「implanted-ion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the ion implantation step, ion is implanted to the substrate.例文帳に追加

前記イオン注入工程では、前記基板にイオンを注入する。 - 特許庁

ION-IMPLANTED ELECTROFORMED STRUCTURAL MATERIAL AND METHOD OF PRODUCING THE STRUCTURAL MATERIAL例文帳に追加

イオン注入電鋳部材およびその製造方法 - 特許庁

ELECTRICAL ACTIVATION METHOD OF IMPURITY ION IMPLANTED LAYER例文帳に追加

不純物イオン注入層の電気的活性化方法 - 特許庁

Ion is implanted in the buffer layer to form an ion implantation region 6.例文帳に追加

バッファ層３は、イオンを注入されて、イオン注入領域６を形成する。 - 特許庁

Then, phosphorus ions are ion-implanted using the same mask 8.例文帳に追加

次に、同一レジストマスク８を用いて、リンをイオン注入する。 - 特許庁

Phosphor is ion-implanted with an oxide film pattern 26 as a mask.例文帳に追加

酸化膜パターン２６をマスクとして燐をイオン注入する。 - 特許庁

An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.例文帳に追加

結晶Siからなる基板１に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁

When forming an ion-implanted layer 2, a non-ion-implanted layer 3 is simultaneously formed, and at least part of a boundary between the ion-implanted layer 2 and the non-ion-implanted layer 3 is parallel to a <11-20> or <1-100>.例文帳に追加

イオン注入層２を形成する際に非イオン注入層３が形成されるようにすると共に、イオン注入層２と非イオン注入層３との境界線の少なくとも一辺が＜１１−２０＞または＜１−１００＞と平行になるようにする。 - 特許庁

In the ion implantation process (S14), ion is implanted to the flat surface of a piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

イオン注入工程（Ｓ１４）は圧電基板１の平坦面にイオンを注入する。 - 特許庁

In high energy ion activation 24, the implanted ion is bubbled minutely and a crack is filled with it.例文帳に追加

高エネルギーイオン活性化２４により注入イオンが微泡化され亀裂を充填する。 - 特許庁

The number of layers to be ion-implanted is one or more layers.例文帳に追加

イオンを注入する層数は１層あるいは２層以上とする。 - 特許庁

The ion-implanted electroformed structural material is made of an electroformed body 1 formed by electroforming and has an ion-implanted layer formed by implanting ions 2 into the electroformed body 1.例文帳に追加

電鋳によって形成された電鋳材１にイオン２が注入されて形成されたイオン注入層を有する部材である。 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD OF TITANIA PARTICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING ION IMPLANTED TITANIA THIN FILM ELECTRODE例文帳に追加

チタニア粒子のイオン注入方法及びイオン注入したチタニア薄膜電極の製造方法 - 特許庁

The electrode formation region is implanted with ion such as phosphorus as impurity ion injection regions 22 to 25.例文帳に追加

電極形成領域にリン等をイオン注入し、不純物イオン注入領域２２〜２５とする。 - 特許庁

To improve homogeneity of in-plane distribution of ion amount implanted to a wafer surface.例文帳に追加

イオン注入量のウェハ面内分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

Since the n-type ion-implanted layer 5 and threshold controlling ion-implanted layer 6 are formed by simultaneously implanting n-type ions, the ion-implanted layer 5 can be formed deeply and the sensitivity of the photodiode can be improved.例文帳に追加

ｎ型イオン注入層５としきい値制御イオン注入層６とを同時にｎ型イオン注入して形成することにより、ｎ型イオン注入層５を深く形成でき、フォトダイオードの感度の向上を図れる。 - 特許庁

An impurity ion is ion implanted into a surface layer of a pad electrode 9a exposed on a protection film 11.例文帳に追加

保護膜１１から露出したパッド電極９ａの表面層に不純物イオンをイオン注入する。 - 特許庁

In such a case, the impurity ion is prevented from being implanted into the N^+ layer 8.例文帳に追加

この際、不純物イオンがＮ^＋層８に注入されないようにする。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which enables a reduction of an amount of ions implanted under a conductive film of an electrode or the like and variations in the implanted position independently of employment of oblique ion implantation.例文帳に追加

斜めイオン注入を行うにも拘わらず、電極等の導電膜下に注入されるイオンの量や注入位置のばらつきを低減する。 - 特許庁

NEGATIVE RESIST MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING ION IMPLANTED SUBSTRATE USING SAME例文帳に追加

ネガ型レジスト基材及びそれを用いたイオン注入基板の製造方法 - 特許庁

Then, the ion-implanted layer 13a of the wafer 21 for the activated layer is laminated together with the ion-implanted layer 13b of the wafer 22 for support.例文帳に追加

そして、活性層用ウェーハ２１のイオン注入層１３ａを貼り合わせ面として、支持用ウェーハ２２のイオン注入層１３ｂに貼り合わせる。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a region of an SiC wafer 1 at a specified depth to form a hydrogen ion implanted region 2.例文帳に追加

ＳｉＣウエハ１の所定深さの領域に水素イオンを注入し水素イオン注入領域２を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate to be ion implanted is sequentially moved in parallel in horizontal direction at the ion implantation or after the ion implantation.例文帳に追加

