「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The passive film is formed by heating the stainless steel in the atmosphere of nitrogen partial pressure of 0.05 atm and a dew point of -35°C or less.例文帳に追加

不動態皮膜は、窒素分圧：０.０５気圧以上，露点：−３５℃以下の雰囲気中で該ステンレス鋼を加熱することにより形成される。 - 特許庁

The film 15 is composed of an inorganic compound which comprises either oxygen or nitrogen as a constituent element and is different from a group III nitride.例文帳に追加

膜１５は、酸素および窒素の少なくともいずれか一方を構成元素として含みIII族窒化物と異なる無機化合物からなる。 - 特許庁

The polycarbonate article is coated with a hard coating film comprising SiO_2 as a major component and nitrogen in an amount of 0.005-5% by atomic percent.例文帳に追加

ＳｉＯ_２を主成分とし且つ窒素を原子百分率で０．００５〜５％含有するハードコート膜を被覆したポリカーボネート製品。 - 特許庁

The sliding member includes the amorphous carbon film containing silicon and nitrogen and formed on a sliding surface of a substrate.例文帳に追加

基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。 - 特許庁

A portion BL of the barrier layer BR which faces the liner film LN is made of a compound containing at least one of carbon and nitrogen.例文帳に追加

バリア層ＢＲのライナー膜ＬＮと面する部分ＢＬは、炭素および窒素の少なくともいずれかを含む化合物からなる。 - 特許庁

To provide a method for quantitating the amount of nitrogen introduced into an insulating film in plasma nitriding treatment in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、プラズマ窒化処理によって絶縁膜中に導入される窒素量を定量する方法を提供する。 - 特許庁

COMPOSITE MATERIAL OF MULTI-COMPOUND CONTAINING NITROGEN, ALUMINIUM AND OTHER METAL, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, INSULATION FILM, INSULATION ADHESIVE, AND HEAT EXCHANGER例文帳に追加

窒素とアルミニウムと他金属とを含む多元化合物の複合材料、その製造方法、絶縁フィルム、絶縁接着剤及び熱交換器 - 特許庁

The semiconductor film is characterized by being formed on the base material, and containing a group 13 element, nitrogen, and oxygen of not less than 15 atom%.例文帳に追加

基材上に形成され、１３族元素と窒素と１５原子％以上の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜。 - 特許庁

Since an insulating layer 14x is a tantalum oxide film containing nitrogen, the non-linear element 10x has excellent non-linearity.例文帳に追加

絶縁層１４ｘは、窒素を含有するタンタル酸化膜であるため、非線形素子１０ｘは、非線形性に優れている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing nitrogen concentration on the interface between a semiconductor substrate and a gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜との界面の窒素濃度の低減が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The diamond film is synthesized on a base body and contains nitrogen in an amount of ≥3×10^18 cm^-3.例文帳に追加

基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, in the second drying process 16, the insulating film and metal wiring are dried up in the nitrogen atmosphere, for example, under the normal temperature.例文帳に追加

その後、第２の乾燥処理１６では、絶縁膜及びメタル配線を例えば常温の窒素雰囲気中で乾燥する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a silicon and nitrogen containing film in fine trenches and gaps on a substrate.例文帳に追加

基板上の微細なトレンチおよびギャップにシリコンおよび窒素含有膜を堆積する方法を提供する。 - 特許庁

A cBN film formed of compounds of nitrogen and boron is deposited on surfaces of the works 36, etc.例文帳に追加

これによって、被処理物３６，３６，…の表面に、窒素およびホウ素の化合物であるｃＢＮ膜が形成される。 - 特許庁

The bond between the metallic atom and the nitrogen in the metallic acid nitride film is 10^19/cm^3 or less.例文帳に追加

前記金属酸窒化膜中の前記金属原子と前記窒素との結合は、１０^19／ｃｍ^3以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In addition, the copper-nickel-containing paste is applied to a substrate, and heat-treated in a nitrogen gas flow, whereby a copper-nickel alloy film is formed.例文帳に追加

