「electrode interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a crystal Si solar battery electrode that can reduce a resistance for having a sufficient sintering property in a general production process of a crystal Si-type solar battery, and has a small resistance of an interface with a Si substrate at low cost.例文帳に追加

安価で、結晶Ｓｉ型太陽電池の一般的な作製プロセスにおいて十分な焼結性を有するため低抵抗化が実現でき、Ｓｉ基板との間の界面抵抗が少ない結晶Ｓｉ太陽電池用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-polymer fuel cell in which electrode reaction is efficiently progressed by MEA that improves catalyst efficiency, by holding an enough three phase interface in a carbon nanohorn where a reaction gas, a catalyst, and an electrolyte are associated.例文帳に追加

カーボンナノホーン中に、反応ガス、触媒、電解質が会合する三相界面を十分に確保し、触媒効率を向上させるＭＥＡにより、電極反応を効率的に進行させることのできる固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film is formed on a gate electrode, a microcrystal semiconductor film containing a metallic element is formed on the gate insulating film, and thereby crystallinity on the interface between the gate insulating film and the microcrystal semiconductor film containing the metallic element is raised.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に金属元素を含む微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び金属元素を含む微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a polymer electrolyte membrane capable of assuring adhesion of a polymer electrolyte membrane and an electrode interface, and assuring proton conductivity of the polymer electrolyte membrane, as well as a polymer electrolyte membrane made by using above.例文帳に追加

高分子電解質膜と電極界面の密着性の確保、および、高分子電解質膜のプロトン伝導性確保を可能とする高分子電解質膜の製造方法、およびそれを用いて成る高分子電解質膜を提供すること。 - 特許庁

On the electrode for fuel cell, an arithmetic mean roughness Ra of an interface 33 of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 is made small by filling carbon grains with a small diameter on a conventional gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明の燃料電池用電極は、従来のガス拡散層上に粒子径の小さいカーボン粒子３２３を充填するなどにより、触媒層３１とガス拡散層３２との界面３３の算術平均粗さＲａを小さくする。 - 特許庁

The solid polymer fuel cell includes a membrane electrode assembly in which electrodes including the catalyst layer are bonded at both faces of the electrolyte membrane, and Pd/Pt particles containing Pd and Pt formed at the interface of the electrolyte membrane and the catalyst layer.例文帳に追加

電解質膜の両面に触媒層を含む電極が接合された膜電極接合体と、電解質膜と触媒層との界面に形成された、ＰｄとＰｔとを含むＰｄ／Ｐｔ粒子とを備えた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

The hydrogen forms an atomic hydrogen by a catalyst action of a noble metal, such as Pt and Pd, of the gate electrode and performs annealing, and the interface between the semiconductor compound 11 and the gate dielectric 19 is passivated and further defects are repaired.例文帳に追加

水素はゲート電極のＰｔやＰｄのような貴金属による触媒作用により原子状水素を形成しアニールを行い半導体化合物１１とゲート誘電体１９との界面を界面をパッシベートし、更には欠陥を回復する。 - 特許庁

In an embodiment, the composition ratio (x) of Ur of Sr(Ru_xIr_y)O_3 is made larger than that of Ir, so the upper electrode 13 can be formed while maintaining consistency of an interface on the ferroelectric film 12 made of PZT.例文帳に追加

また、本実施形態では、Ｓｒ（Ｒｕ_ｘＩｒ_ｙ）Ｏ_３のＲｕの組成比ｘをＩｒの組成比よりも大きくするため、ＰＺＴからなる強誘電体膜１２上に界面の整合性を保って上部電極１３を形成できる。 - 特許庁

In the case that light is transmitted by the liquid crystal layer 30, the light incident from the liquid crystal layer 30 bypasses the pixel electrode 11 and the first substrate 10 and is absorbed in the light absorption layer 12, and reflection of the incident light on the interface is reduced.例文帳に追加

液晶層３０により光が透過される場合には、液晶層３０からの入射光が画素電極１１および第１基板１０を介さずに光吸収層１２に吸収され、界面における入射光の反射が低減される。 - 特許庁

As a result, formation of a pyrochlore phase near the interface between the electrolyte layer 2 and the air electrode 3 is restrained, so that it is easy to partially remove the pyrochlore phase by electricity conduction, and consequently, it becomes possible to shorten the conducting initialization time.例文帳に追加

