work function of the gate electrode 20 on the interface 20A with the gate insulating film 30 becomes large, so a work function difference ϕMS between the gate electrode 20 and an oxide semiconductor film 40 increases, so that the threshold voltage Vth becomes high.例文帳に追加
ゲート電極20のゲート絶縁膜30との界面20Aにおける仕事関数が大きくなるので、ゲート電極20と酸化物半導体膜40との仕事関数差φMSが大きくなり、閾値電圧Vthが大きくなる。 - 特許庁
The protection layer has a thin skin layer laminated to cover a surface of the electrode and a diffusion layer formed by diffusing metallic particles in the thin skin layer in the vicinity of an interface between the thin skin layer and the surface of the electrode and forming alloy.例文帳に追加
この保護層は、電極表面を被覆するように積層される薄皮層と、薄皮層と電極表面との界面近傍に薄皮層中の金属粒子が拡散して合金化されて形成される拡散層とを有する。 - 特許庁
Thereby, the conduction between the barrier rib 14 and the grid electrode 27 is cut off by the intermediate layer 30, and the reduction of the lead glass due to the oxidation of Al at baking is prevented on the interface between the barrier rib 14 and the grid electrode 27.例文帳に追加
これにより、隔壁14とグリッド電極27との間の導通が中間層30で遮断され、隔壁14とグリッド電極27との界面において、焼成時のAlの酸化による鉛系ガラスの還元が防止される。 - 特許庁
To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.例文帳に追加
ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁
For the organic electroluminescent element comprising a pair of electrodes composed of a positive electrode 2 and a negative electrode 7 and at least more than one layer of organic layers 4, 5, 6 laid between the above, a positive electrode interface thin film layer 3 made of a specific compound or a material having a specific nature is formed between the positive electrode 2 and the organic layer.例文帳に追加
陽極2と陰極7からなる一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層以上の有機層4、5、6を有する有機電界発光素子において、陽極2と前記有機層との間に、ある特定の化合物または特定の性質を有する材料からなる陽極界面薄膜層3を設ける。 - 特許庁
To provide an EL electrode easily controlling interface electric characteristics such as a work function used for an electronic device such as an organic EL device, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
有機EL素子をはじめとする電子デバイスに用いられる仕事関数等の界面電気特性を簡便に制御できるEL電極とその製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a binder composition for an electrode which has strong binding force and does not block formation of a solid electrolyte interface (SEI) on the surface of an active material.例文帳に追加
本発明の課題は、結着力が強く、活物質表面の安定界面(SEI)の形成を阻害することがない電極用バインダー組成物を提供することにある。 - 特許庁
To provide a copper foil having an adhesion property with a negative electrode active substance and capable of alleviating stress concentration onto a collector interface at active material expansion.例文帳に追加
本発明は負極活物質との密着性を有し、且つ、活物質膨張時の集電体界面への応力集中を緩和することが可能な銅箔を提供する。 - 特許庁
Consequently, bonding strength of the bonding interface between the electrode 5 and the solder ball 6 can be enhanced and poor packaging of a printed board can be reduced.例文帳に追加
これにより、電極5と半田ボール6の接合界面の接合強度を向上させることができ、またプリント基板実装時の実装不良を低減することができる。 - 特許庁
An MRAM chip 100 is covered with an insulation layer 101 and further covered with a magnetic shield structure 102 except parts of electrode pads 103a and 103b becoming the interface with the outside (fig. (a)).例文帳に追加
MRAMチップ100は絶縁層101で覆われ、外部とのインターフェースとなる電極パッド103a,103bの部分を除き磁気遮蔽構造102で周囲を覆われた構造となっている(図(a))。 - 特許庁
To solve the problem of interfacial crystallization on the interface with an electrode, in an electrostatic recording material having a photoconductive layer for reading with a-Se as a main constituent.例文帳に追加
a−Seを主成分とする読取用光導電層を有する静電記録体において、電極との界面での界面結晶化の問題を解消する。 - 特許庁
To reduce a carrier re-coupling loss by reducing a transparent electrode/p-layer interface defect (or relaxing a composition mismatching between p-layer and i-layer).例文帳に追加
透明電極/p層界面欠陥を減少させる(又はp層とi層の組成不整合を緩和させる)ことにより、キャリア再結合損失を低減することを課題とする。 - 特許庁
To provide a fuel cell, and its manufacturing method, capable of obtaining an excellent power generating efficiency by an electrode richly securing a three-phase interface as compared with a conventional one.例文帳に追加
従来に比べて三相界面を豊富に確保した電極により良好な発電効率を得ることが可能な燃料電池と、その製造方法を提供する。 - 特許庁
A second image data interface section 130 is disposed in an electrode region 210 and an input/output buffer region 220 provided along a second side 240.例文帳に追加
第2の画像データインターフェース部130は第2の辺240に沿って設けられている電極領域210及び入出力バッファ領域220に配置される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of reducing poor packaging of a printed board by enhancing bonding strength of the bonding interface between an electrode and a solder ball.例文帳に追加
電極と半田ボールの接合界面の接合強度を向上させ、プリント基板実装時の実装不良を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide an air battery which has excellent heavy load discharging characteristics and preservation characteristics by maintaining a stability of a three phase interface of a catalyst layer of an air electrode.例文帳に追加
空気極の触媒層の三相界面を安定に保持することにより、重負荷放電特性および保存特性に優れた空気電池を提供することを目的とする。 - 特許庁
By destroying the oxide film and the passive film generated at the interface causing the electric resistance, an electrode body with reduced electric resistance can be manufactured.例文帳に追加
電気抵抗の要因となる界面に生じた酸化膜や不動態膜を破壊することによって、電気抵抗を低減した電極体を製造することができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device, improved in interface between a capacitive insulation film and an upper electrode, and also improved in characteristics and life.例文帳に追加
容量絶縁膜と上部電極との界面が良好であり、特性及び寿命を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a surface light emitter in which total reflection of light at the interface of a transparent electrode layer and a buffer layer is suppressed and extraction efficiency of light can be improved.例文帳に追加
透明電極層と緩和層との界面で光が全反射することを抑制し、光の取り出し効率を向上することができる面発光体を提供する。 - 特許庁
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