「electrode interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

When the above Ni group alloy is used, in case welding of the earth electrode 4 and the main fitting is carried out in the atmosphere, oxidation film is formed at the welding interface during welding, thereby, the welding strength is decreased than before.例文帳に追加

また、上記Ｎｉ基合金を用いた場合、接地電極４と主体金具１との溶接を大気中で行うと、溶接の際に溶接界面に酸化被膜が形成されてしまうため溶接強度が従来よりも低下してしまう。 - 特許庁

With the above configuration, since the height variation is made absorbable by the slide between electrode 13 and the thermoelectric conversion material chip 12, a uniform junction interface of a junction state can be formed over the whole element.例文帳に追加

上記の用に構成することにより、電極１３と熱電変換材料１２間の滑りにより、高さバラツキが吸収することが出来るので、素子全体にわたって接合状態の均一な接合界面を形成することが出来る。 - 特許庁

To minimize lowering of the conversion efficiency of a solar cell due to reflection of the incident light to a transparent substrate on the interface of the transparent substrate and a transparent electrode film, in a solar cell where sunlight enters from the transparent substrate side.例文帳に追加

透明基板側から太陽光が入射する太陽電池において、透明基板に入射した光が、透明基板と透明電極膜の界面で反射することによる太陽電池の変換効率の低下を抑制する。 - 特許庁

A structure suppresses deterioration of the electric characteristic, which occurs due to re-coupling of an interface charge in an inversion layer just below the inactivated film and the majority carriers in the irregular levels of the high charge layer near the back electrode.例文帳に追加

本発明の構造は、不活性化膜直下の反転層に存在する界面電荷と裏面電極近傍の高電荷層不整準位内の多数キャリアとの再結合により生じる電気的特性の悪化を抑制する。 - 特許庁

To provide a lead-acid battery for improving adhesion of an interface located between an expanded metal grating body and an active material in a positive electrode plate, which will not caust early reduction in discharge capacity, regardless of heavy load or light load, and is very satisfactory in service life performance.例文帳に追加

正極板におけるエキスパンド格子体と活物質との界面の密着性を良好にし、重負荷や軽負荷を問わず放電容量が早期に低下することがない、極めて寿命性能に優れた鉛蓄電池を得る。 - 特許庁

Assuming that r_GP [Ω/μm^2] denotes an electric resistance per unit area of the graphene, and r_C [Ωμm^2] denotes an interface resistance per unit area between the graphene and the metal electrode, the contact resistance can be calculated using numerical formula (1), wherein S is a contact area.例文帳に追加

グラフェンの単位面積あたりの電気抵抗をｒ_GP[Ω／μｍ^2]、グラフェンと金属電極との単位面積当たりの界面抵抗をｒ_C[Ωμｍ^2]とすると、接触面積をＳとして、接触抵抗はと計算できる。 - 特許庁

Even when the conductive fine particles 2c_1 of the image carrier 2 and the writing electrode 3a are composed of different metals, contact corrosion is retarded on the interface and a stabilized electrostatic latent image can be formed.例文帳に追加

したがって、像担持体２の導電性微粒子２ｃ_1と書込電極３ａとが互いに異なる金属で構成されても、それらの界面に接触腐食が生じ難くなり、安定した静電潜像を形成することができる。 - 特許庁

An n^+-buried impurity region 4 is formed in an interface between an n^--semiconductor layer 2 and a p^--semiconductor substrate 1 below an n^+-impurity region 7 connected to the drain electrode 14 of the nMOS transistor 103.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ１０３のドレイン電極１４に接続されるｎ^＋不純物領域７の下方においては、ｎ^−半導体層２とｐ^−半導体基板１との界面にｎ^＋埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

The fuel cell uses the electrolyte film-electrode joined body of which, a catalyst layer and a gas diffusion layer are adhered by an adhesive layer made of polymer electrolyte formed on a part of a junction interface of the catalyst layer and the gas diffusion layer.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層が、それらの接合界面に部分的に形成された高分子電解質からなる接着剤層により接着されている電解質膜−電極接合体とそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

To suppress deterioration in power occurring at an electron trap caused by existence of an oxide layer containing P (phosphorus) formed on the interface of the surface of a recess and a gate electrode in a high output power FET of a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体の高出力パワーＦＥＴにおいて、リセス表面とゲート電極の界面に形成されるＰ（リン）を含んだ酸化物層が存在することにより生じる電子トラップで起こるパワー劣化を小さくする。 - 特許庁

