「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a film forming method capable of improving reproducibility by stabilizing nitrogen concentration in a film and of improving the in-plane uniformity of film thickness.例文帳に追加

膜中の窒素濃度を安定化して再現性を向上させることができ、しかも膜厚の面内均一性を向上させることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

In the removal process, gas involving N atoms activated by plasma is supplied to remove a specific element as an impurity in a film formed in the film formation process, and to mix nitrogen into the film.例文帳に追加

除去工程では、プラズマで活性化させたＮ原子を含むガスを供給して、成膜工程において形成した膜中の不純物となる特定元素を除去するとともに窒素を混入させる。 - 特許庁

The thin film 102 and the peel film 104 are cooled with a coolant such as liquid nitrogen or liquid helium, and the peel film 104 is peeled off from the substrate 101 to manufacture a stamper.例文帳に追加

液体窒素または液体ヘリウムなどの冷却材により薄膜１０２および剥離膜１０４を冷却し、基板１０１から剥離膜１０４を剥離してスタンパを作製する。 - 特許庁

When a polysilicon film pattern 111 is formed as a gate electrode on a High-k film 105, the High-k film 105 is dry-etched using boron-trichlodide gas and nitrogen gas.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋ膜１０５上に、ゲート電極としての多結晶シリコン膜パターン１１１が形成されている場合において、三塩化ホウ素ガスおよび窒素ガスを用いてＨｉｇｈ−ｋ膜１０５をドライエッチングする。 - 特許庁

In the production method for the transparent vapor-deposited film, the surface of a biaxially oriented polyethylene terephthalate film is subjected to plasma treatment with a gaseous nitrogen made into plasma by microwaves, and further an inorganic oxide is layered on the film.例文帳に追加

２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの表面をマイクロ波でプラズマ化した窒素ガスによりプラズマ処理し、さらに無機酸化物を積層することを特徴とする透明蒸着フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The same plasma apparatus as one that forms the oxide film 14 is continuously used to generate nitrogen plasma 18 for nitriding the oxide film 14, and then to form an oxynitrided film 20.例文帳に追加

この酸化膜１４を形成したのと同じプラズマ装置を連続して用い、窒素プラズマ１８を生成し、酸化膜１４を窒化し、酸窒化膜２０を形成する。 - 特許庁

The gate body structure includes a gate insulating film comprised of an oxide that does not contain nitrogen, and a gate conducting film formed on the gate insulating film.例文帳に追加

前記ゲート構造物は、窒素を含まない酸化物で構成されるゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート導電膜を有する。 - 特許庁

After a silicon oxynitride film 12 is formed on an Si substrate 10, high concentration nitrogen having steep distribution is introduced into the silicon oxynitride film 12 by performing heat treatment while bringing NO gas into contact with the silicon oxynitride film 12.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にシリコン酸窒化膜１２を形成した後、ＮＯガスをシリコン酸窒化膜１２に接触させながら熱処理を施すことにより、シリコン酸窒化膜１２の内部に急峻な分布を持った高濃度の窒素を導入する。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon nitride film includes a step of depositing the silicon nitride film at a film depositing temperature lower than 200°C by a plasma chemical vapor deposition method using a silicon source gas, a nitrogen source gas and a raw material gas containing a hydrogen on a substrate.例文帳に追加

基体上に、珪素源ガス、窒素源ガス及び水素を含む原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法により、２００℃未満の成膜温度で、窒化シリコン膜を成膜する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The wettability of the surface of a transparent organic resin film 15b is improved by subjecting the interlayer insulating film 15 to nitrogen plasma treatment after dry etching the interlayer insulating film 15 to form a contact hole 16.例文帳に追加

層間絶縁膜１５にドライエッチングを行ってコンタクトホール１６を形成後、窒素プラズマ処理を施すことによって、透明有機樹脂膜１５ｂ表面のぬれ性を改善する。 - 特許庁

A silicon oxide film 15A is formed on the floating gate 14 by a CVD method, and a nitride film 15B is formed by introducing nitrogen in the vicinity of an interface between the floating gate 14 and the silicon oxide film 15A.例文帳に追加

浮遊ゲート１４上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１５Ａが形成され、浮遊ゲート１４とシリコン酸化膜１５Ａとの界面近傍に窒素が導入されて窒化層１５Ｂが形成される。 - 特許庁

The gate insulating film comprising an insulating film at least containing nitrogen is formed on the substrate, and heat treatment of not more than about 500 msec is applied from the upper part of the gate insulating film employing a flush lamp.例文帳に追加

