「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of chromium films 2 and a plurality of nitrogen-containing chromium films 3 are alternately and continuously formed in this order on the substrate 1 and, thereafter, a film 4 made of solid lubricant is formed on the outermost surface of the nitrogen-containing chromium films 3.例文帳に追加

基材１上に複数のクロム皮膜２と複数の窒素含有クロム皮膜３をこの順に交互に連続して形成した後、最表面の窒素含有クロム皮膜３上に固体潤滑剤からなる皮膜４を形成する。 - 特許庁

The gate insulating film does not contain the nitrogen atoms in a first face thereof being in a contact with the semiconductor layer and in a second face thereof being in a contact with the gate electrode, and has a concentration peak of the nitrogen atoms between the first and second faces.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、半導体層に接する第１の面及びゲート電極に接する第２の面において窒素原子を含有せず、第1の面と第２の面の間に窒素原子濃度のピークを有する。 - 特許庁

There is provided the polylactic acid-based film wherein at least one surface has a surface nitrogen concentration N/C of ≥1.0×10^-3 (hereinafter, the surface having the surface nitrogen concentration N/C of ≥1.0×10^-3 is referred to as surface A).例文帳に追加

フィルムの少なくとも一方の表面の表面窒素濃度Ｎ／Ｃが、１．０×１０^−３以上であるポリ乳酸系フィルム（以下、表面窒素濃度Ｎ／Ｃが１．０×１０^−３以上の表面を、面Ａとする。）。 - 特許庁

Nitrogen atoms are introduced onto the surface of a semiconductor, the components of the semiconductor near the of the surface semiconductor, where the nitrogen atom is introduced is combined with the nitrogen atom, a nitride compound that is the compound between the component of the semiconductor and the nitrogen atom is formed on the surface of the semiconductor, and the nitride compound is used as the protective film on the surface of the semiconductor.例文帳に追加

窒素原子を半導体の表面に導入し、窒素原子を導入された半導体の表面近傍の半導体の構成元素と窒素原子とを化合させて、半導体の表面に半導体の構成元素と窒素原子との化合物たる窒化化合物を形成し、窒化化合物を半導体の表面の保護膜とする。 - 特許庁

After a third titanium nitride film 108 is accumulated on the second titanium nitride film 107, the third titanium nitride film 108 is exposed to the nitrogen plasma, to reduce the specific resistance of the third titanium nitride film 108.例文帳に追加

第２の窒化チタン膜１０７の上に第３の窒化チタン膜１０８を堆積した後、第３の窒化チタン膜１０８に窒素プラズマを暴露して第３の窒化チタン膜１０８の比抵抗を低減する。 - 特許庁

A polysilicon film 14 is formed on the thin film polysilicon film 13 and a nitrogen containing area 15 of ≤10nm depth is formed on the upper part of the polysilicon film 14 by plasma nitrification.例文帳に追加

次に、薄膜ポリシリコン膜１３の上にポリシリコン膜１４を形成し、プラズマ窒化を行うことにより、ポリシリコン膜１４の上部に、深さ１０ｎｍ以下の窒素含有領域１５を形成する。 - 特許庁

The second insulating film 5 is formed by depositing an amorphous silicon film on the first insulating film 2, followed by supplying nitrogen radicals 4 activated by microwave discharge or the like to the amorphous silicon film.例文帳に追加

また第二絶縁膜形成には、非晶質シリコン膜を堆積した後、マイクロ波放電などにより活性化された窒素ラジカル４を用いて形成する。 - 特許庁

When such a gas plasma is employed, bubbling phenomenon due to recombination of nitrogen molecule at the interface of the oxide film and the organic film is prevented and a mask pattern of the oxide film can be transferred accurately to the organic film.例文帳に追加

このようなガスプラズマを用いることにより、酸化膜と有機膜との界面で窒素分子の再結合による発泡現象を防止し、酸化膜のマスクパターンを精度よく有機膜に転写することができる。 - 特許庁

The air 1 as raw material is separated into the high concentration oxygen 4 and nitrogen 5 by a film separating device 3 with a high temperature film separating method using a mixed conduction film (composite metallic oxide film).例文帳に追加