さらに、前記銅‐ニッケル含有ペーストを基板に塗布し、窒素気流中で熱処理し、銅‐ニッケル合金膜を形成する。 - 特許庁

Furthermore, nitrogen concentration is low in the neighborhood of an interface with the semiconductor surface area CH, and increases toward the inside of the bottom insulation film.例文帳に追加

さらに、半導体表面領域ＣＨとの界面付近で窒素濃度が低く、ボトム絶縁膜内側に向かって増加する。 - 特許庁

The nitrogen gas aids not only the other chemical precursors and a plasma seeds during the PECVD processing, but also participates in a film formation.例文帳に追加

窒素ガスは他の化学前駆物質及びＰＥＣＶＤ処理中のプラズマ種を補助するだけでなく、膜形成に関与する。 - 特許庁

Then, the flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas is raised, and the same sputtering process is carried out, by which a titanium nitride film 4 is formed.例文帳に追加

次に、アルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を上げて同様のスパッタリングを行うことにより、窒化チタン膜４を形成する。 - 特許庁

Then it is thermally processed in an inert gas such as nitrogen to reform the oxide film for less leak current density.例文帳に追加

その後窒素等の不活性ガス中で熱処理し、リーク電流密度が小さくなるよう酸化膜を改質する。 - 特許庁

To prevent deterioration of a semiconductor substrate, in a method of manufacturing a semiconductor device that includes a step of dissolving and removing a silicon nitride film and silicon nitrogen oxide.例文帳に追加

窒化シリコン膜、窒化酸化シリコンを溶解除去する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の劣化を防止すること。 - 特許庁

The protective film 2 is peeled from the target 1, and oxygen plasma or nitrogen plasma utilizing glow discharge in the air is applied thereto.例文帳に追加

前記ターゲット１から前記保護膜２を剥がし、大気中でのグロー放電を利用した酸素プラズマまたは窒素プラズマを当てる。 - 特許庁

LOW MOLECULAR CONJUGATED NITROGEN COMPOUND, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC SOLAR BATTERY AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, USING THE COMPOUND例文帳に追加

低分子共役窒素化合物並びにこれを用いた有機薄膜トランジスタ、有機太陽光電池および有機電界発光素子 - 特許庁

A surface channel layer 5 positioned at the lower part of a gate oxide film 7 is formed with a doping concentration of nitrogen of 1×1015 cm-3 or less.例文帳に追加

ゲート酸化膜７の下部に位置する表面チャネル層５を、窒素のドーピング濃度が１×１０^15ｃｍ^-3以下で形成する。 - 特許庁

Particularly, the effect becomes extremely high when the nitrogen concentration in the silicon carbonitride film is ≥10 atm% and <35 atm%.例文帳に追加

特にシリコン炭化窒化膜中の窒素濃度が１０ａｔｍ％以上３５ａｔｍ％未満であるとき極めて効果が大きい。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 contains a significant quantity of at least one of oxygen and nitrogen in a magnetic film 3.例文帳に追加

磁気記録媒体１０は、磁性膜３中に酸素または窒素の少なくとも一方を有意の量で含有している。 - 特許庁

To introduce a large amount of nitrogen to the internal wall oxide film inside a trench, while suppressing deterioration in the reliability of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の信頼性の劣化を抑制しつつ、トレンチ内の内壁酸化膜に多量の窒素を導入する。 - 特許庁

Specifically, correlation between impurity concentration in the treating gas and the film thickness or nitrogen concentration is previously measured and defined.例文帳に追加

ここで、詳細には、処理ガス中の不純物濃度と膜厚又は窒素濃度との相関関係を予め計測し規定しておく。 - 特許庁

Carbon components are made to escape from the surface of the organic and inorganic hybrid film 104 by nitrogen contained in the etching gas, and the property of the surface is improved.例文帳に追加

エッチングガスに含まれる窒素により、有機無機ハイブリッド膜１０４の表面部から炭素成分が脱離して、該表面部は改質される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PLATINUM THIN FILM ORIENTED PREFERENTIALLY USING NITROGEN, AND DEVICE TO BE MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

