「electrode interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The storage battery connects collection tabs of the positive plate with each other and collection tabs of the negative electrode with each other with a strap each, of which, a fusion interface 11 formed at the collection tabs 1 is located below the lower side of cathode/anode straps 2 as shown in (C), (D).例文帳に追加

正極板の集電耳同士及び負極板の集電耳同士を溶接により各々ストラップで接続した蓄電池において、集電耳部１に形成される溶融界面１１が図４（Ｃ）（Ｄ）に示すように正・負極ストラップ２の下面以下になるようにする。 - 特許庁

The fluid lens 2 has a water solution layer 24 and an oil layer 23, and changes a refractive index by varying the interface shape between the water solution layer 24 and the oil layer 23 by applying voltage on an electrode 21, and controls the light distribution of the plane light-emitting light source 1.例文帳に追加

液体レンズ２は、水溶液層２４及びオイル層２３を有し、電極２１に電圧を印加して水溶液層２４とオイル層２３の界面形状を変化させることによって屈折率を変化させ、面発光光源１からの光の配光を制御している。 - 特許庁

To provide a highly reliable junction structure and method of manufacturing the same wherein this is no disconnection failure at an interface between a terminal and a wax junction layer and it has a highly reliable junction terminal between an electrode and the wax junction layer.例文帳に追加

端子と電極との界面における断線不良が発生せず、また端子とロウ接合層の界面で脆牲層が形成されない、電極やロウ接合層との接続信頼性が高い端子を備える信頼性の高い接合構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A silane coupling agent (the material for forming a self-assembled monolayer) injected or dropped with the liquid crystal material adheres to a substrate interface (or a surface of an electrode formed over a substrate) after being injected or dropped, thereby forming a self-assembled monolayer.例文帳に追加

液晶材料と一緒に注入または滴下されたシランカップリング剤（自己組織化単分子膜を形成する材料）は、注入後または滴下後に基板界面（または基板上に形成された電極表面）に吸着して自己組織化単分子膜が形成される。 - 特許庁

The diode has a p-type nitride semiconductor layer 17 that is selectively formed on the element forming layer 10 and an ohmic electrode 18, with a two-dimensional electronic gas generated by a heterojunction interface as an n-type region and the p-type nitride semiconductor layer 17 as a p-type region.例文帳に追加

ダイオードは、素子形成層１０の上に選択的に形成されたｐ型の窒化物半導体層１７及びオーミック電極１８を有し且つヘテロ接合界面により生じた２次元電子ガスをｎ型領域とし且つｐ型の窒化物半導体層１７をｐ型領域とする。 - 特許庁

By implementing signal connector connection through radio transmission utilizing electromagnetic field coupling, the connector connection is prevented from being limited by high frequency limitations according to a shape and an arrangement of a connector electrode designed for a former-generation interface and application of signal shaping techniques is not always required, either.例文帳に追加

電磁界結合を利用した無線伝送により信号のコネクタ接続を実現することで、旧世代インタフェース用に設計されたコネクタ電極の形状と配置による高周波的な制約に縛られることがなくなるし、信号整形技術の適用は必ずしも必要としない。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte film wherein ion conductivity of an interface between an electrode active material layer and a solid electrolyte layer and ion conductivity among fine particles of the solid electrolyte are improved, and fire retardancy, namely, high heat-resistance is prepared on a lithium ion battery especially using a solid electrolyte and a lithium battery.例文帳に追加

特に固体電解質を用いるリチウムイオン電池及びリチウム電池における電極活物質層と固体電解質層の界面のイオン伝導性及び固体電解質の細粒間のイオン伝導性を改善し、同時に難燃性即ち高耐熱性を備えた固体電解質膜を提供する。 - 特許庁

A ferroelectric layer includes a first ferroelectric layer, having a first crystalline aggregate system forming a main part of a ferroelectric layer and a second ferroelectric layer, having a second separate crystalline aggregate system forming an interface layer between a main part and one electrode.例文帳に追加

強誘電体層は、強誘電体層の主要部を形成する第１の結晶集合組織を備えた第１の強誘電体層と、主要部と一方の電極との間に界面層を形成する第２の別の結晶集合組織を備えた第２の強誘電体層とを含む。 - 特許庁

To improve the reliability of an element without causing mutual reaction in the interface between a dielectric and an electrode, including impurities such as Na in a manufacturing process, and deteriorating a dielectric element due to the diffusion of hydrogen in a heat treatment process in the dielectric element.例文帳に追加