基板に、少なくとも窒素を含む絶縁膜を含むゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上から、フラッシュランプを用いて、約５００msec以下の熱処理を行う。 - 特許庁

The passivation film which is a film of the silicon oxide nitride (SiO_xN_y), in which ratio of nitrogen atoms (N) and oxygen atoms (O) is tiltingly varied in the depth direction of the film is formed between the color filter and a transparent electrode on a substrate.例文帳に追加

窒化酸化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）からなる膜であって、膜の深さ方向で窒素原子（Ｎ）と酸素原子（Ｏ）の比率が傾斜的に変化しているパッシベーション膜を基板上のカラーフィルター層と透明電極間に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted of an insulating film composed of a nitrogen-containing metal silicate film, of which crystallization can be inhibited, which has a sufficiently high dielectric constant and a leakage current from which is made lower than that from an oxide film.例文帳に追加

膜の結晶化を抑制可能であると同時に、十分に高い誘電率を有し、しかも酸化膜よりもリーク電流が低減された、窒素含有金属シリケート膜からなる絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the method for forming two types of gate insulating film having different thicknesses, after the first insulating film is formed, a nitrogen layer is formed on a surface of the first insulating film.例文帳に追加

厚さの異なる２種類のゲート絶縁膜の形成方法において、第１絶縁膜を形成した後、第１絶縁膜の表面に窒化層を形成する。 - 特許庁

The sliding component includes a substrate and a hard film formed on the substrate, wherein the hard film has an amorphous carbon film containing nitrogen and a metal element, which are added, formed on its topmost surface layer (surface layer).例文帳に追加

基材と基材上に形成された硬質皮膜とを備えた摺動部品であって、前記硬質皮膜の最表面層（表層）に窒素と金属元素とを添加した非晶質炭素被膜を設けたことにある。 - 特許庁

To provide a thin film depositing method for achieving plasma of high density and depositing a thin film of excellent quality at high speed even when inexpensive discharge gas such as nitrogen is used, and to provide a base material having a dense thin film of excellent quality at a low cost.例文帳に追加

窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る薄膜形成方法を提供し、これにより良質で緻密な薄膜を有する基材を安価に提供する。 - 特許庁

For example, an inert gas such as a nitrogen gas is introduced into the film forming chamber degassed by the vacuum pump to purge the inside of the film forming chamber, thereby forming a state where the material gas 121 is removed with one part left in the inside of the film forming chamber.例文帳に追加

例えば、真空ポンプで排気された状態の成膜室内に、窒素ガスなどの不活性ガスを導入して成膜室内をパージし、成膜室内部に一部を残して原料ガス１２１が除去された状態とする。 - 特許庁

To effectively implement the removal process of a specific element just after the formation of an Hf-based oxide film, and to improve thermal stability and hence suppress the diffusion of an impurity by mixing nitrogen into the Hf-based oxide film formed in a film formation process.例文帳に追加

Ｈｆ系酸化膜形成直後に特定元素の除去工程を効率的に実施し、さらに、成膜工程で成膜したＨｆ系酸化膜に窒素を混入させて、その熱的安定性を高め、不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

The conductive film 2 is composed of a material containing e.g. chromium (Cr), and nitrogen (N) is contained in the substrate 1 side of the conductive film 2, and at least either oxygen(O) or carbon(C) is contained at the surface side of the conductive film.例文帳に追加

導電膜２は例えばクロム（Ｃｒ）を含む材料からなり、導電膜２のうち基板１側には窒素（Ｎ）を含み、表面側には酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）の少なくとも何れか一方を含む。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method, and a thin film deposition apparatus capable of depositing a nitride containing thin film having the desired optical/physical characteristic by preventing the reaction of a target itself caused by a reactive gas such as nitrogen gas.例文帳に追加

窒素ガス等の反応性ガスによるターゲット自体の反応を防止し、所望の光学的・物理的特性を有する窒化物含有薄膜を形成することを可能にする。 - 特許庁

The method for forming a silicon nitride film comprises a step for forming a silicon film on a basic material using a silicon compound gas containing no hydrogen as a material gas, and a step for supplying a nitrogen gas or a nitrogen compound gas containing no hydrogen above the silicon film and nitriding the silicon film by irradiating it with electromagnetic waves.例文帳に追加

基材上に水素非含有シリコン化合物ガスを材料ガスとしてシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、上記シリコン膜上に窒素ガス又は水素非含有窒素化合物ガスを配し、さらに上記シリコン膜に電磁波を照射して上記シリコン膜を窒化する窒化工程とを備える。 - 特許庁

