「electrode interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the layer 4' is provided, the light advancing from the transparent electrode 3 side to the layer 4' is incident on the interface between the substrate 5 and the layer 4' at an incident angle nearly vertical to the substrate surface of the substrate 5, and the total reflection on the air layer 7 side of the transparent substrate 5 is thus reduced.例文帳に追加

低屈折率層４’を設けているので、透明電極層３側から低屈折率層４’に進入した光が基板５の基板面と垂直に近い入射角にて基板５と低屈折率層４’との界面に入射するようになり、透明基板５の空気層７側で全反射が減少する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device capable of keeping an interface between a gate insulation film and a thin-film conductor layer under good conditions free from the influence of formation of a source/drain electrode and thereby having a fine bottom-gate-bottom-contact type thin-film transistor structure with good characteristics.例文帳に追加

本発明は、ソース／ドレイン電極の形成に影響されることなくゲート絶縁膜と薄膜半導体層との界面を良好な状態に維持することが可能で、これにより微細でありながらも特性の良好なボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ構成の薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL element made possible to take out the light which was impossible to take out due to total reflection at an interface between a light emission layer and first electrode as an anode, of which efficiency of taking out blue color light and red color light inferior in light emitting efficiency and light emission life is improved by a diffraction lattice.例文帳に追加

有機ＥＬ素子において、発光層と透明な陽極である第１の電極との界面で全反射されるため外部へ取り出すことができなかった光を取り出せるようにし、発光効率、発光寿命の劣る青色、赤色の光の取り出し効率を回折格子によって向上させる。 - 特許庁

The metal paste printing method comprises a process of arranging a metal mask 13 on a substrate 11 so that each through-hole 10 is located of the metal mask 13 having through-holes 10 on each electrode 12 and forming gap parts 13a communicated with the through-holes 10 on an interface between the substrate 11 and the metal mask 13.例文帳に追加

金属ペースト印刷方法においては、貫通孔１０を有するメタルマスク１３の貫通孔１０が電極１２上に位置するようにメタルマスク１３を基板１１上に配置するとともに、基板１１とメタルマスク１３との界面に貫通孔１０に連通する間隙部１３ａを形成する工程を含んでいる。 - 特許庁

The insulating gate type semiconductor device comprises an N- base layer 1, a P-type base layer 2, a trench 3 so formed as to penetrate the P-type base layer 2 before reaching a depth D from the interface against the N- base layer 1, and a gate electrode 4 embedded in the trench 3 via a gate insulating film.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、Ｎ^-ベース層１と、Ｐ型ベース層２と、このＰ型ベース層２を貫通した後さらにＮ^-ベース層１との界面から深さＤに達するように形成されたトレンチ３と、このトレンチ３の内部に、ゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極４を具備する。 - 特許庁

This organic electric field light emitting element is provided with a 1st sort middle layer who is located between a light emitting layer exterior part located in the direction, which is not the light extraction interface side of the organic electric field light emitting element, and a 2nd electrode, and can absorb almost visible light, which passes through the inside of this organic electric field light emitting element.例文帳に追加

有機電界発光素子の光取出し界面側でない方向に位置する発光層外部と第２の電極との間にあって、かつ、該有機電界発光素子の内部を通過する可視光をほとんど吸収することが可能な第１種中間層を設けた有機電界発光素子。 - 特許庁

To eliminate a disadvantage that a support of desired shape cannot be formed due to an etching solution permeated through an interface between a low structure and upper structure of a gate electrode when forming a support for an insulating film to prevent the gate from overturning under the gate consisting of the low structure of high-melting-pint metal and the upper structure of low-resistance metal containing gold.例文帳に追加

高融点金属の下部構造と金を含む低抵抗金属上部構造とからなるゲートの庇下にゲートの転倒防止のための絶縁膜支持体を形成する際に、ゲートの下部構造と上部構造の界面部分からエッチング液がしみ込み、所望形状の支持体が形成できない。 - 特許庁

A thin film of mutated bacteriorhodopsin, in particular, a protein as mutation into neutral amino acids from the 194th or 204th gultamic acid reckoned from the amino termination of bacteriorhodopsin and also the 82th arginine, is fixed to the interface between a conductive electrode substrate and an ion conductive electrolyte, and thus an intended photoelectric transfer element is fabricated.例文帳に追加