誘電体素子において、誘電体と電極の界面における相互反応、あるいは製造工程におけるＮａ等の不純物の混入や熱処理工程での水素の拡散による誘電体素子の劣化が生じることなく、素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

Consequently, by burning soot on the interface between the first electrode and an oxygen ion conductor (by a mixed potential reaction) at a controlled temperature of 300-550°C, a soot concentration in measuring gas can be detected by an electromotive force generated between both electrodes 9, 11.例文帳に追加

よって、３００℃〜５５０℃の温度に制御して、第１電極−酸素イオン導電体界面にて（混合電位反応によって）煤を燃焼させることにより、両電極９、１１間に発生する起電力によって、被測定ガス中の煤濃度を検出することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The energy device is characterized by storing and releasing electric energy by at least two kinds of reaction mechanisms comprising one having a small reaction rate and the other having a large reaction rate in the faradic reaction wherein an oxidation state of an active material mainly changes and charge moves to the active material through an electrode interface.例文帳に追加

また、主に活物質の酸化状態が変化し、電荷が電極界面を通して活物質に移動するファラデー的な反応で、反応速度が遅いものと速いものの少なくとも２種の反応機構により電気エネルギーを貯蔵、放出することを特徴とするエネルギーデバイス。 - 特許庁

A gate insulating film 6 and a gate electrode 8 are laminated on a semiconductor channel forming region 1a provided onto the surface of a substrate, and a charge storage means (a carrier trap in a nitride film 12 and near to an interface with a top insulating film) which is dispersed in a two-dimensional manner in the gate insulating film 6 is provided.例文帳に追加

基板表面に設けられた半導体のチャネル形成領域１ａ上にゲート絶縁膜６とゲート電極８が積層され、ゲート絶縁膜６内に平面的に離散化された電荷蓄積手段（窒化膜１２膜中、およびトップ絶縁膜との界面付近のキャリアトラップ）を有する。 - 特許庁

With a phosphorescent luminous element having at least an electrode, a luminous layer containing a host material and a phosphorescent material, and a hole block layer, a high-efficiency and long-life luminous element is realized by providing a layer made of the host material on an interface of the luminous layer and the hole block layer.例文帳に追加

少なくとも電極と、ホスト材料と燐光材料とを含む発光層と、正孔ブロック層とを有する燐光発光素子において、発光層と正孔ブロック層の界面に、前記ホスト材料からなる層を設けることにより、高効率で長寿命の発光素子を実現することができる。 - 特許庁

To manufacture a welded structural member by stably forming a large nugget in the interface of members to be welded by using one-side resistance spot welding by which the members to be welded are pressurized from one side without using a back bar and a back bar electrode even when the members to be welded are metal sheets having low rigidity.例文帳に追加

バックバーやバックバー電極を用いずに、被溶接部材が剛性が低い金属板であっても、被溶接部材の片側から加圧する片側抵抗スポット溶接を用いて、被溶接部材の界面に安定して大きなナゲットを形成して、溶接構造部材を製造する。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of conducting a high speed operation by reducing an interface contact resistance between a high melting point metal layer and a silicon layer, in a laminated gate electrode and wiring structure of the high melting point metal layer, a metal barrier layer and the silicon layer.例文帳に追加

高融点金属層／金属バリア層／シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。 - 特許庁

A dielectric film deposition method is used as a means for solving the problems, characterized in that anti-oxidation films to prevent the oxidation and diffusion of a lower electrode are inserted and deposited in the interface of the substrate and dielectric film, and the interfaces of the dielectric films, in a method of depositing the dielectric film on a substrate.例文帳に追加

基板上に誘電膜を蒸着する方法において、基板と誘電膜の界面と、誘電膜間の界面とに下部電極の酸化及び拡散を防止する酸化防止膜を挿入して蒸着することを特徴とする誘電膜蒸着法を課題の解決手段とする。 - 特許庁

The electric field communication apparatus includes a case 3 with a tip shaped to a form insertable to a slot of an information terminal and projected externally from the slot in an inserted state, and the electrode 4 is arranged to the tip of the case 3 wherein a communication circuit 1 and an interface 2 are arranged inside.例文帳に追加

電界通信装置は、情報端末のスロットに挿入可能な形状で且つ挿入した状態においてスロットから外部に突出する先端部を有する筐体３を有し、尚且つ通信回路１とインタフェース２とを内部に配置する筐体３の先端部に電極４を配置する。 - 特許庁