このため、電解質層２と空気極３との界面付近にパイロクロア相の形成が抑制されるので、パイロクロア相を通電により部分的に取り除くことが容易となり、結果として通電初期化時間を短縮することが可能となる。 - 特許庁

In a microcrack 32 portion, since etching is promoted by the intrusion of the etchant into the interface between the lower electrode 14 and the piezoelectric body 16, wet etching which makes a chemical circulate in the microcrack 32 is more effective than Dry etching.例文帳に追加

マイクロクラック３２部は下部電極１４と圧電体１６との界面にエッチャントが侵入することでエッチングが促進されるので、Ｄｒｙエッチングよりもマイクロクラック３２内部に薬液が回りこむＷｅｔエッチングのほうがより効果が大きい。 - 特許庁

To provide a surface mounting method of an electronic component capable of mounting the electronic component with high connection reliability since bonding strength on a connection interface with an electrode is high, and disconnection and destruction caused by a falling impact hardly occur.例文帳に追加

電極との接続界面での接合強度が高く、落下衝撃による断線や破壊が発生しにくいことから、接続信頼性の高い電子部品の実装を行うことが可能な電子部品の表面実装方法を提供する。 - 特許庁

To make a film thinner by preventing deviation of a composition ratio in the vicinity of an interface with a noble metal film from a stoichiometric ratio, when a metal oxide thin film is formed by MOCVD, in which a raw material is supplied onto a noble metal electrode by a liquid-phase supplying method.例文帳に追加

貴金属電極上に液相供給法により原料を供給したＭＯＣＶＤ法で金属酸化物薄膜を形成する場合、貴金属膜との界面近傍における組成比の化学量論比からのずれを抑制し、薄膜化を図ること。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device whose capacitance of a capacitor is large, which can suppress the occurrence of defects in the interface of a lower metal electrode and a capacitance insulating film and in the film of the capacitance insulating film in the process to form the capacitance insulating film.例文帳に追加

容量絶縁膜を形成する過程で、下部金属電極と容量絶縁膜との界面および容量絶縁膜の膜中における欠陥が生じるのを抑えることができ、キャパシタ容量の大きな半導体装置を製造することを目的とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method and the like of a photoelectric conversion electrode capable of forming a pattern of a metal oxide layer in a simple manufacturing process, increasing adhesion of a sealing interface in cell manufacturing, and enhancing mechanical strength and reliability in long use.例文帳に追加

簡易な製造プロセスにて金属酸化物層のパターン形成が可能であり、セル作製時における封止界面の密着性を高め、機械強度及び長期使用時の信頼性を向上させ得る、光電変換電極の製造方法等を提供すること。 - 特許庁

By the formation of high resistance layers 13, 23 at the interface of connection conductors 11, 21 with terminal electrodes 10, 20, a parallel equivalent circuit is formed by a resistance element R1 produced by each internal electrode and a resistance element R2 produced by the high resistance layers 13, 23.例文帳に追加

接続導体１１，２１と端子電極１０，２０との界面に高抵抗層１３，２３が形成されることによって、各内部電極による抵抗成分Ｒ１と、高抵抗層１３，２３による抵抗成分Ｒ２によって、並列等価回路が形成されている。 - 特許庁

To prevent electric corrosion even if a highly-conductive component is contained in fuel and, in addition, fuel has permeated into housings 6, 7 through an interface between the conductive core wire 88 of a positive-electrode electric cable 18 and an insulating coating by capillarity.例文帳に追加

高導電性成分が燃料中に含まれており、しかも毛細管現象で燃料が正極電線１８の導電芯線８８と絶縁被膜との界面を通ってハウジング６、７の内部に浸透した場合であっても、電食を防止することを課題とする。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly excellent in joining property on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and high in durability when an electrolyte membrane in which a contraction percentage when dried from a swelling state to a dry state is 5% or more is used.例文帳に追加

膨潤状態から乾燥状態まで乾燥したときの収縮率が５％以上である電解質膜を用いたときに、触媒層と拡散層との界面接合性が良好で、優れた耐久性を有する膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

To prevent an interconnetion material from intruding into the contact interface of a semiconductor layer and an insulation film by preventing open circuit of a barrier metal underlying the electrode of a bipolar transistor or an MIS type capacitive element.例文帳に追加

