「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An oxynitride film is formed in the prescribed region of an isolation oxide film by implanting nitrogen ions.例文帳に追加

本発明は、窒素イオンを注入して隔離酸化膜内の所定領域にオキシナイトライド膜を形成する。 - 特許庁

A gate insulated film 25 including nitrogen is formed on a semiconductor substrate 10, and a gate electrode 27 is formed selectively on the gate insulating film 25.例文帳に追加

半導体基板１０上に窒素を含むゲート絶縁膜２５を形成し、このゲート絶縁膜２５上に選択的にゲート電極２７を形成する。 - 特許庁

Since silicon contained in the silicon nitride film is inactivated by nitrogen, the silicon never damages the TMR film 2.例文帳に追加

窒化珪素膜中の珪素は、窒素によって不活性化されるので、TMR膜２に対して損傷を与えることはない。 - 特許庁

Thereafter, the thin film containing silicon is exposed in second gas containing nitrogen and metal to form a silicificated nitrided metal film 7.例文帳に追加

その後、シリコン含有薄膜上に窒素、及び金属を含む第２のガスを暴露し、ケイ化窒化金属膜７を形成する。 - 特許庁

Nitrogen ions are implanted in the insulating film 112 by using a resist mask 113 as a mask on the insulating film 112.例文帳に追加

絶縁膜１１２の上にレジストマスク１１３をマスクとして、絶縁膜１１２に窒素イオンの注入を行なう。 - 特許庁

The second inorganic insulating film 8010 containing the nitrogen hardly permeating the moisture is thereafter deposited to cover the opened organic resin film.例文帳に追加

その後、開口された有機樹脂膜を覆うように、水分を透過させにくい窒素を含む第２無機絶縁膜８０１０を成膜する。 - 特許庁

Oxygen or nitrogen is bonded with an element which constitutes the magnetic film 3 to form a compound in the magnetic film 3.例文帳に追加

酸素または窒素は、磁性膜３を構成する元素と結合して磁性膜３中で化合物を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric film contains at least either oxygen or nitrogen and the Young's modulus of the piezoelectric film is 200×10^9 [N/m^2] or more.例文帳に追加

圧電膜は、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含有し、圧電膜のヤング率は、２００×１０^９［Ｎ／ｍ^２］以上である。 - 特許庁

In this case, nitrogen discharged from the resist pattern 60 into a film formation atmosphere is doped in the tantalum film 13.例文帳に追加

その際、レジストパターン６０から成膜雰囲気中に放出された窒素は、タンタル膜１３にドープされる。 - 特許庁

As a result of the plasma nitriding, active nitrogen is introduced and the silicon oxide film is nitrided and consequently a silicon oxynitrided film is obtained.例文帳に追加

このプラズマ窒化の結果、活性窒素の導入によりシリコン酸化膜が窒化され、シリコン酸窒化膜が得られる。 - 特許庁

To provide a method of depositing a carbon nitride film of higher quality by increasing the nitrogen content of the carbon nitride film.例文帳に追加

窒化炭素膜の窒素含有量を多くして、より良質な窒化炭素膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The upper electrode film TE includes a material having nitrogen concentration lower than that of the lower electrode film BE.例文帳に追加

また、前記上部電極膜ＴＥは、前記下部電極膜ＢＥよりも窒素濃度が低い材料によって構成される。 - 特許庁

Then a nitrogen-containing inorganic insulating film which has smaller permeability to water than the organic resin is formed over the organic resin film with the opening.例文帳に追加

その後、開口された有機樹脂膜を覆うように、有機樹脂と比較して水分を透過させにくい窒素を含む無機絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

To form an insulating film with extremely low concentration of impurities, such as carbon, hydrogen, nitrogen, chlorine, in the film, at a low temperature.例文帳に追加

膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。 - 特許庁

The thin film 215 and the substrate 220 are annealed to crystallize spincoated film 215 in a gaseous atmosphere containing gas including nitrogen as an element.例文帳に追加

元素として窒素を含有するガスを含むガス雰囲気中において、薄膜２１５と基板２２０をアニールし、スピンコート膜２１５を結晶化させる。 - 特許庁

The film of silicon glass(FSG) doped with fluorine is exposed to a plasma containing nitrogen for nitrifying a part of the FSG film.例文帳に追加

フッ素ドープされたシリコンガラス（「ＦＳＧ」）の薄膜は、ＦＳＧ薄膜の一部を窒化するために窒素含有プラズマに曝される。 - 特許庁

In advance of the deposition of a Ta barrier metal film, the exposed surface of the fluoridated carbon film is treated with nitrogen radical etc. to remove fluorine atoms.例文帳に追加