窒素を使用して優先配向された白金薄膜を形成する方法と、その形成方法により製造された装置 - 特許庁

A nitrogen-containing inorganic insulating film which has smaller permeability to water than organic resin is formed over a TFT.例文帳に追加

該ＴＦＴを覆うように、有機樹脂と比較して水分を透過させにくい窒素を含む無機絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

Specifically, in the porous film, the above polymer is a nitrogen-containing aromatic polymer.例文帳に追加

熱分解開始温度が２００℃以上である重合体が含窒素芳香族重合体である前記の多孔質フィルム。 - 特許庁

Irradiation with the nitrogen plasma can be carried out by utilizing a cleaning chamber annexed to a sputtered film forming device.例文帳に追加

窒素プラズマの照射はスパッタ成膜装置に付随するクリーニング室を利用して行うことができる。 - 特許庁

Then surface defects which occur on the main surface 2A of the foundation film 2 are removed by heat-treating the main surface 2A in an atmosphere containing a reducing nitrogen.例文帳に追加

次いで、下地膜２の主面２Ａを還元性の窒素を含む雰囲気中で熱処理し、下地膜２の主面２Ａ上の表面欠陥を除去する。 - 特許庁

The first inorganic insulating film 8008 containing nitrogen hardly permeating the moisture is deposited to cover a TFT 8001.例文帳に追加

ＴＦＴ８００１を覆うように、水分を透過させにくい窒素を含む第１無機絶縁膜８００８を成膜する。 - 特許庁

A conductive film containing silicon and nitrogen, which is 5-30 atomic number% with respect to silicon, is employed as at least one part of a gate electrode 3.例文帳に追加

シリコンと、シリコンに対して５〜３０原子数％の窒素を含有する導電膜をゲート電極３の少なくとも一部として用いる。 - 特許庁

Consequently, the partial pressure of the water vapor in the nitrogen gas for freeze dry is lower than the vapor pressure (sublimation pressure) of the freezing film 12, whereby sublimation dry goes on.例文帳に追加

このため、凍結乾燥用窒素ガス中の水蒸気の分圧は凍結膜１２の蒸気圧（昇華圧）よりも低く昇華乾燥が進行する。 - 特許庁

Before film formation, nitrogen gas is introduced in a reaction chamber and is in a prescribed pressure reduction state (2×10^3 Pa).例文帳に追加

成膜前は反応室には窒素ガスが導入され所定の減圧状態（２×１０^^３ Ｐａ）にある。 - 特許庁

In the first drying process 12, the insulating film and metal wiring are dried up, for example, in the nitrogen atmosphere under the normal temperature.例文帳に追加

第１の乾燥処理１２では、絶縁膜及びメタル配線を例えば常温の窒素雰囲気中で乾燥する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a gate insulating film, having an improved nitrogen concentration profile and good electrical characteristics, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

窒素濃度プロファイルが改善されたゲート絶縁膜を有する電気的特性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a highly reliable silicide film of a low resistance with a nitrogen introduction and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

窒素導入された低抵抗で信頼性の高いシリサイド膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the jetting of nitrogen gas can be suppressed by providing the similar oxide film on the sealing part of the package.例文帳に追加

また、パッケージの封着部も同様の酸化膜を設けることにより、窒素ガスの噴出を抑制できる。 - 特許庁

The contact stop liner film 7 is composed of a plurality of layers of silicon nitride films, which are mutually different in nitrogen concentration.例文帳に追加

コンタクトストップライナ膜７は窒素濃度が互いに異なる複数層のシリコン窒化膜から構成されている。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR FILM, DEVICE USED FOR THE SAME, DEVICE FOR PURIFYING NITROGEN RAW MATERIAL, SEMICONDUCTOR LASER AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システム - 特許庁

First, inert gas such as argon and nitrogen for preventing deposition of any oxide film on the inner surface of the piping 12 to be withdrawn is allowed to continuously flow inside the piping 12.例文帳に追加

まず撤去する配管１２の内部にアルゴンや窒素など、配管１２内面への酸化皮膜の生成を防止する不活性ガスを流し続ける。 - 特許庁