「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for depositing the DLC film: an anode electrode in which at least its tip has a needle-like shape and a cathode electrode are disposed in an organic solvent and prescribed voltage is applied between the needle-like anode electrode and the cathode to synthesize the DLC film which contains nitrogen and elements constituting the above organic solvent; and an arbitrary pattern is formed by moving the anode electrode or the cathode electrode.例文帳に追加

本発明のＤＬC膜の形成方法は、有機溶媒中に、少なくとも先端が針形状のアノード電極と、カソード電極とを配置して、前記針形状のアノード電極と前記カソード電極との間に所定の電圧を印加することにより、カソード電極上に窒素及び前記有機溶媒の構成元素とを含んでなるＤＬC膜を合成すること及びアノード電極あるいはカソード電極を動かすことにより任意のパターンを形成すること特徴とする。 - 特許庁

One or more coating layers composed of carbide, nitride, carbonitride, carboxide, nitroxide and carbonitroxide of the IV, V and VI group metals in a periodic table, are formed on a surface of a tool base, at least one of the coating layers is composed of titanium zirconium carbonitroxide film including titanium, zirconium, carbon, nitrogen and oxygen, and a content of oxygen in the titanium zirconium carbonitroxide is 10 mass % or less.例文帳に追加

工具基体の表面に周期律表の４、５、６族金属の炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化物、窒酸化物、及び炭窒酸化物からなる被覆層を単層又は多層に形成してなるものであり、かつ、これら被覆層のうち少なくとも一層を、チタン、ジルコニウム、炭素、窒素、及び酸素を含有する炭窒酸化チタンジルコニウム膜から構成し、該炭窒酸化チタンジルコニウム膜の酸素含有量を１０質量％以下とした。 - 特許庁

The nitrogen oxide decomposing element 1 has a conductive solid electrolyte film 2 through which hydrogen ions pass selectively, a first electrode layer 3 comprising an electron-conductive substrate and a catalyst for promoting anodic oxidation, a second electrode layer 4 comprising an electron-conductive substrate and a catalyst promoting cathodic reduction, and a platinum group element catalyst 6 which is arranged adjacently to the second electrode layer 4 and supported on a porous metal oxide 5.例文帳に追加

水素イオンを選択的に透過させる導電性の固体電解質膜２と、電子導電性基材と陽極酸化を促進する触媒よりなる第１の電極層３と、電子導電性基材と陰極還元を促進する触媒よりなる第２の電極層４と、第２の電極層４に隣接して配設され多孔体の金属酸化物５に担持された白金族触媒６を備えた窒素酸化物分解素子１を提案した。 - 特許庁

The electrolyte for forming a polymer film comprises a reagent capable of forming a complex with a metal constituting a main component of an electrode, and a polymerizable monomer, and has a hydrogen ion concentration index in the passivity range of the metal constituting the main component of the electrode, where the reagent is selected from at least one of a dicarboxylate, an α-hydroxycarboxylate, an α-amino acid and a nitrogen- containing heterocyclic compound.例文帳に追加

電極の主成分を構成する金属に対して錯体形成能を有する薬剤と重合性モノマを含み、電極の主成分を構成する金属の不動態領域内の水素イオン濃度指数を有するポリマ被膜形成用電解液であって、薬剤が、ジカルボン酸塩、α−ヒドロキシカルボン酸塩、α−アミノ酸、および含窒素複素環化合物のうちの少なくとも１つから選択される、ポリマ被膜形成用電解液。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