バイポーラトランジスタやＭＩＳ型容量素子における電極の下層に設けられたバリアメタルの断線を防止し、半導体層と絶縁膜との接触界面への配線材料の侵入を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thickness of a silicon nitride film 6b and a silicon oxide film 6c is set so that the number of electrons accumulated in the interface between a silicon oxide film 6a and the silicon nitride film 6b is larger than that of holes accumulated in the silicon nitride film 6b by biasing the gate electrode 7.例文帳に追加

ゲート電極７へのバイアスにより、シリコン酸化膜６ａとシリコン窒化膜６ｂとの界面に蓄積される電子が、シリコン窒化膜６ｂ中に蓄積されるホールよりも多くなるように、シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜６ｃの膜厚を設定する。 - 特許庁

To obtain a membrane electrode assembly for a fuel cell in which peeling-off of a catalyst, breakage of an electrolyte film, peeling-off of the interface between the electrolyte membrane and a catalyst layer or the like do not occur even if power generation and stoppage of the fuel cell are repeated, and which has a stable power generating characteristic.例文帳に追加

燃料電池の発電と停止を繰り返しても、触媒の剥離、電解質膜の破損、電解質膜と触媒層との界面の剥がれなどが発生せず、安定した発電特性をもつ燃料電池用の膜電極接合体が得られる。 - 特許庁

To efficiently recover a large amount of U and TRU without increasing an amount of liquid metal used as an anode by steadily maintaining the interface of a liquid metal electrode of a molten salt electrolytic refiner to an original composition.例文帳に追加

溶融塩電解精製装置の液体金属電極の界面を本来の液体金属陰極組成に定常的に維持し、陰極として使用する液体金属量を増大させることなく効率的に大量のＵ及びＴＲＵを回収することを目的とする。 - 特許庁

A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which uses a carbon-based material for a variable resistance film and can be stably operated by stabilizing characteristics at an interface between a carbon film and an electrode and thus stabilizing a variable resistance characteristic, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

炭素系材料を抵抗変化膜に用いた不揮発性メモリ素子において、炭素膜と電極界面の特性を安定化させ、ひいては抵抗変化特性を安定して動作させうる不揮発性メモリ素子とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

By means of thickness adjustment of the fuel electrode 12, the rate of hydrogen gas permeation to the solid electrolyte interface is reduced in the region having a higher hydrogen concentration so as to suppress the battery reaction, and in the region having a low hydrogen gas concentration, the rate of permeation of hydrogen gas is heightened to promote the battery reaction.例文帳に追加

燃料極の厚み調整により、水素濃度の高い領域では固体電解質界面への水素ガス透過率を低減し、電池反応の抑制を図り、水素ガス濃度の低い領域では水素ガスの透過率を上げ、電池反応の促進を図る。 - 特許庁

When a bias voltage is applied to the electrode layer 105 in the positive direction, a band on an interface between the p-type semiconductor layer 103 and the insulating layer 104 is distorted, so as to make the bottom of the band equal to or lower than Fermi energy on the p-type semiconductor layer 103 side and to form a population inversion layer.例文帳に追加

電極層１０５に正の方向にバイアス電圧を印加すると、ｐ型半導体層１０３と絶縁層１０４との界面のバンドが歪み、ｐ型半導体層１０３の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which prevents characteristics of a ferroelectric film from being deteriorated when hydrogen enters the ferroelectric film through an interface between a hydrogen barrier film and an upper electrode, e.g., upon filling of a plug conductor into a contact hole, and also a method of manufacturing the ferroelectric memory device.例文帳に追加

コンタクトホールへのプラグ導電部の埋設時などに、水素バリア膜と上部電極との界面を通って水素が侵入し、強誘電体膜が特性劣化してしまうのを防止した、強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the deterioration of the characteristics of the PMOS transistor is prevented, because not only the activating rate of the p-type impurity injected into the gate electrode 7P of the PMOS transistor is improved by the Ge, but also the formation of a depletion layer in the interface of a gate insulating film is suppressed.例文帳に追加

従って、Ｇｅの存在によりＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善されるのみならず、ゲート絶縁膜の界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

Since the heat treatment is performed after the major surface of the operating region 18 in the epitaxial layer 12 is covered with the Schottky electrode 14, the major surface of the epitaxial layer can be kept in a clean state, resulting in a Schottky interface having high characteristics.例文帳に追加

本発明では、エピタキシャル層１２のうち動作領域１８の主面上がショットキー電極１４により覆われた後に熱処理を行なうので、エピタキシャル層の主面上を清浄な状態で保つことができ、特性の高いショットキー界面を得ることができる。 - 特許庁