By means of porosity adjustment of the fuel electrode 12, the rate of hydrogen gas permeation to the solid electrolyte interface is reduced in the region having a higher hydrogen concentration so as to suppress the battery reaction, and in the region having a low hydrogen gas concentration, the rate of permeation of hydrogen gas is heightened to promote the battery reaction.例文帳に追加

燃料極の気孔率の調整により、水素濃度の高い領域では固体電解質界面への水素ガス透過率を低減し、電池反応の抑制を図り、水素ガス濃度の低い領域では水素ガスの透過率を上げ、電池反応の促進を図る。 - 特許庁

Further, the concentration of silicon takes the maximum value near the interface of the SiO_2 film 12 or that of the gate electrode 7, gradually decreases away from the interfaces, and preferably takes the minimum value near the center of the High-k film 13.例文帳に追加

さらに、シリコンの濃度は、ＳｉＯ_２膜１２との界面近傍およびゲート電極７との界面近傍の少なくとも一方で最大値をとり、これらの界面から離れるにしたがい漸次減少してＨｉｇｈ−ｋ膜１３の中心付近で最小値をとることが好ましい。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a resistor component with a high connection reliability, which is free of: failure in an electrical conduction due to an increase in thickness of a semiconductor device caused by the resistor component, or a three-dimensional structure; reduction of an electrical conductivity caused by an interface between the resistor component and an electrode; and a like.例文帳に追加

抵抗素子による半導体装置の厚みの増加や立体構造による導通不良、および抵抗素子と電極との間の界面によって生じる導通性の低下などに囚われない、接続信頼性の高い抵抗素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

For instance, a translucent resin protection layer (8) integrally molded so as to cover the transparent electrode (7) may be provided on the transparent layer (7), and liquid or hardening resin may be intercalated at an interface between the translucent resin protection layer (8) and the color conversion layers (13a, 13b, 13c) to form a sealing layer (9).例文帳に追加

例えば透明電極(7)の上に、透明電極(7)を覆うように一体成形した透光性樹脂保護層(8)を設けても良いし、透光性樹脂保護層(8)と色変換層(13a,13b,13c)との界面に液体又は硬化性樹脂を介在させてシール層(9)を形成してもよい。 - 特許庁

To provide a fuel cell, i.e. an SOFC having a P type semiconductor film provided on the surface of an interconnector consisting of a dense conductive ceramic provided in a fuel side electrode, which has a high bond strength with regard to the bonding state between "the interface of the interconnector and the P type semiconductor film."例文帳に追加

燃料側電極に設けられた緻密な導電性セラミックからなるインターコネクタの表面にＰ型半導体膜が設けられたＳＯＦＣであって、「インターコネクタとＰ型半導体膜との界面」の接合状態に関し、接合強度が大きな燃料電池を提供する。 - 特許庁

Thanks to such a structure of transfer electrode, an electric field is applied to deepen a channel potential in the CCD channel area adjacent to the interface than the center of the CCD channel area, which suppresses an acting to shallow the channel potential of the CCD channel area adjacent to the joint boundary.例文帳に追加

この転送電極構造により、ＣＣＤチャネル領域中央よりも境界近傍のＣＣＤチャネル領域においてチャネル電位を深めるように電界が掛かり、接合界面近傍のＣＣＤチャネル領域のチャネル電位を浅くしようとする作用を抑える。 - 特許庁

To provide a negative active material for a lithium secondary battery capable of enhancing the interface stability between a negative electrode and an electrolyte, charge discharge efficiency, and lifetime characteristics, and enabling use of both of an aqueous binder and a nonaqueous binder, and to provide its manufacturing method and the lithium secondary battery.例文帳に追加

負極と電解質間の界面安定性及び電池の充放電効率と寿命特性を向上させることができ、水系及び非水系バインダーの使用を可能にするリチウム２次電池用負極活物質とその製造方法及びリチウム２次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to manufacture a catalyst layer with high effective utilization rate of platinum catalyst by making a configuration with little coagulation of catalyst carrying carbon particle and a high porosity and increasing three-phase interface area in the electrode catalyst layer for solid oxide fuel cell.例文帳に追加

固体酸化物型燃料電池用電極触媒層において、触媒担持カーボン粒子の凝集が少なく、空孔率の高い形態をつくり、三相界面の面積を増大させることで白金触媒の有効利用率の高い触媒層を製造するための製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by MOCVD method of a PZT capacitance comprising various superior ferroelectric characteristics on an Ru lower electrode which is easy to etch and to specify an Ru-PZT interface structure obtained by the method so as to be applied to a ferroelectric memory device.例文帳に追加