A nitrogen-containing chromium film is deposited on a base material 20 via a chromium film by performing the sputtering by using a chromium target for a target 22 in a vacuum processing chamber 12 of a processing apparatus 10, and then, sputtering is performed by using a carbon target for the target 22 to deposit a DLC film on the nitrogen-containing chromium film.例文帳に追加

処理装置１０の真空処理室１２内において、ターゲット２２としてクロムターゲットを使用してスパッタリングすることにより、母材２０上にクロム皮膜を介して窒素含有クロム皮膜を形成した後、ターゲット２２としてカーボンターゲットを使用してスパッタリングすることにより、窒素含有クロム皮膜上にＤＬＣ皮膜を形成する。 - 特許庁

The concentration of nitrogen in the silicon oxynitride film has a distribution in the film thickness direction, and the concentration is low near the interface with the silicon substrate while high near the interface with the high dielectric insulating film, relative to the average value of the concentration of the nitrogen in the silicon oxynitride film.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成されたシリコン酸窒化膜と、このシリコン酸窒化膜の上に形成された高誘電率絶縁膜とを有する半導体装置において、シリコン酸窒化膜中の窒素濃度が膜厚方向に分布を持ち、このシリコン酸窒化膜中の窒素濃度の平均値に対してシリコン基板との界面付近で低く、高誘電率絶縁膜との界面付近で高くなることを特徴とする。 - 特許庁

An RTA furnace for rapid heating and rapid cooling is used to apply heat treatment to a silicon wafer having an oxide film of 30-100 Å thicker than the thickness of a natural oxide film in an atmosphere of nitrogen gas, thereby nitriding the oxide film to form a nitrided oxide film, and the vacancy and nitrogen are injected into the inside of the silicon wafer from the surface of the silicon wafer.例文帳に追加

急熱急冷が可能なＲＴＡ炉を用い、自然酸化膜より厚い３０Å〜１００Åの酸化膜が形成されたシリコンウェーハを、窒素ガスの雰囲気下で熱処理することで、酸化膜を窒化して窒化酸化膜とし、シリコンウェーハの表面からシリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。 - 特許庁

To provide a forming method of a metal silicide film for forming the metal silicide film in a short period of time when a metal film formed by using a metal compound including nitrogen as a film formation raw material is annealed, and when the metal silicide film is formed by reaction with a silicon part in a base.例文帳に追加

窒素を含有する金属化合物を成膜原料として形成された金属膜をアニールして下地のシリコン部分との反応により金属シリサイド膜を形成する際に、短時間で金属シリサイド膜を形成することができる金属シリサイド膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The thin film transistor (TFT) substrate includes a gate electrode 33 of a laminate structure constituted of an AlN film 51 as a nitrogen containing layer; an Al film 50 as a main wiring layer; and an upper layer wiring layer composed of a MoN film 54 and a Mo film 53.例文帳に追加

ＴＦＴ基板は、窒素含有層としてのＡｌＮ膜５１と、主配線層としてのＡｌ膜５０と、ＭｏＮ膜５４とＭｏ膜５３とからなる上層配線層とにより構成された積層構造のゲート電極３３を有している。 - 特許庁

To obtain a surface channel type MOS (metal oxide semiconductor) transistor that prevents a B punch-through, applies a normal oxide film and a nitride oxide film with a low concentration of nitrogen due to N_2O as a gate insulating film at a desired film thickness, becomes unnecessary to use a gate insulating film with a number of electronic traps, and has excellent characteristics.例文帳に追加

Ｂ突き抜けが防止され、ゲート絶縁膜として通常の酸化膜やＮ_２Ｏによる低窒素濃度の窒化酸化膜等を所望の膜厚で適用でき、電子トラップの多いゲート絶縁膜を用いる必要が無くなり、良好な特性を有する表面チャネル型ＭＯＳトランジスタを得ること - 特許庁

The semiconductor device is provided with a p-type silicon substrate 18; a gate insulation film 27 constituted of a multilayer film of a silicon nitriding oxide film 25 and an aluminum oxide film 26 containing nitrogen, both sequentially formed on the substrate 18; and a gate electrode 28 formed on the gate insulation film 27.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１８と、ｐ型シリコン基板１８上に順次形成されたシリコン窒化酸化膜２５と窒素を含有する酸化アルミニウム膜２６との積層膜からなるゲート絶縁膜２７と、ゲート絶縁膜２７上に形成されたゲート電極２８とを有する。 - 特許庁