イオン注入時、あるいはイオン注入後、順次被イオン注入半導体基板を水平方向に平行移動させることである。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SHALLOW ION-IMPLANTED REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

浅いイオン注入された領域を含む半導体デバイスとその形成方法 - 特許庁

Impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 using an ion implanter and then impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。 - 特許庁

The release film comprises a substrate film 1 the surface of which an ion-implanted layer is formed by plasma-based ion implantation and a release layer formed on the ion-implanted layer of the substrate film.例文帳に追加

プラズマイオン注入法により、表面部にイオン注入層が形成された基材フィルムと、該基材フィルムのイオン注入層上に形成された剥離層とを有することを特徴とする剥離フィルム。 - 特許庁

An n type ion is implanted to a memory cell transistor 110 in an on-state, and a p type ion is implanted to at least a part of a memory cell transistor 120 in an off-state.例文帳に追加

オン状態のメモリセルトランジスタ１１０にｎ型イオンが注入されており、オフ状態のメモリセルトランジスタ１２０の少なくとも一部にｐ型イオンが注入されている。 - 特許庁

A peeling ion-implanted layer 4 is formed in a bonded wafer 1 and another ion-implanted layer 6 for stopping etching is formed in the wafer 1 at a position shallower than that of the layer 4.例文帳に追加

ボンドウェーハ１に対し剥離用イオン注入層４を形成し、さらに該剥離用イオン注入層４よりも浅い位置にエッチストップ用イオン注入６層を形成する。 - 特許庁

The element ion larger than Si is implanted to the contact liner 513 in a P-channel region 202 to break the connection of the constituent atoms, and then oxygen or the like is ion-implanted.例文帳に追加

Ｐチャネル領域２０２内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断後、酸素などをイオン注入する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device reducing the thickness reducing amount of an ion-implanted layer or an ion-implanted region.例文帳に追加

イオン注入された領域であるイオン注入層の厚みの除去量を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the case phosphorus is to be doped to the pixel part, initially phosphorus is ion implanted into all regions without any mask and subsequently boron is ion implanted into all parts except the pixel part by arranging the mask.例文帳に追加

また、画素部にリンをドープする場合には、最初マスクなしで全面にリンをイオン注入後、マスクを配置して画素部以外にボロンをイオン注入後する。 - 特許庁

Then, nitrogen is ion-implanted in the polysilicon gate 12 through the opening part OP.例文帳に追加

その後、開口部ＯＰを介してポリシリコンゲート１２内に窒素をイオン注入する。 - 特許庁

An ion is implanted by using the resist pattern as a mask, and then the resist pattern is removed.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行い、その後、レジストパターンを除去する。 - 特許庁

An ion-implanted layer 12 having an impurity ion peak is formed in an SiC substrate 11 by implanting an impurity ion into the substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１に不純物イオンを注入して、ＳｉＣ基板１１内に不純物イオンのピークを有する注入層１２を形成する。 - 特許庁

To provide an ion beam guide tube which is arranged in the vicinity of a semiconductor wafer implanted in an ion implanter.例文帳に追加

イオン注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるイオンビーム用のガイド管を提供する。 - 特許庁

First, ions are implanted into an ion implantation surface of a piezoelectric substrate, to form an ion implantation portion inside the piezoelectric substrate.例文帳に追加

まず、圧電基板のイオン注入面からイオンを注入して、圧電基板内部にイオン注入部分を形成する。 - 特許庁

N_2 atoms are ion-implanted over the sidewall spacers 16 at a prescribed angle.例文帳に追加

その後、サイドウォールスペーサ１６越しに所定角度でもってＮ_2原子をイオン注入する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method suitable for forming shallow impurity implanted regions.例文帳に追加

浅い不純物注入領域の形成に適したイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

The damage layer 35 is a part where a lattice failure, etc., takes place dug to implanted ion.例文帳に追加

ダメージ層３５とは、注入イオンによる格子欠損などが生じた部分である。 - 特許庁

In ion implantation, argon ions of a dose amount of 5E+14 atoms/cm^2 and 5E+17 atoms/cm^2 are implanted.例文帳に追加

イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 - 特許庁

(b) The groove pattern 28 is ion-implanted to form an impurity diffused region 30.例文帳に追加

（ｂ）溝パターン２８にイオン注入を行ない、不純物拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

An impurity is implanted in a region on which the epilayer is provided by an ion implanting method.例文帳に追加

イオン注入法によりエピ層が設けられた領域に不純物が注入される。 - 特許庁

N-type impurities 208 are ion implanted for forming extension source-drain areas 209.例文帳に追加

ｎ型不純物２０８をイオン注入し、エクステンション・ソース・ドレイン領域２０９を形成する。 - 特許庁

After P is selectively ion-implanted into the silicon germanium layer and properties of resistance to etching are given to the ion-implanted part of the silicon germanium layer, the part of the silicon germanium layer that is not ion-implanted is selectively removed by isotropic etching.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層にＰを選択的にイオン注入してイオン注入されていないシリコンゲルマニウム層部分に対してエッチング抵抗性を付与した後、シリコンゲルマニウム層のイオン注入されていない部分を選択的に等方性エッチング除去するパターニング方法。 - 特許庁