Ｆ添加カーボン膜の露出表面を、Ｔａバリアメタル膜の堆積に先立って、窒素ラジカルなどにより処理し、Ｆ原子を除去する。 - 特許庁

Accordingly, there can be realized an oxide/nitride film which has 20% or more of nitrogen atoms with respect to the number of oxygen atoms in the film.例文帳に追加

これにより膜中の酸素原子数に対する窒素原子数が２０％以上の酸窒化膜を実現する。 - 特許庁

The gate dielectric 13 is constituted of an oxide film (SiO_2) and a diffusion prevention film (BN) containing at least a boron atom and a nitrogen atom.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１３は、酸化膜（ＳｉＯ_２）と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（ＢＮ）とから構成される。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a multilayer film of diamond-like carbon, which can form a thin film of a good quality with a nitrogen passivation function.例文帳に追加

品質の良い薄膜を形成することができる窒素パッシベーション機能を有するダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置を提供する。 - 特許庁

Alternatively, at least one kind of gas selected from gaseous oxygen, gaseous carbon oxide and gaseous nitrogen oxide is adsorbed on a substrate before DLC film deposition, and after that, film deposition is performed.例文帳に追加

あるいは、ＤＬＣ成膜前に酸素ガス、酸化炭素ガス、酸化窒素ガスの少なくとも一種類のガスを基板に吸着させた後、成膜する。 - 特許庁

By the addition of the organic nitrogen-containing compound, carbon is present in the film obtained by heat curing and the film becomes brown.例文帳に追加

有機含窒素化合物の添加効果により、加熱硬化させて得られた膜中には炭素が存在し褐色の膜となる。 - 特許庁

To provide a method of growing a thin oxynitride film on a substrate by adding a high concentration nitrogen to an oxynitrid film using a water-vapor thermal-oxidation process.例文帳に追加

水蒸気熱酸化を利用して酸窒化膜へ高濃度の窒素を加え、基板上へ酸窒化物薄膜を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

The nitrogen concentration in the first high-dielectric film 103 is lower than that in the second high-dielectric film 105.例文帳に追加

第１の高誘電体膜１０３における窒素濃度は、第２の高誘電体膜１０５における窒素濃度よりも低い。 - 特許庁

A second high-dielectric film 105 is prepared on the first high-dielectric film 103, containing nitrogen.例文帳に追加

第２の高誘電体膜１０５は、第１の高誘電体膜１０３の上に設けられ、窒素を含有している。 - 特許庁

On the substrate 1 where the gate electrode is buried, a gate nitrogen film 6 and a gate oxide film 7 are continuously formed.例文帳に追加

ゲート電極を埋め込んだ基板１の上にゲート窒素膜６及びゲート酸化膜７を連続成膜する。 - 特許庁

It is then heat treated at 600°C for 12 hours in a nitrogen atmosphere in order to crystallize the a-Si film 12a thus forming a CGD film 13.例文帳に追加

そして、窒素雰囲気中にて６００℃、１２時間の加熱処理を行って、ａ−Ｓｉ膜１２ａを結晶化して、ＣＧＳ膜１３を形成する。 - 特許庁

The first ZAO film and the second ZAO film are different in an oxygen percentage content, a nitrogen percentage content, or a crystal state and/or a surface shape.例文帳に追加

第一のＺＡＯ膜と第二のＺＡＯ膜は、酸素含有率、窒素含有率、または結晶状態および・または表面形状が異なる。 - 特許庁

In this method, an ultrathin film jetting technique is adopted and the thickness of the thin film is assumed to be 2 mm and the jetting speed of liquid nitrogen to be 30 m/s.例文帳に追加

この方法には超薄膜噴射技術が採用され、前記薄膜の厚さは２ｍｍ、液体窒素の噴射速度は３０ｍ／ｓとする。 - 特許庁

The first ATO film and the second ATO film are different in an oxygen percentage content, a nitrogen percentage content, or a crystal state and/or a surface shape.例文帳に追加

第一のＡＴＯ膜と第二のＡＴＯ膜は、酸素含有率、窒素含有率または結晶状態および・または表面形状が異なる。 - 特許庁

Since oxidative reactions are suppressed in a nitrogen-introduced region, the insulating film 10 is formed larger in thickness than the gate insulating film 9.例文帳に追加

窒素が導入された領域では、酸化反応が抑制されるので、絶縁膜１０は、ゲート絶縁膜９よりも厚く形成される。 - 特許庁

A zinc oxide thin film produced by the method can become a thin film which achieves p-type characteristic by containing nitrogen.例文帳に追加