As a gate insulating film 3, a first high permittivity film 4 which contains nitrogen and metal from the side of a semiconductor substrate 1, and a second high permittivity film 5 which is different in the composition of the first high permittivity film 4, are laminated to form an insulating film, which is used for constituting an insulated gate type transistor.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３として、半導体基板１の側から窒素と金属を含んだ第１の高誘電率膜４と、第１の高誘電率膜４とは組成の異なる第２の高誘電率膜５を積層した絶縁膜を用いて絶縁ゲート型トランジスタを構成する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, gas containing oxygen atoms and nitrogen atoms is supplied into a processing chamber, the gas containing the oxygen atoms and the nitrogen atoms is activated by plasma, the silicon substrate is processed by the plasma, and a silicon dioxide film containing nitrogen is formed.例文帳に追加

上記課題を解決するために、酸素原子及び窒素原子を含むガスを処理室内に供給し、酸素原子及び窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、シリコン基板を前記プラズマにより処理を行い窒素が含有された二酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A process, in which the surface of the upper silicon region 42 of an SIMOX substrate is doped with nitrogen, and a process in which an electron beam, is applied to a region including at least a part of the region doped with nitrogen in an atmosphere containing oxigen to make an oxide film 46 containing nitrogen grow on the silicon surface are included.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の上部シリコン領域４２の表面に窒素をドープする工程と、酸素を含む雰囲気中において窒素がドープされた領域の少なくとも一部を含む領域に電子ビームを照射し、それによってシリコン表面に窒素を含む酸化膜４６を成長させる工程とを包含する。 - 特許庁

In a hot wiring method consisting of contacting a nitrogen-containing gas to a heated catalyser, of reacting a chemical seed generated by the catalytic cracking reaction with a base material surface, and of forming a nitride film on the base material surface, the method of nitriding the base material surface includes using a gas obtained by adding hydrogen of 10% or less to a nitrogen gas as the nitrogen-containing gas.例文帳に追加

窒素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を基材表面と反応させ、基材表面に窒化物膜を形成することからなるホットワイヤー法において、窒素含有ガスとして、窒素ガスに１０％以下の水素を添加したガスを用いることからなる基材表面の窒化方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing an SOI substrate by implanting oxygen ions in a silicon substrate 1 and then forming a buried oxide film 7 in the silicon substrate by performing heat treatment in an inert gas atmosphere containing oxygen, an inert gas contains argon and nitrogen admixed at such a ratio as the flow rate of nitrogen to the total flow rate of argon and nitrogen is not less than 1% and less than 50%.例文帳に追加

シリコン基板１に酸素イオンを注入した後、酸素を含む不活性ガス雰囲気中で熱処理を行なってシリコン基板中に埋め込み酸化膜７を形成するＳＯＩ基板の製造方法であり、不活性ガスは、アルゴンと窒素とを含み、アルゴンと窒素との合計流量に対する窒素の流量が１％以上５０％未満でアルゴンと窒素とを混合したものである。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte battery is equipped with an outer packaging made of a film; an electrode body formed by laminating a positive electrode and a negative electrode through a separator and housed in the outer packaging; and an electrolyte, and the electrolyte includes at least one kind of cyclic compound having a nitrogen-nitrogen bond or a nitrogen-oxygen bond within a ring.例文帳に追加

フィルムによって成形された外装容器と、前記外装容器内部に収容される正極と負極とをセパレータを介して積層させて成る電極体と電解液とを備えた非水電解液電池であって、前記電解液は環内に窒素−窒素結合または窒素−酸素結合を有する少なくとも１種の環状化合物を含むことを特徴とする非水電解液電池。 - 特許庁

The crystalline photochromic thin film is formed on a substrate by using a diarylethene compound having substituents each of which is a nitrogen-containing substituent and can make intermolecular hydrogen bonding through the hydrogen atom attached to the nitrogen atom.例文帳に追加

窒素原子を含有する置換基であって、該窒素原子に結合している水素原子を介して分子間水素結合が可能な置換基を有するジアリールエテン化合物を用いて基板上に形成したことを特徴とする、結晶性フォトクロミック薄膜とする。 - 特許庁

The highly adhesive liquid crystal polymer film comprises a liquid crystal polymer and has nitrogen atoms on its surface of either one side or both sides wherein the density of the above nitrogen atoms is at least 2% measured by using X-ray photoelectron spectroscopy.例文帳に追加

液晶ポリマーからなるフィルムであって、その片側又は両側の表面部に窒素原子が存在し、Ｘ線光電子分光分析で測定した該窒素原子の濃度が２％以上であることを特徴とする高接着性液晶ポリマーフィルム。 - 特許庁