原料空気１が混合伝導膜（複合金属酸化膜）を用いた高温膜分離法による膜分離装置３で高濃度の酸素４と窒素５に分離される。 - 特許庁

The first gate insulating film 31 and the second gate insulating film 41 consist of oxynitride silicon, and the nitrogen-concentration profile of the first gate insulating film 31 and that of the second gate insulating film 41 mutually differ.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜３１及び第２のゲート絶縁膜４１は酸窒化シリコンからなり、第１のゲート絶縁膜３１の窒素濃度プロファイルと、第２のゲート絶縁膜４１の窒素濃度プロファイルとは互いに異なっている。 - 特許庁

The insulating film 6 which includes a metal, silicon and oxygen includes either fluorine or nitrogen at least.例文帳に追加

金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜６にはフッ素又は窒素の少なくとも一方が含まれている。 - 特許庁

To prevent increase in interface levels due to nitrogen atoms and hydrogen atoms on an interface between a semiconductor substrate and a silicon oxide film.例文帳に追加

半導体基板とシリコン酸化膜の界面での窒素原子および水素原子による界面準位の増加を防止する。 - 特許庁

A compound of Group III atoms and nitrogen atom such as boron nitride, aluminum nitride, and boron aluminum nitride are used for the film.例文帳に追加

前記膜として窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムホウ素などのＩＩＩ族原子と窒素原子の化合物を用いる。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor crystal 2 is covered with film so that its growth surface may be become an N (nitrogen) polarity surface.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面になるように成膜されている。 - 特許庁

The titanium oxide thin film 2 contains nitrogen and halogen and has 2-100 nm adjusted thickness.例文帳に追加

酸化チタン薄膜２は、窒素とハロゲンを含むとともに、その厚さが２ｎｍ以上１００ｎｍ以下に調整されている。 - 特許庁

The film contains cubic boron nitride formed by a method for depositing boron nitride by using plasma from molecular species containing boron, nitrogen and fluorine.例文帳に追加

特にホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法を用いて作成した立方晶窒化ホウを含む膜。 - 特許庁

Doped crystalline semiconductor alloys including carbon, oxygen and nitrogen are used as charge collection layers for thin-film solar cells.例文帳に追加

炭素と、酸素と、窒素とを含むドープされた結晶性半導体合金を、薄膜ソーラーセルの電荷収集層として用いる。 - 特許庁

Nitrogen ions 15 are selectively implanted into a second region 11a of the silicon board 11, where a thin silicon oxide film is formed.例文帳に追加

薄いシリコン酸化膜が形成される第２の領域１１ａのシリコン基板１１に選択的に窒素イオン１５を注入する。 - 特許庁

The proton-conductive film is composed of a polyarylene having a sulfonic acid group and a nitrogen-containing heterocyclic aromatic compound.例文帳に追加

スルホン酸基を有するポリアリーレンと含窒素複素環式芳香族化合物からなることを特徴とするプロトン伝導膜。 - 特許庁

In the carbon film formation step, a material includes at least one or more kinds of atoms selected from silicon, nitrogen, and oxygen groups.例文帳に追加

カーボン膜形成工程では、シリコン、窒素及び酸素の群から選択される少なくとも１種類以上の原子が原料に含まれる。 - 特許庁

Therefore, nitrogen atoms are not desorbed from the vicinity of the nitride surface of the epitaxial substrate, thus suppressing the introduction of defects into the epitaxial film.例文帳に追加

このため、エピタキシャル基体の窒化物表面近傍からの窒素原子の脱離が生じず、エピタキシャル膜への欠陥導入が抑制される。 - 特許庁

At the time of nitrifying a silicon surface with nitrogen monoxide, a reducing gas such as a carbon monoxide gas is added for film formation simultaneously therewith.例文帳に追加

シリコン表面を一酸化窒素で窒化する際に、同時に一酸化炭素ガスなどの還元性ガスを添加して成膜する。 - 特許庁

The ridge 16 and trench 15 are heat-processed in a nitrogen atmosphere after being covered with a gallium film 23.例文帳に追加

リッジ１６及びトレンチ１５をガリウム膜２３で覆った後に、窒素雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁

The water-resistant polarizing film contains an organic dye having an anionic group, and an acyclic compound having 2-5 nitrogen atoms.例文帳に追加

本発明の耐水性偏光フィルムは、アニオン性基を有する有機色素と、窒素原子を２個〜５個有する非環式化合物と、を含む。 - 特許庁

The nitrogen can also be introduced to the silicified portion of the semiconductor layer before the cobalt silicide film 10a is formed.例文帳に追加

窒素は、コバルトシリサイド膜の形成前に、半導体層のうちシリサイド化される部分に導入してもよい。 - 特許庁

A polysilicon film 60 for a resistor element 6 has a second region 62 implanted with nitrogen ions.例文帳に追加

