「i‐beam」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a naphthol structure-containing ion type photo-acid initiator which solves problems such as a low solubility and a low heat stability, and a high absorption capacity that a conventional photo-acid initiator for i-beam has.例文帳に追加

既存のｉ線用光酸発生剤が有する低い溶解度と低い熱安定性、高い吸収度などの問題点を解決する。 - 特許庁

To provide a bracket capable of using a front axle composed of an I beam as an air suspension without a hitch.例文帳に追加

Ｉビームから成るフロントアクスルをエアサスペンション用として支障なく利用し得るようにしたブラケットを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a surface acoustic wave element 22 uses an LT substrate 10 having a reflectance of 10% or less of an i-beam at its mirror surface polishing, resulting in that the most of the i-beam radiated at exposure is absorbed into the substrate 10.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子２２の製造方法においては、鏡面研磨時におけるｉ線の反射率が１０％以下であるＬＴ基板１０を用いることで、露光時に照射されるｉ線の大部分が基板１０に吸収される。 - 特許庁

To provide a silane compound containing a quinolone group that can introduce a photodegradable quinolone group having high sensitivity to an i beam onto the surface of a substrate, and a surface modifier containing the silane compound.例文帳に追加

i線に対して高感度である光分解性のキノロン基を、基体表面に導入可能なキノロン基含有シラン化合物、及び該シラン化合物を利用した表面修飾剤を提供すること。 - 特許庁

A first insulating film 2 on a substrate 1 is etched using a multilayer resist including a resist 3 for i-beam, an SOG film 4 and a resist 5 for KrF/ArF.例文帳に追加

基板１上の第１の絶縁膜２を、ｉ線用レジスト３、ＳＯＧ膜４、ＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５を含む多層レジストを用いてエッチングする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device having a fine pattern which exceeds the conventional limit of conventional fine work by succeeding previously established i-beam exposure technology as it is and correcting etching technology.例文帳に追加

既に確立されたｉ線露光技術はそのまゝ継承してエッチング技術を小修正することで、従来の微細加工の限界を越える微細パターンを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The coloring of the positive resist layer is preferably carried out by using a dye solution or a pigment dispersion liquid after making hydrophilic a predetermined position of the positive resist layer by i-beam irradiation.例文帳に追加

前記ポジ型レジスト層の着色は、ｉ線照射により前記ポジ型レジスト層の所定位置を親水化した上で、染料溶液または顔料分散液を用いて行うことが好ましい。 - 特許庁

The connector 28, 28 have the cross section of an I-beam, and have U-shaped end sections engaged with grooves 62, 64 in comparatively board width for mutually holding wall panels surely at that time.例文帳に追加

コネクタ28、28は、Ｉ形ビームの断面を有し、壁パネルを互いに確実に保持するための、比較的幅の広い溝62、64に係合するＵ字型端部を含む。 - 特許庁

The corrosion preventive structure is constituted by providing the outside surfaces of the structures composed of plural I beam materials or similar members or steel pipes with flexible and airtight sheet materials 3 tented to form an airtight structure in the inside.例文帳に追加

複数のＩビ−ム材または類似の部材または鋼管から構成された構造物であって、構造物の外面に可撓性かつ、気密性のシ−ト材３を張って設け、内部を気密構造とした防食構造物。 - 特許庁

The supporting member 11 is formed with an I-beam and the like and respective pairs of left and right wire holders 16, fork engaging parts 17 and hooks 18 are provided on its upper flange 11f.例文帳に追加

支持部材１１はＩ形鋼等で形成され、その上方のフランジ１１ｆに、ワイヤ係止部１６と、フォーク係合部１７と、フック１８と、がそれぞれ左右一対ずつ設けられている。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having i-beam transmit tance and low thermal expansion after imidization, and enabling to form a pattern with excellent thermal resistance, and to provide a method of forming such a pattern, and further to provide electronic parts with high reliability.例文帳に追加