A diamond film containing both boron atoms and nitrogen atoms in a density of not less than 10,000 ppm and with the higher density of boron atoms than nitrogen atoms of not less than 10,000 ppm is formed on a substrate by a hot-filament CVD method.例文帳に追加

熱フィラメントＣＶＤ法により、基板上に、硼素原子及び窒素原子を共に１０，０００ｐｐｍ以上の濃度で含有し、かつ硼素原子の濃度が窒素原子の濃度よりも１０，０００ｐｐｍ以上高いダイヤモンド膜を形成する。 - 特許庁

To solve the problem, dry etching using mixed gas with the combination containing gas with chloride gas and nitrogen as etching gas and that not containing hydrogen oxygen is performed, and then nitride film passivation processing is performed after direct surface processing or that with a nitrogen gas plasma.例文帳に追加

上記課題を解決するため，エッチングガスとして塩素系ガスと窒素を含有するガスで且つ水素および酸素を含有しない組み合わせの混合ガスを用いたドライエッチングを行い，直接もしくは窒素ガスプラズマによる表面処理後，窒化膜パッシベーション処理を行う。 - 特許庁

The nitrogen-containing amorphous carbon film is formed by physical evaporation onto the sliding surface of a sliding member and contains 8.0 to 12.0 atom% of hydrogen and 3.0 to 14.0 atom% of nitrogen.例文帳に追加

本発明の窒素含有非晶質炭素系皮膜は、摺動部材の摺動面に、物理蒸着法により形成される窒素含有非晶質炭素系皮膜であって、水素を８．０原子％以上１２．０原子％以下、および窒素を３．０原子％以上１４．０原子％以下含むところに特徴を有する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises sputtering a Ti metal target with a pretreatment gas containing an inert gas and nitrogen gas in order to previously nitride the surface of a substrate, and then sputtering the Ti metal target with a reactant gas containing the inert gas and nitrogen gas to form the TiN film on the substrate.例文帳に追加

希ガスと窒素ガスとを含む反応ガスでＴｉメタルターゲットをスパッタして基板上にＴｉＮ膜を成膜する際、希ガスと窒素ガスとを含む前処理ガスで前記Ｔｉメタルターゲットをスパッタしてその表面を予め窒化させておく。 - 特許庁

The method for producing a nitrogen-containing zinc oxide film includes: plasmatizing a mixed gas of nitrogen and oxygen into a reactive gas at non-equilibrium atmospheric pressure, mixing it with a vaporized organic zinc compound, and decomposing and depositing the organic zinc compound on a substrate.例文帳に追加

窒素及び酸素の混合ガスを、非平衡大気圧プラズマ化して反応性ガスとし、気化した有機亜鉛化合物と混合させ、該有機亜鉛化合物を分解し、基板上に堆積させる窒素含有酸化亜鉛膜の製造方法である。 - 特許庁

Although this method is same as a method of manufacturing a carbon nano structure such as carbon nanowall and carbon nanotube by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition), a transparent conductive film having carbon as the constituent element can be manufactured by filling it in a plasma of nitrogen gas or a plasma of nitrogen radical.例文帳に追加

カーボンナノウォールやカーボンナノチューブなどのカーボンナノ構造体をプラズマＣＶＤで製造する方法と同じであるが、窒素ガスのプラズマや窒素ラジカルのプラズマ中への注入により、炭素を構成元素とする透明導電膜を製造することができる。 - 特許庁

To provide a nitrogen gas separation device for filling a tire capable of avoiding the functional deterioration of a membrane dryer and a nitrogen separation film and the shortening of life caused by the contamination of moisture, oil, dust, etc., in supplied compressed air.例文帳に追加

供給圧縮空気中に含まれる水分や油分、ゴミ等の混入によるメンブレンドライヤおよび窒素分離膜の性能低下および寿命低下を回避することができるタイヤ充填用窒素ガス分離装置を提供すること。 - 特許庁

In addition, an acceleration voltage for adding nitrogen, oxygen or carbon to the high-resistance impurity area is controlled to add nitrogen, oxygen or carbon to the high-resistance impurity area in self-alignment manner while using the gate electrode and the gate insulation film as a mask.例文帳に追加

また、高抵抗不純物領域に窒素、酸素又は炭素を添加する加速電圧を制御することで、ゲイト電極及びゲイト絶縁膜をマスクにして自己整合的に高抵抗不純物領域に窒素、酸素又は炭素を添加する。 - 特許庁