導電性の電極基板とイオン導電性の電解質との界面に変異させたバクテリオロドプシンの薄膜、特にバクテリオロドプシンのアミノ末端から数えて１９４番目もしくは２０４番目のグルタミン酸を，また８２番目のアルギニンを中性のアミノ酸に変異させたタンパク質を固定して光電変換素子を作製する。 - 特許庁

The electrode for the secondary battery is made by folding a collector welding part of the three-dimensional metal porous body and its peripheral part, and filling and rolling active material paste further up to a side of a folded part than an interface of the folded part and that other than the folded part.例文帳に追加

本発明の二次電池用電極は、三次元金属多孔体の集電体溶接部とその周辺部を二重折りにして、活物質ペーストを二重折り以外の部分と二重折り部分の境界よりも二重折り側まで充填、圧延することにより電極を作製することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device comprising a charge holder to the side wall of the gate electrode, in the structure that the charge holder is allocated lower than the interface between a gate insulating film and a channel region, in order to improve the write operation rate wherein length of the read current path is restricted and read access time is shortened.例文帳に追加

ゲート電極の側壁に電荷保持部を有する半導体記憶装置で、書き込み動作の速度を向上させるために電荷保持部をゲート絶縁膜とチャネル領域との界面よりも下に配置する構造では、読み出し電流経路が長くなることを抑制し、読み出しのアクセス時間を短くする。 - 特許庁

To provide an electrode with greatly improved utilization ratio of platinum by effectively forming a three-phase interface of a carbon/platinum/proton conductivity material by uniformly dispersing carbon carrying platinum, a proton conductivity material and a solvent in catalyst ink and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の課題は、触媒インク中の、白金が担持されたカーボンとプロトン伝導性物質および溶媒を均一に分散させることにより、カーボン／白金／プロトン伝導性物質の三相界面を有効に形成し、白金の利用率を飛躍的に向上した電極およびその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

In this electrostatic chuck 30 which is provided with a pedestal 31 which is composed of semiconductive ceramic and in which an electrode plate 32 is embedded and a semiconductive or conductive insert ring 33 which is arranged adjacent to an outer periphery of the pedestal 31, an insulating film 34 is arranged on a junction interface between the pedestal 31 and the insert ring 33.例文帳に追加

内部に電極板３２が埋設された半導電性のセラミックからなるペデスタル３１と、ペデスタル３１の外周に隣接して配置された半導電性又は導電性のインサートリング３３とを備えた静電チャック３０において、ペデスタル３１とインサートリング３３との接合界面に絶縁膜３４を設ける。 - 特許庁

Then, by heat-treating at least the first SiO_2 film, high-permittivity insulating film, and the second SiO_2 film; a gate insulating film 6 is formed where silicon concentration is high near the interface between the silicon substrate 1 and the gate electrode 7, and the silicon concentration becomes gradually lower toward the center.例文帳に追加

そして、少なくとも第１のＳｉＯ_２膜、高誘電率絶縁膜および第２のＳｉＯ_２膜に熱処理を施すことによって、シリコン基板１およびゲート電極７との界面近傍でのシリコン濃度が高く、中心付近に向かうにしたがい漸次シリコン濃度が低くなるゲート絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

To manufacture a membrane-electrode assembly (MEA) of a solid polymer fuel cell wherein a catalyst retaining carbon layer for controlling a condensation state is formed on a polymer electrolyte membrane and improvement of power generation performance is aimed by sufficiently forming a three-phase interface of a catalyst layer and by making a membrane/catalyst layer at an interfaceless state.例文帳に追加

高分子電解質膜上に凝集状態を制御した触媒担持カーボン層を形成し、触媒層の三相界面を十分に形成するとともに、膜／触媒層を界面レスにすることによる発電性能の向上を図った固体高分子型燃料電池用膜電極接合体（ＭＥＡ）を製造する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a PEFC electrode in which a platinum metal exists mainly in the interface of the surface of carbon particles and ion cluster portion of a cation exchange resin and in which the platinum metal in the PEFC electrode is increased and the utilization factor of the platinum metal is improved by solving a problem that binding force between the surface of the carbon particles and the cation exchange resin is not sufficient.例文帳に追加