ｉ線透過性とイミド化後の低熱膨張性を有し、優れた耐熱性のパターンを形成できる感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び信頼性に優れる電子部品の提供。 - 特許庁

A variable cross section structure member connects at least one load receiver structure and the load transmitting structure to each other, and the various cross section structure member can be provided with a changed cross sectional I beam.例文帳に追加

可変断面構造部材が少なくとも１つの荷重受け入れ構造体及び荷重伝達構造体を結合し、また、変化した横断面Ｉビームを備えることができる。 - 特許庁

A cross section of the I beam is formed to be changed in response to height, width and thickness of one or more members when extending between the member load receiver structure and the load transmitting structure.例文帳に追加

Ｉビームの断面は、部材荷重受け入れ構造体と荷重伝達構造体との間を伸びるとき、その１つ又は２つ以上の部材の高さ、幅又は厚さに従って変化するものとすることができる。 - 特許庁

A non-volatile oil photosensitive material layer 2 and a volatile oil photosensitive material layer 3 applied onto the substrate 1 are developed corresponding to a bank formation region after exposed to a light of a single wavelength (I-beam) at the same time.例文帳に追加

基板１に塗布により形成された非撥油性感光材料層２と撥油性感光材料層３とをバンク形成領域に合わせて単一波長（Ｉ線）の光で同時に露光した後に現像する。 - 特許庁

This positive photoresist composition contains a resin component containing the resin increasing its solubility in alkali by the action of acid, the optical acid generator having molar extinction coefficient being 1,000 or less for i beam, and a photosensitizer having a benzoyl group, a thiophene group or an aromatic polycyclic group.例文帳に追加

本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、酸の作用によってアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と、ｉ線に対して１０００以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と、ベンゾイル基、チオフェン基、または芳香族多環基を有する光増感剤と、を含有する。 - 特許庁

The electric cable assembly (370) comprises conductive members 386, 388 and an insulating member 370 arranged in a composite I-beam shape in which the conductive members 368, 388 are perpendicularly arranged between two parallel insulating and ground plane members 370.例文帳に追加

導電部材３８６，３８８および絶縁部材３７０が複合Ｉビーム状形状部に配置され、この導電部材３６８，３８８が２つの平行な絶縁および接地面部材３７０間に垂直に配置される電気ケーブル組立体（３７０）。 - 特許庁

In this case, the resist 5 for KrF/ArF is first patterned, the SOG film 4 and the resist 3 for i-beam are dry-etched using the resist 5 for KrF/ArF as a mask, and the first insulating film 2 is dry-etched using the resist 3 as a mask.例文帳に追加

その際は、まずＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５をパターニングし、それをマスクにしてＳＯＧ膜４、ｉ線用レジスト３をドライエッチングし、そのｉ線用レジスト３をマスクにして第１の絶縁膜２をウェットエッチングする。 - 特許庁

This significantly reduces the reflection of the i-beam radiated at exposure on the substrate backside 10b, and hence an electrode pattern 20 having a high size accuracy is formed without forming an antireflective film on the substrate surface 10a at the exposure side of the substrate 10.例文帳に追加

それにより、露光時に照射されるｉ線の基板裏面１０ｂにおける反射が有意に抑制されるため、基板１０によって露光される側の基板面１０ａに反射防止膜を成膜することなく、高い寸法精度を有する電極パターン２０を形成することができる。 - 特許庁

The system is for projecting the 1st object in the area of the 2nd object by using light with a wavelength width δλ including a center work wavelength γ in the center; and relative width δλ/λ of said wavelength width is ≥0.002 and, specially, ≥0.005 and light such as an Hg-I beam is used.例文帳に追加

中央作業波長λを中心に幅δλを有する波長幅の光を用いて、前記第１対象物を前記第２対象物の領域内に投影するためのシステムであり、前記波長幅の相対幅δλ／λは０．００２より大きく、特に０．００５より大きいものであって、例えば、Ｈｇ−Ｉ線等の光を用いる。 - 特許庁