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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > element shapeに関連した英語例文

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element shapeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3560



例文

This coiled carbon fiber composite having the ferromagnetism is obtained by arranging and forming carbon fibers into a micro coiled shape and having a coating layer of a ferromagnetic substance comprising (a) at least one kind selected from nickel, cobalt, chromium, iron, manganese and a rare earth element, (2) a compound thereof or (3) an alloy and having the ferromagnetism in a matrix so as to face a prescribed direction.例文帳に追加

強磁性を有するコイル状炭素繊維複合体は、炭素繊維によりミクロなコイル状に形成され、その外周面にニッケル、コバルト、クロム、鉄、マンガン及び希土類元素から選ばれる少なくとも一種(1)、それらの化合物(2)又は合金(3)よりなる強磁性体の被覆層を形成した強磁性を有するコイル状炭素繊維が一定方向を向くように母材中に配列して形成される。 - 特許庁

The curable sheet composition capable of following a metal mold shape by heating and pressurizing, of polymerizing to cure by means of photoirradiation, and of fixing an optical element molding pattern, is characterized by containing 50-94% of a polycarbonate diol-modified urethane acrylate oligomer, 5-40% of a (meth)acrylate having in the molecule at least one carboxyl group and 0.5-5% of a photopolymerization initiator.例文帳に追加

加熱加圧により金型形状に追従し、光照射により重合硬化し、光学素子成型パターンを固定化することが出来る硬化性シート組成物であって、ポリカーボネートジオール変性ウレタンアクリレートオリゴマー50乃至94%と分子内に少なくとも1個のカルボキシル基を有する(メタ)アクリレート5乃至40%と光重合開始剤0.5乃至5%を含むことを特徴とする硬化性シート組成物。 - 特許庁

This on-chip detector using a resistor shunt inherent Josephson junction device is equipped with a chip 31; other element 32 formed on this chip 31 having an inherent Josephson junction of a single crystal, long-shape copper oxide high-temperature superconductor; detector 33 composed of a Josephson junction device having a shunt resistor material on the side of the projection of the copper oxide high-temperature superconductor to detect magnetic flux flow oscillation.例文帳に追加

抵抗シャント固有ジョセフソン接合装置を用いたオンチップ検出器において、チップ31と、このチップ31上に形成され、単結晶の長尺状の銅酸化物高温超電導体の固有ジョセフソン接合を有する他の素子32と、磁束フロー振動の検出を行うために、銅酸化物高温超電導体の突起部の側部にシャント抵抗材を有するジョセフソン接合装置からなる検出器33を具備する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first wiring layer 10; a second wiring layer 20 provided to include overlapping parts 15, 25 planarly overlapping the first wiring layer 10 in an upper layer than the first wiring layer 10; and the fuse element 30 formed of polysilicon and formed in a shape of a contact hole electrically connecting the first wiring layer 10 and the second wiring layer 20 to the overlapping parts 15, 25.例文帳に追加

第1の配線層10と、 該第1の配線層10よりも上層に、該第1の配線層10と平面的に重なり合う重複部分15、25を含むように設けられた第2の配線層20と、 ポリシリコンで構成され、前記重複部分15、25に、前記第1の配線層10と前記第2の配線層20とを電気的に接続するコンタクトホール状に形成されたヒューズ素子30と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

In the color filter substrate having a shading layer region forming a shading layer on a transparent substrate, a picture element region forming the coloring layer of a plurality of colors in an opening part divided with the shading layer region, and the spacer, the spacer laminates the coloring layer of the plurality of the colors in a prescribed shape and forms in the shading layer region between picture elements comprising the uppermost coloring layer of the spacer.例文帳に追加

透明基板上に、遮光層が形成された遮光層領域と、遮光層領域により区画された開口部に複数色の着色層が形成された絵素領域と、スペーサーと、を備えたカラーフィルタ基板において、 スペーサーは、所定の形状に複数色の着色層が積層されてなり、 スペーサーの最上層の着色層からなる絵素間の遮光層領域に形成されたことを特徴とするカラーフィルタ基板。 - 特許庁


例文

The light emitting element is characterized by having: a semiconductor laminated material having a light-emitting layer; a transparent electrode having a first plane with a protruded area in a shape of island or net and a second plane in ohmic contact with the semiconductor laminated material; and a pad electrode provided at least in any one of the upper surface of the protruded area and the bottom surface in the circumference of the protruded area on the first plane.例文帳に追加

発光層を有する半導体積層体と、島状または網状の凸部が設けられた第1の面と、前記半導体積層体との間でオーミックコンタクトを可能とする第2の面と、を有する透明電極と、前記第1の面における前記凸部の上面および前記凸部の周囲の底面のうちの、少なくともいずれかの上に設けられたパッド電極と、を備えたことを特徴とする発光素子が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent deterioration of element characteristic and reliability which are to be caused by phenomena that a trench filling insulating material which is protruded in a protruding shape is largely hollowed from its side surface, and a trench top corner part of a semiconductor substrate is exposed, in a semiconductor device of a trench insulating type and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、トレンチ絶縁型の半導体装置及びその製造方法において、トレンチ絶縁型の半導体装置及びその製造方法において、凸形状に突出しているトレンチ充填絶縁物がその側面から大きくえぐられて半導体基板のトレンチトップコーナー部が露出することに起因する素子特性や信頼性の劣化を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

At least one of a plurality of polarizing plates provided at least on the light incidence side or the light outgoing side of an image display element comprises a plurality of polarizing glass in which metal particles having shape anisotropy are dispersed, and the respective predetermined regions of the plurality of polarizing glass are formed overlapping in the transmission axis direction of light or the absorption axis direction of light of the polarizing glass.例文帳に追加

前記映像表示素子の光入射側及び光出射側の少なくとも何れかに設けられた複数個の偏光板のうち、少なくとも何れかの偏光板は、形状異方性を有する金属粒子が分散された複数個の偏光ガラスから成り、偏光ガラスの光の透過軸方向又は光の吸収軸方向に合わせて、複数個の偏光ガラスの各々の所定領域を重ね合わせて形成される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the metal component to be formed in a three-dimensional shape by cutting a material and/or deforming work for the material, precision work for one or more high-grade component parts is applied by electrochemical work using a nozzle-shaped cathode for releasing electrolyte into a working region, and the cathode or the metal component is freely moved in a space by a manipulator element.例文帳に追加

材料の切削により、および/または材料の変形加工により形成された3次元形状を有する金属構成部品の製造方法であって、1つまたは複数の高級構成部品部分の精密加工が、電解液を作業領域に放出するノズル状カソードを用いた電気化学的加工によって行われ、前記カソードまたは金属構成部品が、マニピュレータエレメントによって空間内を自由に移動される製造方法。 - 特許庁

例文

The manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element includes a first process for forming a dielectric film on a SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor in a pattern shape and a second process for causing the group III nitride semiconductor layer to selectively grow on the SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor by an organic metal chemical vapor growth method, after a reactor is substituted for hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明のIII族窒化物系半化合物半導体発光素子の製造方法は、SiC基板上またはIII族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する第1工程と、リアクターを水素雰囲気に置換した後、有機金属化学的気相成長法により上記SiC基板または上記III族窒化物系化合物半導体の上にIII族窒化物系半導体層を選択成長する第2工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁




  
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