「laser method」に関連した英語例文の一覧と使い方(264ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for forming a layer of a monocrystalline semiconductor material on a substrate, comprises: providing the substrate 1; growing epitaxially a template comprising at least one monomolecular layer 2 of a semiconductor material on the substrate 1; depositing an amorphous layer 3 of the semiconductor material on the template; and performing a thermal treatment or a laser anneal thereby completely converting the amorphous layer of the semiconductor material into a monocrystalline layer of the semiconductor material.例文帳に追加

基板上に単結晶の半導体材料の層を形成する方法に関し、この方法は、基板１を準備する工程と、基板上に少なくとも１つの半導体材料の単分子層２を含むテンプレートをエピタキシャル成長する工程と、テンプレート上に半導体材料のアモルファス層３を堆積する工程と、熱処理またはレーザアニールを行い、半導体材料のアモルファス層を、半導体材料の単結晶層に完全に変える工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride semiconductor element by dividing a semiconductor wafer, in which a nitride semiconductor is formed on a substrate comprises a process of cutting a groove 103 into the surface of the semiconductor wafer, and making a process-altered part inside the groove through it, to form a break line 104 by laser irradiation and a process of dividing the semiconductor wafer along the break line.例文帳に追加

本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、レーザー照射により、前記半導体ウエハー表面に溝部と、該溝部を介して該溝部より前記半導体ウエハー内部側に加工変質部と、を形成することによりブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing a crystalline semiconductor film includes steps of introducing metallic elements into a first amorphous semiconductor film to promote crystallization of silicon, heating the first amorphous semiconductor film to form a crystalline semiconductor film, forming a second amorphous semiconductor film containing elements belonging to periodic table, group 15 on the crystalline semiconductor film, and irradiating it with laser light or the second amorphous semiconductor film with infrared light.例文帳に追加

第１の非晶質半導体膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記第１の非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に周期表の１５族に属する元素を含有する第２の非晶質半導体膜を形成し、前記第２の非晶質半導体膜にレーザー光または赤外光を照射することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法である。 - 特許庁

The method for cutting the chip package 100 combined in one group and containing a plastic molded body 104 into the individual pieces by separating them along a target separation area includes: a process of at least partially removing a lead frame 107 extending inside a target separation area by laser engraving; and a process of completely separating the chip package 100 by mechanical sawing along the target separation area subsequently.例文帳に追加

１つの群にまとめられてプラスチック成形体１０４を有するチップパッケージ１００を目標分離領域に沿って分離することによって個別の片に切断するための方法であって、チップパッケージ１００の目標分離領域にレーザ彫刻によって溝を設け、目標分離領域内を延びるリードフレーム１０７をレーザ彫刻によって少なくとも部分的に除去する工程と、引き続き目標分離領域に沿った機械的鋸引きによってチップパッケージ１００を完全に分離する工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the glass substrate for the magnetic recording medium is characterized in that an abrasive grain size distribution width ▵d (=dmax-dmin) is 23 μm or less, the abrasive grain size distribution width being a difference between a maximum particle diameter dmax and a minimum particle diameter dmin of particle diameters measured by using a laser diffraction/scattering type grain size distribution measuring device.例文帳に追加

本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板の内周側面または外周側面の少なくとも一方を、砥粒を結合材で固着した砥石を用いて研削する端面研削工程において、前記砥粒はレーザ回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定した粒子径の最大粒子径ｄｍａｘと最小粒子径ｄｍｉｎとの差である砥粒粒度分布幅△ｄ（＝ｄｍａｘ−ｄｍｉｎ）が２３μｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