Thereby, cobalt or nickel being a radioactive component is reduced, a contact property with the molten metal 9 to be extracted is improved, iron or chromium is separated in a molten metal interface 12, and cobalt or nickel is collected in the molten metal 9 or on the negative electrode 5.例文帳に追加

これにより、放射能成分であるコバルトやニッケルを還元し、抽出することができる溶融金属９との接触性を高め、溶融金属界面12で鉄やクロムを分離し、溶融金属９中または陰極５においてコバルトやニッケルを回収する。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte membrane for a fuel cell in which adhesive force of a membrane-electrode interface is improved by introducing a fluorine-based polymer into a sulfonated polysulfone ketone copolymer as especially a hydrogen ion-conductive substance.例文帳に追加

本発明は高分子電解質膜に係り、特に水素イオン伝導性物質としてスルホン化ポリスルホンケトン共重合体にフッ素系高分子を導入し、膜・電極界面の接着力を向上させる燃料電池用高分子電解質膜を提供する。 - 特許庁

The electrode for the solid polymer fuel cell has high dispersiveness of the catalyst paste by dispersing the electrolyte solution in which the electrolyte is dissolved, and the catalyst layer having sufficient three-phase interface amount.例文帳に追加

本発明の固体高分子型燃料電池用電極は、電解質が溶解した電解質溶液が分散され、電解質粒子が分散されることで触媒ペースト中の分散性が向上しており、十分な三相界面量を有する触媒層をもつ。 - 特許庁

The halogen elements are introduced so that Hf atoms or Si atoms on the surface of the HfSiON gate insulating film 5 are terminated, and an electrically satisfactory interface is formed between the HfSiON gate insulating film 5 and the PolySi gate electrode 6.例文帳に追加

ハロゲン元素が導入されることで、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５表面のＨｆ原子やＳｉ原子は終端され、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５とＰｏｌｙＳｉゲート電極６との間に電気的に良好な界面が形成されるようになる。 - 特許庁

In where a surface crossing the thickness direction of the p-type silicon substrate 1 is considered as a virtual surface, each strong field drift layer 6 has inclined drift parts 6a, 6b, respectively having an interface between the surface electrode 7 and inclined at different angles of inclination in relation to the virtual surface.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層６が、仮想表面に対して表面電極７との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部６ａ，６ｂを有している。 - 特許庁

In Fig. 1 (A), the refractive index n_2 of a variable refractive index substance 5 becomes smaller than the refractive index n_1 of a light guide member and incident light is totally reflected by the interface between the transparent electrode 10 and variable refractive index substance 5 to exit to the right of the optical path switching element.例文帳に追加

図１（Ａ）では、屈折率可変物質５の屈折率ｎ_2が導光部材の屈折率ｎ_1よりも小さくなり、入射光は透明電極１０と屈折率可変物質５との界面で全反射して光路切替素子の右方へ出射する。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte capable of attaining both the separator strength and reduction in the interface resistance, and properly reduces the interface resistance between the solid electrolyte and an electrode layer, despite superior separator strength of the solid electrolyte, and to provide a lithium ion secondary battery having superior output characteristics (retention rate) and durability (number of charging and discharging cycles), using the solid electrolyte.例文帳に追加

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、セパレーター強度と界面抵抗の低減を両立して、個体電解質のセパレーター強度に優れるにもかかわらず、該個体電解質と電極層との界面抵抗の低減に優れた固体電解質、および該固体電解質を用いた出力特性（保持率）、耐久性（充放電サイクル数）に優れたリチウムイオン二次電池を提供することにある。 - 特許庁

Since the second piezoelectric layer 72 contains the same lead zirconate titanate as a third piezoelectric layer 73 formed on the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 formed on the lower electrode 60, a composition unstable phase can be made hard to be generated in the vicinity of an interface between the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 and in the vicinity of an interface between the second piezoelectric layer 72 and the third piezoelectric layer 73.例文帳に追加

第２圧電体層７２が、下電極６０に形成された第１圧電体層７１および第２圧電体層７２上に形成される第３圧電体層７３と同じチタン酸ジルコン酸鉛なので、第１圧電体層７１と第２圧電体層７２との界面付近および第２圧電体層７２と第３圧電体層７３との界面付近で組成不安定相を生じにくくできる。 - 特許庁