白金族金属が主にカーボン粒子の表面と陽イオン交換樹脂のイオンクラスター部分との接面に存在するＰＥＦＣ用電極の製造方法における、カーボン粒子の表面と陽イオン交換樹脂との結着力が充分でないという問題を解決し、ＰＥＦＣ用電極中の白金族金属を増加させ、白金族金属の利用率を向上させたＰＥＦＣ用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode for a fuel cell which has made it compatible that supply of a reactant gas to the reaction interface of a catalyst layer is made uniform by preventing residence of water in a conductive porous body and that electric current distribution is made uniform by increasing a contact point between the conductive porous body and the catalyst layer surface, and improve output performance of a solid polymer fuel cell by using that electrode.例文帳に追加

導電性多孔質体中の水の滞留を防止することによって触媒層の反応界面への反応ガスの供給を均一にすることと、導電性多孔質体と触媒層表面との間の接触点を増大させることによって電流分布を均一にすることとを両立した燃料電池用電極を提供し、さらに、その電極を用いることによって固体高分子形燃料電池の出力性能を向上させる。 - 特許庁

The MSM type semiconductor light receiving element includes a semiconductor substrate, a light absorption layer formed on the semiconductor substrate, a Schottky electrode formed on the light absorption layer, and a light transmission layer formed on the light absorption layer in a region other than that in which the Schottky electrode is formed and made of oxide, a two-dimensional channel being formed on the interface between the light absorption layer and light transmission layer.例文帳に追加

本発明に係るＭＳＭ型半導体受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成されたショットキー電極と、前記光吸収層上において前記ショットキー電極が形成された以外の領域に形成され、酸化物からなる光透過層とを備え、前記光吸収層と前記光透過層との界面に２次元チャネルが形成されることを特長とするものである。 - 特許庁

This semiconductor light emitting device includes: a support substrate 30; a semiconductor film 10 including a luminescent layer 12 formed on the support substrate; a surface electrode formed on a surface of the semiconductor film on a light extraction surface side; and a reflective film 20 formed between the support substrate and the semiconductor film and forming a reflective surface in an interface with the semiconductor film.例文帳に追加

半導体発光装置は、支持基板３０と、支持基板上に設けられた発光層１２を含む半導体膜１０と、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられて半導体膜との界面において反射面を形成する反射膜２０と、を含んでいる。 - 特許庁

To provide a paste for an electric double-layer capacitor by which an electrode is easily manufactured and an electric double-layer capacitor can be easily manufactured and which can have excellent flexibility and high electrical conductivity by solving a problem in the prior art that bending a film formed in a conventional manner causes destruction of the film from an interface between a medium with particles dispersed therein and the particles, thus destroying the film.例文帳に追加

電極の製造が容易で、従来のような成膜した後に折り曲げを行うと粒子を分散させている媒体と粒子との界面からの破壊が起こって膜が破壊されるという問題がなく、可撓性に優れ、かつ高い導電性を有する電気二重層キャパシタの作成が可能な電気二重層キャパシタ用ペーストを提供する。 - 特許庁

A region where at least one element of the electrode composition material and one element of the solid electrolyte composition material composes a compound is formed on the interface of at least one of electrodes and the solid electrolyte, and the region is made of at least either of an oxide, a hydroxide, and a nitride, and the thickness of the region layer is made to be 0.01 nm-300 nm.例文帳に追加

少なくとも一方の電極と固体電解質との界面に少なくとも電極構成材料の一元素と固体電解質構成材料の一元素が化合物を構成する領域を形成し、その領域は酸化物、水酸化物、窒化物の少なくともいずれからなり、なおかつ領域層の厚みを０．０１ｎｍ〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a field effect transistor using the interface of a ferroelectric film 3 and a semiconductor film 4 as a channel and having a gate electrode 2 to which a voltage for controlling the polarization state of the ferroelectric film 3 is applied, and source and drain electrodes 5 and 6 provided at both ends of the channel and detecting a current flowing on the channel depending on the polarization state.例文帳に追加