To obtain good leak electric characteristic by effectively utilizing two mechanisms having leak current reduction by an interface barrier of an electrode and a dielectric thin film and leak current reduction due to insulation improvement of a dielectric thin film bulk.例文帳に追加

電極と誘電体薄膜との界面バリアによるリーク電流低減と、誘電体薄膜バルクの絶縁性向上によるリーク電流低減という２つのメカニズムを有効に利用して良好なリーク電流特性を得る。 - 特許庁

To provide a wire-bonding connecting structure in which an interface between a substrate and metal being formed thereon can obtain sufficient strength without being destroyed by ultrasonic power in connecting an electrode drawing portion with wire-bonding.例文帳に追加

電極取出部のワイヤボンディングによる接続において、基板とその上に形成された金属との界面が、超音波のパワーにより破壊されずに、十分な強度を得ることのできるワイヤボンディング接続構造を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the dangling bond of silicon is terminated with fluorine atoms by diffusing the fluorine contained in the source and drain regions 24 and 26 to the interface between the insulating film 14 and substrate 10 below the electrode layer 16 by performing heat treatment.例文帳に追加

この後、ソース領域２４及びドレイン領域２６中のフッ素を熱処理により電極層１６の下方で絶縁膜１４と基板１０との界面に拡散させてシリコンのダングリングボンドをフッ素原子で終端させる。 - 特許庁

To provide a production process of a wiring board excellent in long term reliability in which electrical connection can be sustained reliably and firmly by preventing the interface of the electrode on the wiring board and lead-free solder from exfoliating with stress.例文帳に追加

配線基板の電極と鉛フリーはんだの界面が応力により剥離するのを防止し、電気的接続を確実、強固に維持することが出来る長期信頼性に優れた配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the electric field on the interface between the ferroelectric layer 30 and the upper electrode layer 40 is disturbed and a region being applied with a strong electric field is distributed, the concentration of the electric field is prevented and the deterioration of insulation can be suppressed.例文帳に追加

これによって、強誘電体層３０と上部電極層４０との界面の電界が乱されて強い電界のかかる領域が分散するため、電界の集中を防止して絶縁性の劣化を抑制することができる。 - 特許庁

The top-emission organic electroluminescent element is provided with the metal-silicide layer between the reflection film layer used as the first electrode layer and the transparent electrode layer so that the corrosion phenomenon due to a galvanic effect generated in the interface of the reflection film layer and the transparent electrode layer is suppressed for stabilizing the contact resistance between layers to realize uniform luminance between pixels and a screen of high quality.例文帳に追加

前面発光有機電界発光素子は、第１電極層として用いられる反射膜層と透明電極層間に金属−ケイ化物層をさらに具備することによって反射膜層と透明電極層との界面で発生するガルバニ効果による腐蝕現象を抑制し、層間におけるコンタクト抵抗を安定化させるによって、各ピクセル間の均一な輝度と高品位の画面とを実現することができる。 - 特許庁

The electrochemical device has a pair of electrodes 1 and 2, a separator 3 interposed between them, and a non-aqueous electrolytic solution to exist at the interface between each electrode and the separator, wherein the electrodes have electrode layers 5 and 7 and electricity collectors 4 and 6 whereby the electrode layers are carried, and at least one of the electrodes includes a bonding agent containing bridged polyvinyl acetal resin.例文帳に追加

１対の電極１，２と、この電極１，２間に介装されるセパレータ３と、前記電極と前記セパレータの界面に存在する非水電解液とを具備する電気化学デバイスにおいて、前記各電極は、電極層及び前記電極層が担持される集電体を備え、前記電極のうち少なくとも一方は、架橋したポリビニルアセタール樹脂を含有する接着剤を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a technique of manufacturing a membrane-electrode junction 6 which is strong in interface bonding force between an electrolyte membrane 1 and a catalyst layer 4, and superior in mechanical strength as the membrane electrode junction 6 without arranging a special intermediate layer, while using a catalyst mixture containing electrolyte resin and a catalyst-carrying conductor as a catalyst layer 4.例文帳に追加

触媒層４として電解質樹脂と触媒担持導電体とを含む触媒混合物を用いながら、特別の中間層を配置することなく、電解質膜１と触媒層４との界面結合力が強く、かつ膜電極接合体６としての機械的強度も優れている膜電極接合体６を製造する技術を提供する。 - 特許庁

