「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, nitrogen is introduced in the form of nitrogen radicals or nitrogen ions generated by plasmas into the silicon oxide film to form the silicon oxynitride film.例文帳に追加

次いで、プラズマにより発生させた窒素ラジカルまたは窒素イオンでシリコン酸化膜に窒素を導入しシリコン酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

MACHINE MEMBER HAVING NITROGEN-CONTAINING CrAl FILM例文帳に追加

窒素含有ＣｒＡｌ被膜を有する機械部材 - 特許庁

NITROGEN-CONTAINING CHROMIUM FILM, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND MACHINE MEMBER例文帳に追加

窒素含有クロム被膜、その製造方法及び機械部材 - 特許庁

The polymer film base is treated with nitrogen plasma.例文帳に追加

そのポリマーフィルム支持体は窒素プラズマ処理される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON COMPOUND FILM COMPRISING NITROGEN例文帳に追加

窒素含有ケイ素化合物膜の形成方法 - 特許庁

JUDGMENT METHOD FOR NITROGEN CONCENTRATION IN GATE OXIDE FILM例文帳に追加

ゲート酸化膜中の窒素濃度判定方法 - 特許庁

NITROGEN-DOPED DIAMOND FILM AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

窒素ドープダイヤモンド膜及びその製造方法 - 特許庁

Alternatively, nitrogen is introduced to the silicide film 10a.例文帳に追加

あるいは、窒素をシリサイド膜に導入する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING NITROGEN-CONTAINING ZINC OXIDE FILM例文帳に追加

窒素含有酸化亜鉛膜の製造方法 - 特許庁

To improve chemical stability on a silicon nitrogen film.例文帳に追加

窒化シリコン膜表面の化学的安定性を向上させる。 - 特許庁

NITROGEN-CONTAINING Cr FILM, AND MACHINE MEMBER HAVING THE FILM例文帳に追加

窒素含有Ｃｒ被膜およびこの被膜を有する機械部材 - 特許庁

A growth suppression film 105 is partially provided on a nitrogen compound semiconductor film 103 for growing a nitrogen compound semiconductor film comprising Al.例文帳に追加

窒素化合物半導体膜1０３上に成長抑制膜１０５を部分的に設けて、Ａｌを含む窒素化合物半導体膜を成長させる。 - 特許庁

Nitrogen is doped to the film 20 and at the same time, this film 20 has low the nitrogen concentration on the side of the film 5 and has high the nitrogen concentration on the side of the film 11.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０ｐには窒素が添加されているとともに、この多結晶シリコン膜２０はゲート絶縁膜５側で窒素濃度が低く、バリア膜１１側で窒素濃度が高く形成されている。 - 特許庁

Also, the semipermeable membrane can be a laminated film of the nitrogen containing film and a metal film.例文帳に追加

また、半透過性膜は、上記の窒素含有膜と金属膜との積層膜とすることも可能である。 - 特許庁

(b) The insulating film is exposed to an active nitrogen atmosphere, and nitrogen is introduced to the insulating film from its surface side.例文帳に追加

（ｂ）前記絶縁膜を活性窒素雰囲気に晒し、該絶縁膜に、その表面側から窒素を導入する。 - 特許庁

Film average nitrogen content of the nitrogen-containing metal silicificated film 9b of an upper layer is at least 1 atm%.例文帳に追加

上層の窒素含有金属珪酸化膜９ｂの膜平均窒素含有率は１ａｔｍ％以上である。 - 特許庁

To decrease concentration of nitrogen in an interface between a silicon substrate and a silicon oxidizing and nitriding film and increase concentration of nitrogen in the surface of the silicon oxidizing and nitriding film.例文帳に追加

シリコン基板とシリコン酸窒化膜との界面の窒素濃度を低くし、かつ、シリコン酸窒化膜表面の窒素濃度を高くする。 - 特許庁

In addition, a reaction is caused between the formed oxynitride film formed in the above- mentioned way and the active nitrogen species by emitting the active nitrogen species upon the surface of the oxynitride film.例文帳に追加

さらには、上記の方法で形成した酸窒化膜表面に窒素の活性種を照射し、酸窒化膜と窒素の活性種とを反応させる。 - 特許庁

To increase nitrogen concentration in a gate insulating film, without increasing the nitrogen concentration near the interface between a substrate and the gate insulating film, to more than a required level.例文帳に追加

基板とゲート絶縁膜との界面近傍における窒素濃度を必要以上に高くすることなく、ゲート絶縁膜中の窒素濃度を高める。 - 特許庁

Then, the gate insulation film 120 has a nitrogen-containing layer containing nitrogen near an interface between the high dielectric constant film 112 and the interface layer 110.例文帳に追加