本発明は、エッチングがし易いＲｕ下部電極上において優れた強誘電体諸特性をもつＰＺＴ容量のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を示すと共に、これによって得られるＲｕとＰＺＴ界面構造を特定し、かつ強誘電体メモリデバイスに適用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage apparatus which includes a plurality of semiconductor devices whose functions are different from each other, and in which the height of an interface between a gate insulating film and a gate electrode of each semiconductor device is almost the same, and in which each semiconductor device is arranged in a proper region of each partial SOI substrate.例文帳に追加

機能が異なる複数の半導体素子を含み、各半導体素子のゲート絶縁膜とゲート電極との界面の高さが略同じであり、各半導体素子をそれぞれ部分ＳＯＩ基板の適切な領域に配置した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the dose of radiation is monitored, off voltage of the TFT, i.e. the depletion bias of a semiconductor layer, is applied to the control electrode of the photoelectric transducer 2 for monitoring and holes stored on the interface between an insulating film and the semiconductor layer are removed by the operating voltage of the TFT 3.例文帳に追加

放射線量をモニタする際には、モニタ用光電変換素子２の制御電極には半導体層の空乏化バイアスであるＴＦＴのオフ電圧が印加されており、絶縁膜と半導体層の界面に蓄積されたホールは、ＴＦＴ３の動作電圧で除去される。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly for solid polymer fuel cell capable of enhancing power generation efficiency by increasing all of gas channel, proton conduction path, and three-phase interface without increasing a catalyst layer resistance and utilizing effectively the catalyst in the catalyst layer at the time of obtaining a solid polymer fuel cell, and a manufacturing method of the membrane electrode assembly for solid polymer fuel cell.例文帳に追加

固体高分子形燃料電池を得るに際して、触媒層抵抗を増大させることなく、ガスチャネル、プロトン伝導パス、三相界面の全てを増大させ、触媒層中の触媒を有効に利用することにより発電効率を高めることができる固体高分子形燃料電池用膜・電極接合体および固体高分子形燃料電池用膜・電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an all-solid battery, preferably an all-solid lithium ion battery capable of extremely decreasing substances inhibiting ionic conduction on the interface between an electrode layer and a solid electrolyte layer or in the grain boundary between an electrode active material and an electrolyte, performing high-rate charge discharge, increasing charge discharge efficiency even at high working current, and reducing a manufacturing cost; and to provide a method of manufacturing these batteries.例文帳に追加

本発明の課題は電極層と固体電解質層との界面、または電極活物質と電解質の粒界にイオン伝導を阻害する物質が非常に少なく、大電流の充放電が可能であり、大きな作動電流においても高い充放電効率を得られ、かつ製造コストが低い全固体電池、好ましくは全固体リチウムイオン電池、およびこれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The liquid crystal display element for laminating a liquid crystal layer for reflecting light of prescribed wavelength and an electrode layer for applying a drive voltage for display control in the liquid crystal layer, makes control so that an alignment direction of liquid crystal molecules present in the liquid crystal layer in the neighborhood of an interface with at least the electrode layer is substantially parallel to both-eyes directions connecting both eyes of a user viewing a liquid crystal display face.例文帳に追加

所定の波長の光を反射させる液晶層と、液晶層に表示制御用の駆動電圧を印加する電極層とが積層されている液晶表示素子において、少なくとも電極層との界面付近の液晶層に所在する液晶分子の配向方向を、液晶表示面を視認する利用者の両眼を結ぶ両眼方向と略水平方向になるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of electrode catalyst for a solid polymer fuel cell, of a kind selectively carrying catalyst metal on a reactive interface, with a manufacturing process greatly simplified by increase of a carrying volume of the catalyst metal, and also to provide a solid polymer fuel cell using the electrode catalyst for a fuel cell obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

触媒金属が反応界面に選択的に担持した固体高分子形燃料電池用電極触媒において、触媒金属の担持量を増加させ、製造工程の大幅な簡略化が可能な、固体高分子形燃料電池用電極触媒の製造方法と、この製造方法で得られた燃料電池用電極触媒を用いることを特徴とする固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁

The interface between a lower capacitor and a capacitor insulating film is flattened by crystallizing amorphous SRO films 14 and 17 in continuous way by heat treatment, after forming an amorphous SRO film 14 as a lower capacitor electrode, a polycrystalline BST film 16 consisting of Ba(X)Sr(1- X)TiO (3) as a capacitor insulating film, and an amorphous SRO film 17 as an upper capacitor electrode.例文帳に追加

