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or a Taとは 意味・読み方・使い方

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Wiktionary英語版での「or a Ta」の意味

orata

名詞

ōrāta f (genitive ōrātae); first declension

  1. sea bream

語形変化

First-declension noun.

Case Singular Plural
Nominative ōrāta ōrātae
Genitive ōrātae ōrātārum
Dative ōrātae ōrātīs
Accusative ōrātam ōrātās
Ablative ōrātā ōrātīs
Vocative ōrāta ōrātae

参照

  • orata in Gaffiot, Félix (1934) Dictionnaire illustré latin-français, Hachette

Participle

ōrātā

  1. ablative feminine singular of ōrātus

参照


「or a Ta」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 397



例文

Ta_2O_5 and Eu_2O_3 are mixed so that the ratio of the number of the atoms, Ta:Eu, is 0.96:0.04 to 0.70:0.30 and the mixture is heated at a temperature of 1,200°C or higher and not higher than the melting point of the Ta oxide.例文帳に追加

Ta_2O_5とEu_2O_3を、Ta:Euの原子数比が0.96:0.04〜0.70:0.30となるように混合し、その混合物を1200℃以上、Ta酸化物の溶融温度以下で加熱する。 - 特許庁

Or, by arranging a Ta pipe 13 in an inner side of the Nb or Nb-Ta alloy pipe, a (Mg+B)/Ta/Nb/Cu (or a Cu alloy) or (Mg+B)/Ta/Nb-Ta/Cu (or the Cu alloy) structure is provided.例文帳に追加

あるいは、NbまたはNb−Ta合金パイプの内側にTaパイプ13を配置することにより、(Mg+B)/Ta/Nb/Cu(またはCu合金)、あるいは(Mg+B)/Ta/Nb−Ta/Cu(またはCu合金)構造とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a solder diffusion barrier layer of Ta/TaN or Ta/TaN/Ta on the Ni protective layer of the circuit wiring board.例文帳に追加

この半導体装置は、回路配線基板のNi保護層上にTa/TaNまたはTa/TaN/Taのはんだ拡散バリア層を持つ。 - 特許庁

The diffusion preventive layer 3 is formed in a structure using tantalum (Ta) or niobium (Nb).例文帳に追加

上記拡散防止層3として、タンタル(Ta)またはニオブ(Nb)を用いた構造とする。 - 特許庁

In a dry etching apparatus equipped with a chamber 10 that etches the processing object, shielding plates 30 consisting of Ta, Ti or an alloy containing Ta or Ti are arranged in the chamber.例文帳に追加

被処理物をエッチングするチャンバー10を備えたドライエッチング装置において、前記チャンバー内に、Ta、あるいはTi、あるいはTaまたはTiを含む合金からなる遮蔽板30が配置されている。 - 特許庁

An error detection and correction circuit detects whether a bit D0(ta) or a bit D1(ta) includes an error by comparing bits D0(ta), D0(tb) and D1(ta), and D1(tb), and corrects a detected error.例文帳に追加

誤り検出訂正回路が、ビットD0(ta)、D0(tb)及びD1(ta)、D1(tb)の比較により、ビットD0(ta)又はビットD1(ta)が誤りを含むか否かを検出し、かつ、検出された誤りを訂正する。 - 特許庁

例文

A process selecting the pump to be operated at next time to make accumulated operation time in the predetermined staircase shape is performed a period Tb which is equal to or shorter than a period Ta in the fixed period Ta.例文帳に追加

積算運転時間が予め設定された分布となるように次回運転するポンプを選択する処理は、一定期間Ta内においてTa以下の期間であるTbのみ行う。 - 特許庁

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「or a Ta」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 397



例文

In addition, as necessary, the composition of the overlaying metal 14 is made to contain one or more kinds among Cr, Ta and W at a rate of, in wt%, ≤6% Cr, ≤10% Ta, and ≤5% W.例文帳に追加

また必要に応じて肉盛金属14の組成を、Cr,Ta,Wの1種若しくは2種以上を重量%でCr:≦6%,Ta:≦10%,W:≦5%で含有する組成となす。 - 特許庁

A catalyst is constituted of two or more metals and/or metal compounds selected from Ru, Ti, Mo, W, V, Ir, Nb, W, Cu, Ni, La, Ca, Cu, Zr, and Ta.例文帳に追加

触媒を、Ru、Ti、Mo、W、V、Ir、Nb、W、Cu、Ni 、La、Ca、Cu、 Zr及びTaから選ばれる2種以上の金属及び/又は金属化合物から構成する。 - 特許庁

The second barrier (126) is a barrier of low conductivity such as Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoN or TiN so that the second barrier remains in the bottom of the via or contact.例文帳に追加

第2のバリア(126)はビアまたはコンタクトの底に残っているので、第2のバリア(126)は、Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoNまたはTiNのような低い抵抗率のバリアを有する。 - 特許庁

It is preferable that A is Ni and/or Zn, and D is Ta.例文帳に追加

AはNi及び/又はZn、更に、Dは、Taが好ましい。 - 特許庁

The composition is obtained by adding an alloy of Zr_100-YAl_Y (a Y value of 10 to 70), Ti, Ta or Fe to a mercury compound of Ti_100-XHg_X (a X value of 10 to 60).例文帳に追加

組成物はTi_100-XHg_X(X値は10以上60以下)の水銀化合物にZr_100-YAl_Y(Y値は10以上70以下)の合金、Ti、Ta又はFeを添加して構成される。 - 特許庁

To provide a diffusion prevention layer material composed of Ta or Ta based alloy layer wherein rupture of the Ta or Ta based alloy layer which is the diffusion prevention layer or superconductive electric wire itself is enabled not to occur at the time of wire drawing in a manufacturing process of the superconductive electric wire.例文帳に追加

超電導線の製造工程における線引き加工の際に、拡散防止層であるTaまたはTa基合金層、あるいは超電導線そのものの破断を起こさないようにすることができるTaもしくはTa基合金からなる拡散防止層用材を提供する。 - 特許庁

First, accumulated Cu 13, for example, is removed with a fixed abrasion pad that stops on a barrier layer 12, such as Ta or TaN, using CMP.例文帳に追加

初めに、堆積したCu13を、例えば、Ta又はTaNのような障壁層12上で止まる固定研磨パッドでCMPによって取り除く。 - 特許庁

例文

Alternatively, a part of Ir is substituted by one or more elements selected from Ru, Rh, Pd, Os, Mo, Nb, Ta, Hf, W, Ti, Zr, Y, La Cr, and V in the above alloy.例文帳に追加

またIrの一部がRu,Rh,Pd,Os,Mo,Nb,Ta,Hf,W,Ti,Zr,Y,La,Cr、Vから選択される一種若しくは二種以上の元素で置換される前記合金。 - 特許庁

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