強誘電体膜３と半導体膜４との界面をチャネルとする電界効果トランジスタで構成され、強誘電体膜３の分極状態を制御する電圧が印加されるゲート電極２と、チャネルの両端に設けられ、分極状態に応じてチャネルを流れる電流を検出するソース、ドレイン電極５、６とを備えている。 - 特許庁

For the solid oxide fuel cell, using a separator made of an alloy containing Cr, a separator, made of alloy which has an interface formed between the air electrode and the electrolyte, having a nature of selectively deoxidizing only oxygen in the air, and not deoxidizing the vapor of chromium oxide, is used.例文帳に追加

セパレータとしてＣｒを含む合金製セパレータを用いてなる固体酸化物形燃料電池において、空気極と電解質との界面で空気中の酸素のみを選択的に還元し、酸化クロムの蒸気種を還元しない性質の界面を形成してなることを特徴とする合金製セパレータを用いた固体酸化物形燃料電池。 - 特許庁

In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26.例文帳に追加

一対の主電極（エミッタ・コレクタ電極）と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極３２を備えているＩＧＢＴ(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域２８とドリフト領域２６の接合界面よりボディ領域２８側にｎ型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

A material for forming element connecting electrode layers 21 of terminal electrodes 2 is composed of Au, Pt, or Au/Pt having excellent high-temperature storage characteristics, and in order to suppress the influence of intrusion of a plating solution into an interface as less as possible, after resin conductive films 22 containing silver for example, are formed, the conductive films 22 are covered with metal plating layers 23.例文帳に追加

端子電極２の素体接合電極層２１を構成する材料に高温放置特性が良好なＡｕ、Ｐｔ又はＡｕ／Ｐｔを用い、また、メッキ液の界面への侵食の影響を極力防抑えるために、素体接合電極層２１上に、例えば銀が含有された樹脂導電膜２２を形成後、金属メッキ層２３で皮膜する。 - 特許庁

An output characteristic at low temperature is improved by manufacturing the energy device by storing/releasing electric energy by at least two kinds of reaction mechanisms comprising one having a small reaction rate and the other having a large reaction rate, in the faradic reaction wherein an oxidation state of an active material mainly changes and charge moves to the active material through an electrode interface.例文帳に追加

及び、主に活物質の酸化状態が変化し、電荷が電極界面を通して活物質に移動するファラデー的な反応で、反応速度が遅いものと速いものの少なくとも２種の反応機構により電気エネルギーを貯蔵・放出することを特徴とするエネルギーデバイスを作製することで低温での出力特性を改善した。 - 特許庁

Controlling specific electrical conductivity of an electrodeposition fluid by dissolving an inorganic salt in an electrodeposition fluid can form a thin and a uniform polycarboxylic acid resin film 2 (dielectric layer) to increase capacitance and decrease interface resistance, due to increased contact area between the polycarboxylic acid resin film 2 and an electrode 1 (electroconductive polymer layer), thus decreasing ESR.例文帳に追加

電着液に無機塩を溶解させて電着液の導電率を調整することにより薄くかつ均一にポリカルボン酸系樹脂皮膜２（誘電体層）を形成することができるので静電容量が増加し、ポリカルボン酸系樹脂皮膜２と電極１（導電性高分子層）との接触面積が大きいために界面抵抗が低下し、ＥＳＲが減少する。 - 特許庁

Each interface element contains a distribution element 100 made of an insulating material, and having a distribution channel for distributing the reagent on the surface facing at least one of the electrodes and at least one collector element 200 made of a conductive material arranged between the electrode and the element made of the insulating material.例文帳に追加

各インターフェース・エレメントは、絶縁性材料から成る分配エレメントであって、少なくとも電極の一方と対向する面に、反応物を分散させるための分配チャンネルを有する分配エレメント１００、および電極と絶縁性材料から成る前記エレメントとの間に配置された、導電性材料から成る少なくとも１つのコレクター・エレメント２００を含む。 - 特許庁