Selective detection of the oxalic acid concentration in the solution, especially the oxalic acid concentration in urine, is enabled by a selective trace-amount detection method of oxalic acid utilizing an electroluminescence reaction on a diamond thin film interface, a new ruthenium complex-modified BDD electrode and a selective oxalic acid detection device, by using the ruthenium complex-modified BDD electrode.例文帳に追加

ルテニウム錯体修飾ＢＤＤ電極を用いることにより、ダイヤモンド薄膜界面における電解発光反応を利用したシュウ酸の選択的微量検出法、新規なルテニウム錯体修飾ＢＤＤ電極および選択的なシュウ酸検出装置により、溶液中のシュウ酸濃度、特に尿中シュウ酸濃度の選択的検出を可能にする。 - 特許庁

The electric double-layer capacitor which has an electrode composed principally of a carbon material and an electrolytic solution forming electric double layers on the interface with the electrode uses as the electrolytic solution obtained by dissolving an electrolyte of fluorine-containing imidazolium salt such as 1,3-dimethyl-2-fluoroimidazolium tetrafluoroborate in an organic solvent of propylene carbonate, sulforane, etc.例文帳に追加

炭素材料を主成分とする電極と、該電極との界面に電気二重層を形成する電解液と、を有する電気二重層キャパシタにおいて、前記電解液として、１，３−ジメチル−２−フルオロイミダゾリウムテトラフルオロボレート等の含フッ素イミダゾリウム塩等を電解質とし、プロピレンカーボネート又はスルホラン等の有機溶媒に溶解した溶液を使用する。 - 特許庁

When the dose of radiation is monitored, off voltage of a TFT, i.e. the depletion bias of a semiconductor layer, is applied to the control electrode of the photoelectric transducer 2 for monitoring and holes stored on the interface between an insulating film and the semiconductor layer are removed simultaneously with the imaging photoelectric transducer by a storage bias being applied to the common electrode bias line.例文帳に追加

放射線量をモニタする際には、モニタ用光電変換素子２の制御電極には半導体層の空乏化バイアスであるＴＦＴのオフ電圧が印加されており、絶縁膜と半導体層の界面に蓄積されたホールは、共通電極バイアスラインに印加する蓄積バイアスにより撮像用光電変換素子と同時に除去される。 - 特許庁

To provide a fuel cell having a low loss resistance, high catalyst utilization factor, a reduced cost, and high output characteristics by forming a catalyst layer having high ionic conductivity, and high three-phase interface ratio, and suitable for suppressing crossover; to provide an electrode used for it; to provide its manufacturing method; and to provide electronic equipment having the electrode.例文帳に追加

イオン伝導率および三相界面率が高く、クロスオーバー抑制に適した触媒層を形成することにより、損失抵抗の低減および触媒利用率の向上を達成し、低コストで出力特性に優れる燃料電池、およびそれに用いる電極、その製造方法、ならびに、当該電極を備えた電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode tool for electro-chemical machining and a manufacturing method thereof, performing surface machining for a workpiece with good accuracy even if electro-chemical machining for complicated and fine surface shape, and preventing electrolyte from permeating into the interface of an insulating material and an electrode base material to maintain high accuracy over a long period of time regardless of long-time use, and facilitate manufacture.例文帳に追加

複雑で微細な表面形状の電解加工においても精度よく被加工物の表面加工を行えると共に長時間使用しても、絶縁材と電極基材との界面に電解液が浸透せず、長期に亘って高い精度を維持することが出来る上、製作が容易な電解加工用電極工具及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This thin film silicon solar battery where at least a transparent electrode film, p-type, i-type, and n-type microcrystal silicon layers, and a back electrode film are laminated on a transparent insulating substrate is provided with a silicon layer containing carbon on a p/i interface between the p-type microcrystal silicon layer and the i-type microcrystal silicon layer and the neighborhood site.例文帳に追加

透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、ｐ型、ｉ型、ｎ型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、ｐ型微結晶シリコン層とｉ型微結晶シリコン層との間のｐ／ｉ界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。 - 特許庁

By providing the membrane-electrode assembly (MEA) 31 with a catalyst 33, an electron conducting substance 34, an ion conducting substance 35 and a liquid fuel-impermeable substance layer 36 at least on one side of an electrode 32, the MEA capable of securing electron conductivity while suppressing cross leak of a fuel and of reducing interface resistance can be provided.例文帳に追加