In a method for manufacturing a photoelectric conversion element 10 including laminated layers of a back electrode 12, a photoelectric conversion layer 13, an interface layer 14 and a translucent conductive layer 16, a first zinc oxide film 15 is deposited on the interface layer 14 using an organic metal chemical vapor deposition method, and a second zinc oxide film is deposited on the first zinc oxide film 15 using a sputtering method as the translucent conductive layer 16.例文帳に追加

裏面電極１２と光電変換層１３と界面層１４と透光性導電層１６とが積層されてなる光電変換素子１０の製造方法であって、界面層１４上に、有機金属化学気相蒸着法を用いて第１の酸化亜鉛膜１５を成膜し、第１の酸化亜鉛膜１５上に、スパッタ法を用いて第２の酸化亜鉛膜を透光性導電層１６として成膜する。 - 特許庁

In hotpressing, a presser 10 is provided with a water content supplying mechanism 11, otherwise a wet hydrated object is arranged outside a laminate 1 in which a hydrocarbon based solid polyelectrolyte film 2 is pinched by a gas diffusion electrode 3, so that a water content is refilled to the joint interface of electrolyte film 2 through the gas diffusion electrode 3.例文帳に追加

ホットプレスに際して、プレス装置１０に水分供給機構１１を設けることによって、あるいは炭化水素系固体高分子電解質膜２をガス拡散電極３で挟持して成る積層体１のさらに外側に湿潤状態の含水体を配置することによって、ガス拡散電極３を介して電解質膜２の接合界面に水分を補給する。 - 特許庁

Specifically, a particle structure of the metal forming the Schottky electrode 4 is not made to be a columnar structure but is made to be a granular structure, and oxygen is made to be hardly taken in the interface through interfaces between the particles as compared with the columnar structure so that SiO_X is not formed, thereby the lattice matching between the metal forming the Schottky electrode 4 and the SiC is achieved.例文帳に追加

具体的には、ショットキー電極４を構成する金属の粒子構造が柱状構造ではなく粒状構造となるようにし、柱状構造となっている場合と比較して、粒子間の境界を通じて界面に酸素が取り込まれ難くなるようにすることで、ＳｉＯ_Xが形成されないようにしてショットキー電極４を構成する金属をＳｉＣと格子整合させる。 - 特許庁

A semiconductor device (TFT) includes oxidized low-ohmic resistance Si films 8 disposed on a Si semiconductor film 7 so as to form a channel 11, and a source electrode 9 and a drain electrode 10 which are directly connected to the low-ohmic resistance Si films 8, and comprise an aluminum alloy film containing at least Ni atoms, N atoms and O atoms in the vicinity of the connection interface.例文帳に追加

半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。 - 特許庁

An ohmic electrode structure has an SiC substrate 1, p-type SiC area 2 formed on the surface of the substrate 1, thermally reacted layer 8 formed on the surface of the area 2, thermally oxidized film 3 covering the interface between the substrate 1 and area 2, upper insulating film 4 arranged on the surface of the oxidized film 3, and electrode film 7 arranged on the reacted layer 8.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１、ＳｉＣ基板１の表面に形成されたｐ型ＳｉＣ領域２、このｐ型ＳｉＣ領域２の表面に形成された加熱反応層８、ＳｉＣ基板１とｐ型ＳｉＣ領域２との界面を覆う熱酸化膜３、熱酸化膜３の表面に配置された上部絶縁膜４、加熱反応層８の上部に配置された電極膜７とを有する。 - 特許庁

To solve the problem of peel off between a crystal substrate and an Ni film, formed thereon and on an interface between the Ag film and Ni film, when a pad electrode formed by sequentially depositing the Ni film, Ag film, Ni film and Ag film on the surface of a crystal resonator and an outside connection electrode formed at the inner bottom face of the package of the oscillation element are jointed via an Au bump.例文帳に追加

水晶振動子表面にＮｉ膜、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ａｇ膜の順に蒸着されて形成したパッド電極と、この振動子のパッケージ内底面に形成された外部接続電極とをＡｕバンプを介して接続すると、加熱、加圧、超音波印加によって、水晶基板とその上に蒸着されたＮｉ膜、Ａｇ膜とＮｉ膜との界面において剥離が生じる。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a semiconductor substrate having protrusions and recesses formed on the surface, and a metal electrode formed on the protrusions and recesses which are formed on the surface of the semiconductor substrate, a glass layer existing at least partially on the interface of the surface of the semiconductor substrate and the metal electrode, and metal particles existing in the glass layer in contact with the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 - 特許庁

The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加

電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