本発明により製造した酸化亜鉛薄膜は、窒素を含有することでｐ型特性を実現する薄膜になりうる可能性がある。 - 特許庁

The side surface of the Al film is subjected to nitriding by irradiating a nitrogen plasma on the side surface and a nitride layer 4b is formed on the exposed side surface of the Al film 4 (c).例文帳に追加

窒素プラズマを照射することにより、窒化処理を行い露出したＡｌ膜４側面に窒化層４ｂを形成する（ｃ）。 - 特許庁

Moreover, by increasing the flow rate of the N2O, the hydrogen concentration and the nitrogen concentration in the oxynitride silicon film are decreased and the oxygen concentration in the silicon film can be increased.例文帳に追加

また、Ｎ_2Ｏの流量の増加により膜中の水素濃度と窒素濃度が減少し酸素濃度を高くすることができる。 - 特許庁

The ONO film 6 and the ONO film 13 comprise nitrogen films 6b, 13b having a charge capture part for capturing charges.例文帳に追加

ＯＮＯ膜６とＯＮＯ膜１３は、電荷を捕獲する電荷捕獲部を有する窒化膜６ｂ，１３ｂを備える。 - 特許庁

As the substrate S, a nitrogen-containing gate insulating film substrate is employed on which a film forming side is formed on the substrate body.例文帳に追加

基板Ｓを水素を含む水素結合処理用ガスのプラズマに曝してのち、該基板に結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成方法。 - 特許庁

In the process of removing the carbon film, the carbon film is removed using hydrogen plasma, fluorine sulfide plasma, carbon fluoride plasma, or nitrogen plasma.例文帳に追加

カーボン膜を除去する工程は、水素プラズマ、硫化フッ素プラズマ、フッ化カーボンプラズマ、窒素プラズマを用いてカーボン膜を除去する。 - 特許庁

To form an insulating film with extremely low concentration of impurities such as carbon, hydrogen, nitrogen, chlorine, etc in a film at a low temperature.例文帳に追加

膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。 - 特許庁

The first high dielectric constant film 14Xa has higher nitrogen concentration than the second high dielectric constant film 14x and does not contain the first metal for adjustment.例文帳に追加

第１の高誘電率膜１４Ｘａは、第２の高誘電率膜１４ｘよりも窒素濃度が高く、且つ、第１の調整用金属を含まない。 - 特許庁

The film forming method of an insulating film according to one embodiment uses a mixture gas of nitrogen and oxygen as a reactive gas.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る絶縁膜の成膜方法においては、反応性ガスとして、窒素と酸素の混合ガスが用いられる。 - 特許庁

To provide a method for treating substrate, capable of promoting introduction of nitrogen in an oxide film, thereby improving the permittivity and the reliability of the oxide film.例文帳に追加

酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Or else, the invention provides the transparent conductive film wherein the doping ratio of the tin to the indium in the film is 4.2-8.3 atomic %, and the nitrogen is not included.例文帳に追加

又は膜中のＩｎに対するＳｎのド−プ量が４．２〜８．３原子％で、窒素を含まない透明導電膜。 - 特許庁

It is considered that the exposure of the metal thin film to nitrogen gases causes a nitride to be formed on a thin surface area of the metal thin film, so that corrosion resistance is enhanced.例文帳に追加

金属薄膜を窒素に曝すと、金属薄膜の薄い表面領域に窒化物が生成され、耐食性が向上すると考えられる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process for forming a thin film of platinum that contains oxygen and nitrogen, oxygen and boron, or oxygen, nitrogen, and boron by a reactive vacuum vapor deposition method; and a process for forming a catalyst of web structure whose main component element is platinum in a reducing process, with the thin film of the platinum containing oxygen and nitrogen, oxygen and boron, or oxygen, nitrogen, and boron.例文帳に追加

反応性真空蒸着法によって白金に酸素と窒素、あるいは酸素と硼素、あるいは酸素と窒素と硼素を含有する薄膜を形成する工程、前記白金に酸素と窒素、あるいは酸素と硼素、あるいは酸素と窒素と硼素を含有する薄膜を還元処理して、白金を主構成元素とするくもの巣状構造の触媒を形成する工程を有する電極触媒層の製造方法。 - 特許庁

The film forming device has a process for generating plasma in a film forming chamber, reacting nitrogen atoms with boron and carbon in the film forming chamber and being irradiated with light after the boron, carbon and nitrogen film is formed on a substrate.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 - 特許庁