膜−電極接合体（ＭＥＡ）３１が、電極３２の少なくとも一方に触媒３３と、電子伝導性物質３４と、イオン伝導性物質３５と、液体燃料不透過物質層３６を有することによって、燃料のクロスリークを抑制しながら、電子伝導性を確保し、界面抵抗を小さくすることのできるＭＥＡを提供できる。 - 特許庁

In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208.例文帳に追加

特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。 - 特許庁

A quaternary ammonium salt derivative 1109 serving as a ligand for an anion is immobilized to the surface of a gold electrode 1110 by using as a linker an insulative molecule forming a self-assembled monolayer, and a potential difference measuring device 1104 measures an electromotive force generated with anion binding, as an interface potential change on the surface of the gold electrode.例文帳に追加

金電極１１１０表面に自己組織化膜を形成する絶縁性分子をリンカーと結合した陰イオン用リガンドである第４級アンンモニウム塩誘導体１１０９を固定化し、陰イオンの結合に伴い生じる起電力を金電極表面の界面電位変化として電位差計測装置１１０４で測定する。 - 特許庁

The interlayer peeling of a laminated material having at least a structure containing an electroconductive composition layer 4 sandwiched between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 is carried out by applying a voltage between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 to effect the anodic oxidization of the anode-side electrode and the peeling of the laminate at the interface between the electrode and the electrically conductive composition layer 4.例文帳に追加

第１，第２の電極２，３間に導電性組成物層４が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第１，第２の電極２，３間に電圧を印加し、陽極側の電極を陽極酸化し、該電極と導電性組成物層４との間の界面で剥離する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; an interface layer formed on the semiconductor substrate and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more; a metal semiconductor compound layer formed on the interface layer and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more in approximately whole region; and a metal electrode on the metal semiconductor compound layer.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

A second interlayer insulating film 107 is divided into a second interlayer insulating film A 107a having a fast wet etching rate, and a second interlayer insulating film B 107B having a usual wet etching rate to positively utilize transversal etching at an interface with a first interlayer insulating film 106 thereby avoiding formation of a wedge-shaped step difference at the interface of the interlayer insulating films and preventing disconnection of electrode wiring.例文帳に追加

第２層間絶縁膜１０７をウエットエッチングレートの早い第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａと通常の第２層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂに分けることにより、第１層間絶縁膜１０６との界面での横方向のエッチングを積極的に利用し、層間絶縁膜界面でのくさび状の段差ができないようにし電極の断線を防ぐ。 - 特許庁

The element 10 is formed of a pair of opposing gate electrodes 2 and 7 interposing therebetween an insulating film and a thin film made of an organic substance which are laminated one upon another, and an intermediate electrode arranged on an interface between the thin film and the insulating film which are interposed between the electrodes 2.例文帳に追加

有機薄膜スイッチング素子は、互いに積層された絶縁膜及び有機物からなる薄膜を挟む一対の対向するゲート電極、並びに、ゲート電極間の薄膜及び絶縁膜間の界面に配置された中間電極からなる。 - 特許庁

To solve the problem that a contact resistance in an interface between silicon films is increased by the mutual diffusion of dopants between the p-type silicon and the n-type silicon through a high-melting point metal and a metal nitride film formed above the silicons, in a dual polymetal gate electrode.例文帳に追加

デュアルポリメタルゲート電極において、ｐ型シリコンの不純物とｎ型シリコンの不純物がその上に形成した高融点金属や金属窒化膜などを介して相互に拡散することによりシリコン膜界面の接触抵抗が増大する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a low price thin film transistor to improve an interface characteristics between a semiconductor layer and a gate insulating film in the thin film transistor including a gate electrode provided on a semiconductor layer via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体層及びゲート絶縁膜間の界面特性を改善する安価な薄膜トランジスタの製造方法を得ること。 - 特許庁

An interface is prevented from being separated and the electrical conduction is secured, by forming the structure of providing the electronic component 40 mounted on the glass base material 10, and the conductive member 20 also serving as the external electrode provided on the side opposite to the mounted component in the base material 10.例文帳に追加

ガラス製のベース材１０に搭載した電子部品４０と、ベース材１０の搭載した部品とは反対側に設けた外部電極を兼ねる導電部材２０を設ける構造にすることで、界面剥離を防止し、導通を確保する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor and its manufacturing method capable of preventing contamination of a metal electrode formed on an ohmic layer, alleviating a deterioration of step coverage caused by a lamination at a lower portion of a gate insulating layer, and improving interface property between laminations.例文帳に追加