In a layered electrode film, a transparent oxide layer 1 and an Ag alloy thin film layer 2 are layered, the Ag alloy thin film layer 2 has a component composition containing 0.1-1.5 mass% of In, with the remainder of Ag and inevitable impurities, and an In oxide 3 is formed at a junction interface between the transparent oxide layer 1 and the Ag alloy thin film layer 2.例文帳に追加

透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２とが積層された積層電極膜であって、Ａｇ合金薄膜層２は、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２との接合界面に、Ｉｎ酸化物３が形成されている。 - 特許庁

The thin-film photoelectric conversion device has at least a zinc oxide layer, a p-type semiconductor layer, the photoelectric conversion layer, and a back electrode layer in order from a light incident side, and is characterized in that a stoichiometric composition ratio of zinc oxide near the interface composed of the zinc oxide layer and p-type semiconductor layer is Zn:O=1+N:1 (where N>0).例文帳に追加

光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 - 特許庁

To provide, with respect to a developing device including a toner carrier for conveying a toner to a developing region for a latent image carrier while allowing the toner to hop on a circumferential face thereof, a developing device and a toner carrier in which leakage between electrodes provided in the toner carrier through an interface or the toner may be avoided and leakage between electrode members due to ion migration may be never caused over time.例文帳に追加

トナーを外周面上でホッピングさせて潜像担持体の現像領域へ搬送するトナー担持体を備えた現像装置であって、そのトナー担持体に設けられた電極間で界面やトナーを通じたリークが生じることがなく、さらに、経時においても、電極部材間でのイオンマイグレーションによるリークが生じることのない現像剤担持体、現像装置を提供する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly for solid polymer fuel cell composed of an electrolyte membrane, a catalyst layer, and a conductive porous gas diffusion layer is provided with a groove for circulating or storing fluid at the interface between the catalyst layer and the electrolyte membrane.例文帳に追加

電解質膜、触媒層及び導電性多孔質ガス拡散層とから構成される固体高分子型燃料電池用膜電極接合体において、前記触媒層と電解質膜との界面に流体を流通または溜めるための溝が設けられている固体高分子型燃料電池用膜電極接合体およびその膜電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

Since a catalyst mixture 29, which is a mixed substance of the catalyst substance, proton conductive substance, and conductive substance, serving as constituent of three phase interface respectively, is carried inside the plurality of fine holes 27 having regularity, these elements are naturally dispersed and carried in the fine holes 27 with regularity and an electrode structure with intended aim can be formed.例文帳に追加

規則性を持った複数の微細穴２７の内部に、三相界面を構成する各要素である触媒物質とプロトン伝導物質と導電物質との混合物質である触媒混合物２９を担持させているので、自ずとこれら各要素が規則性を持った微細穴２７の内部で均一に分散担持され、狙い通りの電極構造を形成することができる。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element, the diffuse reflectivity of the entire element is reduced by disposing an antireflection film formed with an island-like absorber film or an absorber dispersion film and a conductive transparent body film on a luminescent layer-side interface of a metal back electrode to reduce regular reflection of a metal film, whereby contrast improvement under strong external light is realized.例文帳に追加

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、金属背面電極の発光層側界面に、島状吸収体膜もしくは吸収体分散膜と導電性透明体膜からなる反射防止膜を配置することによって、金属膜の正反射を低減することにより素子全体の拡散反射率を低減し、強い外来光下におけるコントラスト改善を実現した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a transistor structure having a first interlayer insulating film, a first wiring layer, a second interlayer insulating film and a second wiring layer on a semiconductor substrate, which can prevent disconnection of electrode wiring at an interface between the first and second interlayer insulating films at the time of making a contact hole in the interlayer insulating films to form the transistor structure.例文帳に追加

半導体基板上にトランジスタ構造、第１層間絶縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有する半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

With the nonaqueous electrolyte secondary battery provided with an electrode group 3 having a cathode 4, an anode 6 and a separator 5 arranged between the cathode 4 and the anode 6, and nonaqueous electrolyte solution, a lubricant layer 15 characteristically exists at least at a part of an interface of at least either the cathode 4 or the anode 6 and the separator 5.例文帳に追加

