「f electrons」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By thus making the peak in the low temperature region relatively smaller than the peak in the high temperature region, an F center of added Tb electrons becomes stable, and energy transition is hard to occur from the F center to the ground state with the passage of time.例文帳に追加

このように、低温領域のピークを高温領域のピークよりも相対的に小さくすると、添加したＴｂ電子のＦセンタが安定したものとなり、時間経過に伴うＦセンタからの基底状態へのエネルギー遷移が生じにくくなる。 - 特許庁

An X-ray generator 1 generates X-rays from an X-ray focus F, which is a region, in which electrons emitted from a filament 11 collides with a rotating anticathode 4.例文帳に追加

フィラメント１１から出た電子が回転対陰極４に衝突する領域であるＸ線焦点ＦからＸ線を発生するＸ線発生装置１である。 - 特許庁

A voltage that is negative to an anode 8 is applied to the intermediate cylindrical electrode 7 by an acceleration power source 10 to jet out electrons in the plasma F from the electron beam passage hole 11 and accelerate them toward the anode 6.例文帳に追加

加速電源１０により中間円筒電極７に陽極８に対し負の電圧を印加し、プラズマ中の電子を電子線通過口１１から噴射させ陽極に向かって加速させる。 - 特許庁

When a lamp current increases as the supply voltage to the discharge lamp La increases, and when enough electrons are emitted from a filament F only with the lamp current, a switching element Q3 is turned off.例文帳に追加

放電ランプＬａへの供給電力を増加させることに伴ってランプ電流は増加し、ランプ電流のみでフィラメントＦから十分な電子が放出されるようになった場合にはスイッチング素子Ｑ３をオフさせる。 - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁

In the spin device 1, since a sub-tunnel barrier wall F blocks the flow of electrons flowing from a non-magnetic metal layer D to a ferroelectric layer E and having a specific polarized spin, spin magnetic moments of electrons of the specific polarized spin to be absorbed in a free layer C increases, the magnetization direction of the free layer C by spin implantation at a low current can be controlled.例文帳に追加

スピンデバイス１においては、副トンネル障壁Ｆが、非磁性金属層Ｄから強磁性層Ｅに流れる特定の偏極スピンを有する電子の流れを阻止するため、フリー層Ｃ内で吸収される特定の偏極スピンの電子のスピン磁気モーメントが増加し、低電流でのスピン注入によるフリー層Ｃの磁化の向きの制御を行うことが可能となる。 - 特許庁

In the formula 1, α=(B×F×E)/(W×V), B: electrode projection area (cm^2), F: Faraday constant (=96484C/mol), E: number of electrons generated for active material 1 mol, W: mol number of the product generated for active material 1 mol, and V: ideal gas mol volume (=22414 ml/mol).例文帳に追加

１≦αＸ／Ｉ≦１０ ・・・（式１）（式１において、α＝（Ｂ×Ｆ×Ｅ）／（Ｗ×Ｖ）である。）Ｂ：電極投影面積（ｃｍ^２）、Ｆ：ファラデー定数（＝９６４８４Ｃ／ｍｏｌ）、Ｅ：活物質１molに対して発生する電子数、Ｗ：活物質１molに対して生成する生成物のmol数、Ｖ：理想気体モル体積（＝２２４１４ｍｌ／ｍｏｌ） - 特許庁

The solid electrolyte film 16 is set up to be in a wet condition by properly moving generated water generated at an oxidizing gas passage F side to a fuel gas passage T side while a pressure difference between the pressure of oxidizing gas and the pressure of fuel gas is enlarged, and movements of electrons from a cathode side to an anode side in power generation are properly performed.例文帳に追加

酸化ガスの圧力と燃料ガスの圧力との圧力差を大きくして、酸化ガス流路Ｆ側に生成された生成水を燃料ガス流路Ｔ側に適正に移動させて、固体電解質膜１６を湿潤状態とし、発電時の電子のカソード側からアノード側への移動を適正に行う。 - 特許庁

A protective layer 242 comprising at least one of magnesium oxide, aluminum oxide, and spinel is produced by a method selected from among a plasma CVD method, a sputtering method, and an ion plating method while applying a negative bias voltage to a front panel 20, and in a crystal structure of the protective layer 242, oxygen defectives (F-centers) where two free electrons are trapped are formed.例文帳に追加

負のバイアス電圧をフロントパネル２０に印加しつつ、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち１種類以上よりなる保護層２４２を作製し、当該保護層２４２の結晶構造中に２個の自由電子がトラップされた酸素欠陥（Ｆ中心）を形成する。 - 特許庁

The operation of the memory array is thereby programmed by a method for injecting holes generated by the avalanche phenomenon into multi-dielectric layers of respective memory cells and performed by a method for injecting electrons existing in channels through F-N tunneling into the multi-dielectric layers of respective cells at the time of erasing.例文帳に追加

従って、メモリアレイの動作は、前記アバランシュ現象により生成されたホールを各メモリセルの多重誘電層に注入させる方式でプログラムし、イレース時にはＦ−Ｎトンネルリングによりチャンネルにある電子を前記各セルの多重誘電層に注入させる方式で行うことになる。 - 特許庁