オーミック層上に形成される金属電極の汚染を防止でき、ゲート絶縁層下部の積層物によるステップカバレージの悪化を緩和でき、積層物間の界面特性を向上できる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The total element concentration of sodium and potassium remaining on the nickel plating layer 5 and an interface between the nickel plating layer 5 and the aluminum electrode 3 of the semi-conductor apparatus thus manufactured is ≤3.20×10^14 atoms/cm^2.例文帳に追加

このように作製された半導体装置１の、ニッケルめっき層５およびニッケルめっき層５とアルミニウム電極３との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は３．２０×１０^14ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以下である。 - 特許庁

Thereby, electron-hole recombination is prevented for improving the photoelectric conversion efficiency of the solar cell; an interface characteristic between the electrode with the porous film applied thereto and the electrolyte is improved; and thereby the electron collection characteristic can be improved.例文帳に追加

これにより、太陽電池の光電変換効率を向上させ、このために電子・正孔再結合を防止し、多孔質膜が塗布された電極と電解質との界面特性を向上させ、これにより電子集電特性を向上させることができる。 - 特許庁

To prevent drying of an electrolyte membrane in a gas inlet of a gas passage upstream and prevent water clogging on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and within the diffusion layer in a gas outlet of the gas passage downstream in a membrane-electrode assembly of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の膜電極接合体において、ガス流路上流のガス入口側では電解質膜の乾燥を防止し、下流のガス出口側では触媒層と拡散層界面さらに拡散層内の水詰まりを防止する。 - 特許庁

The polymer electrolyte membrane/catalyst assembly is structured containing an electrode catalyst layer 1 directly jointed to at least one side face of a polymer electrolyte membrane 2 of a structure expressed in formula (1), with a surface roughness at an interface of the membrane/catalyst of 1 μm or less.例文帳に追加

下記化学式（１）で表される構造の高分子電解質膜２の少なくとも片面に直接に接合した電極触媒層１とを含み、膜／触媒界面の表面粗度が１μｍ以下である、高分子電解質膜／触媒接合体。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which excess components (mainly Pb) of a ferroelectric film can be removed effectively, while maintaining proper interface state between the ferroelectric film and the upper electrode, and to provide a ferroelectric capacitor structure.例文帳に追加

強誘電体膜と上部電極の界面状態を良好に保つと共に、強誘電体膜の過剰成分（主にＰｂ）を効果的に除去することのできる半導体装置の製造方法及び強誘電体キャパシタ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which boron leakage from a gate electrode can be inhibited, even when a gate insulating film is thinned, increase in interface rank density and generation of plus charge in the film can be restrained.例文帳に追加

ゲート電極からのボロン漏れを抑制することができ、ゲート絶縁膜を薄膜化した場合でも、界面順位密度の増加及び膜中のプラスチャージの生成を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供。 - 特許庁

In the disclosed thin film transistor 10, the hydrogen feeding layer 8 for diffusing hydrogen to a dangling bond on an interface between a polycrystalline silicon thin film 3 and a gate insulating film 7 in a position between the film 7 and a gate electrode 9.例文帳に追加

開示される薄膜トランジスタ１０は、ゲート絶縁膜７とゲート電極９との間の位置に、多結晶シリコン薄膜３とゲート絶縁膜７との界面のダングリングボンドに水素を拡散するための水素供給層８が形成されている。 - 特許庁

To provide an organic thin-film electronic device which comprises at least one electron transport layer or electrode interface layer between an anode and a cathode, can be driven with high efficiency, and has a long service life.例文帳に追加

本発明の課題は、陽極と陰極の間に少なくとも一層の電子輸送層あるいは電極界面層を有する有機薄膜電子デバイスであって、高効率で駆動可能であり長寿命な有機薄膜電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board with excellent long term reliability capable of preventing an interface of a pad electrode of a wiring board and a lead free solder owing to stress and of surely and strongly maintaining electrical connection over a long period of time.例文帳に追加

配線基板のパッド電極と鉛フリーはんだの界面が応力により剥離することを防止し、電気的接続を長期間にわたり確実、強固に維持することができる長期信頼性に優れた配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a counter electrode for a dye-sensitized solar cell, having ample high adhesion with a substrate that has low wettability, low interface resistance, and superior cell characteristics, and to provide a dye-sensitized solar cell using it.例文帳に追加

濡れ性の悪い基体に対し十分に高い密着性を有し、界面抵抗が低くより高い導電性を示し、優れた電池特性を示す色素増感太陽電池対極及びそれを用いた色素増感太陽電池を提供する。 - 特許庁