「lamb wave」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LAMB-WAVE RESONATOR AND OSCILLATOR例文帳に追加

ラム波型共振子及び発振器 - 特許庁

LAMB WAVE TYPE HIGH FREQUENCY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING LAMB WAVE TYPE HIGH FREQUENCY DEVICE例文帳に追加

ラム波型高周波デバイス、ラム波型高周波デバイスの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING LAMB WAVE TYPE HIGH FREQUENCY DEVICE例文帳に追加

ラム波型高周波デバイスの製造方法 - 特許庁

MODULATOR USING LAMB WAVE TYPE HIGH-FREQUENCY RESONATOR例文帳に追加

ラム波型高周波共振子を用いた変調器 - 特許庁

To provide a Lamb wave device capable of achieving a Lamb wave of high frequency by reducing thickness of a piezoelectric substrate.例文帳に追加

圧電基板の厚さを薄くしてラム波の高周波化を可能にする、ラム波型デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a Lamb-wave resonator for suppressing vertical vibration leakage in a Lamb-wave transmission direction.例文帳に追加

ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Lamb wave type high frequency device with sufficient frequency precision in the Lamb wave type high frequency device using Lamb waves.例文帳に追加

ラム波を利用したラム波型高周波デバイスにおいて、周波数精度の良いラム波型高周波デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

LAMB WAVE TYPE HIGH FREQUENCY RESONATOR, OSCILLATOR EMPLOYING THE SAME, AND HIGH FREQUENCY SIGNAL GENERATING METHOD EMPLOYING THE LAMB WAVE例文帳に追加

ラム波型高周波共振器、これを用いた発振装置、及びラム波を用いた高周波信号生成方法 - 特許庁

To provide a Lamb wave type elastic wave resonator that has a very width proportional bandwidth.例文帳に追加

比帯域幅の非常に大きいラム波型弾性波素子を実現する。 - 特許庁

INK JET APPARATUS USING LAMB WAVE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ラム波を用いたインキ噴射装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a lamb wave type high frequency device in which only a desired mode is selected from among a number of lamb wave modes, then, spurious can be suppressed.例文帳に追加

多数のラム波モードから所望のモードのみを選択し、スプリアスを抑圧できるラム波型高周波デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a Lamb-wave resonator for suppressing vibration leakage vertical to a propagation direction of Lamb-waves.例文帳に追加

ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。 - 特許庁

To provide a Lamb wave type high-frequency sensor device having high detection sensitivity.例文帳に追加

検出感度が高く、取り扱いが容易なラム波型高周波センサデバイスを提供する。 - 特許庁

The lamb wave type acoustic wave element is configured such that at least one interdigital electrode 2 for generating lamb wave type acoustic waves or the electrode 2 and a reflector 3 are arranged on the crystal substrate 1, and the cut surface of the crystal substrate 1 and the propagation direction of the lamb wave type acoustic waves satisfy a predetermined relation in Euler angle display (λ, μ, θ).例文帳に追加

水晶基板１上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極２又は該電極２と反射器３が配置され、該水晶基板１のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示（λ，μ，θ）で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。 - 特許庁

A wide-band modulated wave is transmitted from an ultrasonic echo sounder transceiver 1 to the inspection object 11 to excite an Lamb wave onto the inspection object 11, the Lamb wave is circulated along a circumferential direction of the cylindrical-shaped inspection object 11, and a reception signal of periodicity synchronized with a Lamb wave 3 circulation period is captured by an ultrasonic echo sounder transceiver 2.例文帳に追加

超音波送受波器１から広帯域変調波を検査対象物体１１に送波し、検査対象物体１１にラム波を励起する、ラム波３は円筒形状の検査対象物体１１を円周方向に周回し、超音波受波器２によってラム波３周回周期に同期した周期性をもった受信信号が獲られる。 - 特許庁

To measure a thickness of a deposit layer attached to the inside of a tubular body by using a plate wave, a Lamb wave, in particular, as an ultrasonic wave propagating in the tubular body.例文帳に追加

筒状体を伝播される超音波として、板波、特にラム波を用いることにより、筒状体内部に付着した付着層の厚みを測定することを目的とする。 - 特許庁

To attain a Lamb wave type high frequency resonator with highly precise resonance frequency and excellent frequency temperature characteristics with a simple structure.例文帳に追加

高精度な共振周波数、優れた周波数温度特性のラム波型高周波共振子を簡単な構造で実現する。 - 特許庁

To provide a Lamb-wave high-frequency resonator which obtains high frequency waves, has excellent frequency temperature characteristics and can reduce its manufacturing cost.例文帳に追加

高周波化を可能とし、周波数温度特性が優れ、且つ、製造コストを低減できるラム波型高周波共振子を提供する。 - 特許庁

A propagation speed of the Lamb wave is estimated by analyzing the periodicity, and the hardness, the weight and the like of the inspection object 11 are also estimated therein.例文帳に追加