そしてゲート絶縁膜１２０は、高誘電率膜１１２と界面層１１０の界面近傍に、窒素を含有する窒素含有層を有している。 - 特許庁

The film-forming rate rises when oxygen is mixed with nitrogen, and the maximum value of film-forming rate is attained when a flow ratio of nitrogen is 80-85%.例文帳に追加

酸素に窒素を混合することで成膜レートが上昇し、窒素の流量比が８０〜８５％のときに成膜レートの最大値が得られる。 - 特許庁

To control desorption of the nitrogen atom from a nitrided high-dielectric film.例文帳に追加

窒化処理された高誘電体膜からの窒素原子の脱離を抑制する。 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION METHOD FOR NITROGEN DOPED SILICON CARBIDE FILM例文帳に追加

窒素がドープされたシリコンカーバイド膜の蒸着方法 - 特許庁

The electroconductive thin film 103 includes ruthenium and nitrogen.例文帳に追加

導電薄膜１０３は、ルテニウムと窒素から構成されたものである。 - 特許庁

AMORPHOUS CARBON-NITROGEN-SILICON FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

アモルファス炭素−窒素−珪素膜及びその製造方法 - 特許庁

The process for forming the titanium silicide film 102 is performed under a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

このチタンシリサイド膜１０２の形成工程を、窒素雰囲気下で行う。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY FILM FORMATION OF METAL NITROGEN COMPOUND例文帳に追加

金属窒素化合物の分子線エピタキシー成膜方法及び装置 - 特許庁

NITROGEN-CONTAINING VANADIUM FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND MACHINE COMPONENT例文帳に追加

窒素含有バナジウム被膜、その製造方法及び機械部材 - 特許庁

The charge storage layer 7 is formed with a nitrogen containing insulating film.例文帳に追加

電荷蓄積層７は窒素を含む絶縁膜により形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR FILLING DRY NITROGEN INTO TIRE BY USING HOLLOW YARN SEPARATING FILM例文帳に追加

中空糸分離膜を用いて乾燥窒素をタイヤへ充填する方法 - 特許庁

NITROGEN-ADDED GLASS FILM AND METHOD FOR PRODUCING WAVEGUIDE USING THE SAME例文帳に追加

窒素添加ガラス膜及びそれを用いた導波路の製造方法 - 特許庁

In this case, the oxide thin film is formed desirably in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

また、上記の酸化物薄膜は好ましくは窒素雰囲気中で成膜される。 - 特許庁

PHOTOCATALYTIC NITROGEN-DOPED TITANIUM OXIDE THIN FILM AND ITS DEPOSITING METHOD例文帳に追加

光触媒窒素ドープ酸化チタン薄膜及びその成膜方法 - 特許庁

Oxygen, nitrogen, argon or the like is used as an introduction gas during the film deposition.例文帳に追加

成膜時の導入ガスとして酸素、窒素、アルゴン等を用いる。 - 特許庁

NITROGEN-CONTAINING SUBSTRATE AND PRODUCTION OF SILICON DIOXIDE-CAPPED FILM例文帳に追加

窒素含有基板及び二酸化シリコンキャップフィルムの製造方法 - 特許庁

The nitrogen-containing vanadium film is provided in which VxNy crystals are dispersed.例文帳に追加

ＶｘＮｙ結晶を分散せしめた窒素含有バナジウム被膜である。 - 特許庁

NITROGEN OXIDE REMOVING FILM FORMATION METHOD ON SURFACE OF EXISTING STRUCTURE例文帳に追加

既設構造物表面への窒素酸化物除去皮膜形成方法 - 特許庁

METHOD OF GENERATING NITROGEN RADICAL AND METHOD OF FORMING NITRIDE THIN FILM例文帳に追加

窒素ラジカルの生成方法及び窒化薄膜の形成方法 - 特許庁

TRANSLUCENT ELECTRODE FILM AND GROUP III NITROGEN COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

透光性電極用膜及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子 - 特許庁

The AlN film suppresses intrusion of nitrogen into the heating coil 9.例文帳に追加

ＡｌＮ膜により、窒素の発熱コイル９内部への侵入が抑制される。 - 特許庁

NITROGEN-IMPLANTED C60 FLULLERENE THIN FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒素注入Ｃ６０フラーレン薄膜およびその作製方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ANTI-CORROSION ON METAL THIN FILM BY USING NITROGEN EXPOSURE TREATMENT例文帳に追加

窒素曝露処理によって金属薄膜上に耐食層を形成する方法 - 特許庁

To provide a method for producing a nitrogen-containing zinc oxide film.例文帳に追加

窒素を含有する酸化亜鉛膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a siliceous film containing a low concentration of nitrogen.例文帳に追加

膜中窒素濃度が低いシリカ質膜の形成方法の提供。 - 特許庁

In addition, the light-shielding film is made of a material containing chrome and nitrogen.例文帳に追加

また、前記遮光膜は、クロムと窒素を含む材料としている。 - 特許庁