下部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１４、キャパシタ絶縁膜としてＢａ（Ｘ）Ｓｒ（１−Ｘ）ＴｉＯ（３）からなる多結晶ＢＳＴ膜１６、上部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１７を連続的に形成した後、熱処理により非晶質ＳＲＯ膜１４，１７を一括して結晶化する事により、下部キャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜との界面を平担にする。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst capable of improving power generation efficiency of a polymer electrolyte fuel cell by increasing three-phase interface without increasing the catalyst metal carrying quantity and by not hindering diffusion of a reaction substance, and to provide a polymer electrolyte fuel cell using it, electronic equipment, and a power generation system.例文帳に追加

触媒金属担持量を増加させることなく三相界面を増大させ、かつ反応物質の拡散を阻害させないことにより、固体高分子形燃料電池の発電効率を向上できる電極触媒、およびそれを用いた固体高分子形燃料電池、電子機器、発電システムを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film semiconductor device manufacturing method capable of efficiently manufacturing the thin film semiconductor device reduced in varieties of the number or the grain size of crystal in each electrode, compared with the thin film semiconductor device produced by a conventional manufacturing method, and whose interface between a crystal semiconductor thin film layer and an insulation film layer is smooth.例文帳に追加

従来の製造方法による薄膜半導体装置よりも、単位電極毎の結晶粒の数や粒径のばらつきが少なく、かつ結晶半導体薄膜層と絶縁膜層との界面が平滑な薄膜半導体装置を、効率的に製造することのできる薄膜半導体装置製造方法を提供すること。 - 特許庁

The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加

このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

In the semiconductor device including an N-type MOS transistor 4a and a P-type MOS transistor 4b, a gate electrode 6b of the P-type MOS transistor 4b is configured, with polysilicon containing a P-type dopant as a main material, to contain an N-type dopant in the vicinity of an interface with at least a gate insulating film 5.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ４ａとＰ型ＭＯＳトランジスタ４ｂを有する半導体装置において、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ４ｂのゲート電極６ｂを、Ｐ型ドーパントを含有するポリシリコンを主材料とし、少なくともゲート絶縁膜５との界面近傍にＮ型ドーパントを含有するように構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a fuel cell capable of preventing inspection error when a separator and a frame are laminated on and bonded to an intermediate member having a membrane electrode assembly, and finding the peeling off of an adhesion interface in its early stages while preventing increase in manufacturing facilities and the number of manufacturing processes; and to provide a separator holding tool.例文帳に追加

セパレータとフレームとを、膜電極接合体を備えた中間部材に積層接着するに当たり、検査エラーを防止し、且つ製造設備及び製造工程数の増加を抑制しつつ接着界面の剥離を早期に発見できる、燃料電池の製造方法及びセパレータ保持具を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film photoelectric conversion device which maintains high productivity by a technique suitable for an increase in area without causing a decrease in yield, and which has improved conversion efficiency by forming an excellent junction interface between a transparent electrode layer made of zinc oxide and a photoelectric conversion unit.例文帳に追加

薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。 - 特許庁

To provide a display device whose operating life of a liquid crystal panel is extended by alleviating an image persistence phenomenon caused by absorption of ions, produced by photo- or thermal-decomposition of an organic material due to long time irradiation of intense light on the liquid crystal panel, to an alignment layer and/or an electrode interface, and a method for driving the same.例文帳に追加

液晶パネルに強い光を長時間照射すると、光や熱で有機材料が分解してイオンが発生し、配向膜や電極界面に吸着して起る焼き付き現象を軽減し、液晶パネルの長寿命化を可能にした表示装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

Even if the adhesive agent 6 penetrates into a solder-bonded interface between an outer electrode 2* and the bump 4* by heating in a reflow process, an active function is given to the adhesive agent 6 by the liquid anhydride, so that the adhesive agent 6 does no harm the solderability, and a soldering operation can be well carried out.例文帳に追加

リフロー時の加熱によって外側の電極２＊とバンプ４＊の半田接合界面に接着剤６が進入した場合においても、液状酸無水物によって接着剤６に活性作用が付与されていることにより半田接合性が阻害されることがなく、良好な半田接合を行うことができる。 - 特許庁

Crystallinity on the interface of a gate insulating film and a microcrystalline semiconductor film is enhanced by forming the gate insulating film on a gate electrode, forming crystalline nuclei on the gate insulating film by using silane fluoride and silane, and forming the microcrystalline semiconductor film by crystal growth using the crystalline nuclei as seeds.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。 - 特許庁