これらの周期性を解析することによって、ラム波の伝搬速度が推定され、検査対象物体１１の硬さ、重さなどが推定される。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator which can be operated at a high frequency, the realization of which is difficult by a bulk elastic wave and a surface acoustic wave of prior arts, and in which the propagation characteristic or the resonance characteristic of a Lamb wave propagated in a piezoelectric substrate can be controlled.例文帳に追加

従来のバルク弾性波や弾性表面波では実現が困難な高い周波数で動作することができると共に、圧電基板内を伝播するラム波の伝播特性あるいは共振特性を制御可能とする圧電振動子を提供することである。 - 特許庁

To minimize an influence of variations in manufacturing to obtain high frequency characteristics of a lamb wave device at a high yield even in mass production.例文帳に追加

ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。 - 特許庁

The Lamb wave type high frequency resonator 10 has: a piezoelectric substrate 20 comprised of crystal; a comb-line IDT electrode 30 formed on the surface 21 of the piezoelectric substrate 20; and an adjustment film 60 comprised of materials with density different from those of the piezoelectric substrate 20, and formed at least in an area where the Lamb wave is propagated on the rear surface 22 of the piezoelectric substrate 20.例文帳に追加

ラム波型高周波共振子１０は、水晶からなる圧電基板２０と、圧電基板２０の表面２１に形成される櫛歯状のＩＤＴ電極３０と、圧電基板２０の裏面２２の少なくともラム波が伝搬する領域に、圧電基板２０の材質とは密度が異なる材質からなる調整膜６０が形成されている。 - 特許庁

By using Lamb waves in this way, it is possible to achieve the Lamb wave type high-frequency sensor device 10 having high detection sensitivity and capable of operating at a frequency higher than those of a resonator using bulk waves or similar resonator using elastic surface waves of a conventional system.例文帳に追加

このように、ラム波を利用することで、従来方式のバルク波を用いた共振子または弾性表面波を用いた共振子より高い周波数で動作させることが可能となり、検出感度が高いラム波型高周波センサデバイス１０を得ることができる。 - 特許庁

The Lamb wave type high frequency resonator 10 with the highly precise resonance frequency and the excellent frequency temperature characteristics is provided in the simple structure by properly controlling thickness (t) of the adjustment film 60.例文帳に追加

この調整膜６０の厚さｔを適切に制御することにより、高精度な共振周波数、優れた周波数温度特性のラム波型高周波共振子１０を簡単な構造で実現する。 - 特許庁

The Lamb wave type high-frequency sensor device is provided with a piezoelectric substrate 11 having principle surfaces 14 and 15 in the front and back and an IDT electrode 12 formed in one principle surface 14 of the piezoelectric substrate 11 for exciting Lamb waves and constituted in such a way that the other principle surface 15 opposed to the one principle surface 14 of the piezoelectric substrate 11 may be a detection surface for detecting physical quantities.例文帳に追加

表裏に主面１４，１５を有する圧電基板１１と、圧電基板１１の一方の主面１４に形成されたラム波を励振するＩＤＴ電極１２と、を備え、圧電基板１１の一方の主面１４に対向する他方の主面１５が物理量を検出する検出面であるように構成した。 - 特許庁

A thickness h of the piezoelectric thin film 106 and a pitch p of a finger 110 of the IDT electrode 108 are selected so that a higher-mode Lamb wave with a sound velocity of at least 5000 m/s is excited at a desired frequency.例文帳に追加

圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、音速が５０００ｍ／ｓ以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 - 特許庁

A propagation time for every frequency component is calculated by referring to a dispersion curve of a Lamb wave, and a transmission signal is formed by applying a delay to each of the frequency components so as to make each of the frequency components arrive at the element 3 at a same time.例文帳に追加

ラム波の分散曲線を参照し、周波数成分毎の伝播時間を算定し、弾性波受信素子３に到達する時間が、各周波数成分で同一になる遅延をかけた信号として、送信信号を形成する。 - 特許庁

The film thickness h of the piezoelectric thin film 106 and the pitch p of a finger 110 of the IDT electrode 108 are selected, such that a Lamb wave is excited at a target frequency which makes dispersibility of a sonic velocity v, with respect to the film thickness h of the piezoelectric thin film 106 small.例文帳に追加

圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 - 特許庁

A Lamb wave device 102 includes: a piezoelectric thin film 106; an IDT electrode 108 provided on the major surface of the piezoelectric thin film 106; and a support structure 122 that supports a laminated body 104 of the IDT electrode 108 and the piezoelectric thin film 106 and has a cavity 180 forming a clearance from the laminated body 104.例文帳に追加

ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。 - 特許庁