正極４と負極６と前記正極４及び前記負極６間に配置されるセパレータ５とを有する電極群３と、非水電解液とを備える非水電解質二次電池において、前記正極４及び前記負極６のうちの少なくとも一方の電極と前記セパレータ５の界面の少なくとも一部に潤滑剤層１５が存在することを特徴とする。 - 特許庁

An electrostatic attraction system is designed to apply voltage to electrodes 103a and 103b to generate surface polarization by the applied voltage on the surface 104a of a high-resistance material 104 as an object to be handled, thereby generating electrostatic suction force on an interface between the object 104 and an electrode surface 102a for attracting the object 104.例文帳に追加

電極１０３ａ、１０３ｂに電圧を印加させ、印加電圧によりハンドリング対象物としての高抵抗体１０４の表面１０４ａに表面分極を発生させることによりハンドリング対象物１０４と電極面１０２ａとの界面に静電気吸引力を発生させてハンドリング対象物１０４を吸着する静電吸着システムである。 - 特許庁

Because the film 13 is formed by alternately laminating two kinds of semiconductor layers each containing an n-type inpurity and whose piezo polarization quantity and spontaneous polarization quantity are different from each other, an electron is induced at an interface between the two semiconductor layers, thus allowing contact resistance between the electrode 14 and the layer 13 or parasitic resistance in a current transmission path to be more reduced than that in a conventional one.例文帳に追加

多層膜１３は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にｎ型不純物を含む２つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、２つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極１４と多層膜１３との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.例文帳に追加

シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

In the membrane electrode assembly 10 having an anode 12 having a catalyst layer 12b, a cathode 13 having a catalyst layer 13b, and an electrolyte membrane 11 interposed between the catalyst layers, distribution of an ion exchange capacity in the thickness direction of the electrolyte membrane 11 becomes maximum at a point of 10 to 50% from the interface between the electrolyte membrane 11 and the catalyst layer 12b of the anode 12.例文帳に追加

触媒層１２ｂを有するアノード電極１２と、触媒層１３ｂを有するカソード電極１２と、これらの触媒層の間に狭持された電解質膜１１とを有する膜電極接合体１０において、電解質膜１１の厚み方向のイオン交換容量の分布が、前記アノード電極１２が有する触媒層１２ｂとの界面から１０〜５０％の点において最大である該電解質膜１１。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which concentration of an external stress on the vicinity of the top face of the sidewall of a trench can be relaxed by dispersing the stress in a barrier metal layer even when the external stress generated from an electrode metal layer acts on the joint interface of the barrier metal layer and a conductor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

バリア金属層と導電体との接合界面に電極金属層等から生じる外部応力が作用した場合においても、この応力をバリア金属層内にて分散させることにより、外部応力がトレンチの側壁上面付近に集中するのを緩和することができ、逆方向電流（ＩＲ）を小さくすることができるショットキーバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming a gate insulating film over a gate electrode, in order to improve quality of a microcrystalline semiconductor film formed in an initial stage, glow discharge plasma is generated by supplying high-frequency powers with different frequencies, and a lower part of the film near a gate insulating film interface is formed under a first film formation condition, which is low in film formation rate but results in a good quality film.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成した後、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し、成膜速度は低いが品質のよい第１の成膜条件でゲート絶縁膜界面付近の膜の下部を形成し、その後、高い成膜速度の第２の成膜条件に変えて膜の上部を堆積する。 - 特許庁

To provide an electrode substrate for a fuel cell which comprises a carbon film structure where the surface other than an open hole is smooth, with a porous structure comprising a fine communicating hole, so that the gas is widely and evenly distributed with no short path while conductivity and heat transmission characteristics are high, with low contact resistance and heat loss at the interface when a battery cell is formed.例文帳に追加

本発明の目的は、微細な連通孔を有する多孔質構造を持ち、開放孔以外の表面が平滑な炭素膜構造体からなり、ショートパスを起こさないでガスを広く均一に配流することができ、且つ、導電性、熱伝導性が高く、特に電池セルを形成したとき界面での接触抵抗や熱損失を小さくできる燃料電池用電極基材を提供することである。 - 特許庁

To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加

電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約８００℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