抵抗素子６用の多結晶シリコン膜６０の第２領域６２には窒素等がイオン注入されている。 - 特許庁

Mixed gas of silane (SiH_4) and argon (Ar) as noble gas and a gas containing nitrogen (N_2) are used as the source gases for film formation.例文帳に追加

成膜を行うための原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ_４）に希ガスのアルゴン（Ａｒ）を加えた混合ガスと窒素（Ｎ_２）を含むガスが用いられる。 - 特許庁

In the process for fabricating a nonlinear element 10x, a lower electrode 13x is formed of a tantalum film containing tungsten and nitrogen.例文帳に追加

非線形素子１０ｘの製造工程では、まず、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank that includes a light-shielding film 2 including at least chromium and nitrogen on a translucent substrate 1 is provided.例文帳に追加

透光性基板１上に少なくともクロムと窒素を含む遮光膜２を有するフォトマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

Consequently, a silicon oxide nitride film having a different thickness and nitrogen profile can be formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

これにより、シリコン基板１の上に、膜厚および窒素プロファイルの異なるシリコン酸窒化膜を形成することができる。 - 特許庁

The organic film is subjected to selective anisotropic etching by using a mixed gas of nitrogen and CxHy as an etching gas.例文帳に追加

エッチングガスとして窒素とＣｘＨｙとの混合ガスを用い、有機膜を選択的に異方性エッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein nitrogen is selectively introduced in a depthwise direction of an insulation film having a high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜の深さ方向に対して、選択的に窒素が導入された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device for depositing a boron carbon nitrogen film having an extremely low dielectric constant.例文帳に追加

極めて低い誘電率を有するホウ素炭素窒素膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。 - 特許庁

An oxynitride film 30 is formed through the reaction at the surface of a silicon substrate with active oxygen species and active nitrogen species.例文帳に追加

酸窒化膜はシリコン基板表面と酸素の活性種および窒素の活性種との反応で形成される。 - 特許庁

A source drain electrode 34 is composed of a nitrogen containing layer and a thin film of pure Al or Al alloy.例文帳に追加

本発明のソース−ドレイン電極３４は、窒素含有層と純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜とからなる。 - 特許庁

To provide a method by which a crystalline carbon nitride film having >1 nitrogen to carbon ratio (N/C) can be formed by an ECR(electron cyclotron resonance) sputtering method.例文帳に追加

ECR（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法によって、窒素対炭素比（N／C比）が1を越える結晶質の窒化炭素膜を形成できる方法を提供する - 特許庁

Subsequently, the aluminum oxide film 18x containing nitrogen is removed by etching and hydrogen is introduced to the insulating layer 14x.例文帳に追加

次に、窒素含有アルミニウム膜１８ｘをエッチング除去した後、絶縁層１４ｘに水素を導入する。 - 特許庁

The upper-layer second silicon nitride film is formed by the CVD method by using N_2 as the nitrogen source gas and includes more Si-H bondings than that in the lower layer.例文帳に追加

上層の第２窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにＮ_２を用いてＣＶＤ法で形成され、Ｓｉ−Ｈ結合を下層よりも多く含む。 - 特許庁

Nitrogen is introduced into the single crystal silicon layer 3 near the border of the single crystal silicon layer 3 and the field oxide film 13.例文帳に追加

単結晶シリコン層３とフィールド酸化膜１３との境界近傍の単結晶シリコン層３に窒素が導入されている。 - 特許庁

A silicon oxide film 13 containing a nitrogen element is formed on an active area 12 of a silicon substrate 10 in a pretreatment step.例文帳に追加

前処理工程で、シリコン基板１０の能動領域１２上に窒素成分を含むシリコン酸化膜１３が形成される。 - 特許庁

A lower layer silicon nitride film is formed by a CVD method by using NH_3 as the nitrogen source gas and contains more N-H bondings than that in the upper layer.例文帳に追加

下層の窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにＮＨ_３を用いてＣＶＤ法で形成され、Ｎ−Ｈ結合を上層よりも多く含む。 - 特許庁

The silicon nitride film 2 is preferably subjected to heat treatment under atmosphere, where nitrogen as an ammonia gas exists for forming.例文帳に追加

このシリコンチッ化膜２はアンモニアガスなどのチッ素が存在する雰囲気下で熱処理をすることにより形成することが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for evaluating the interface status between an insulating film containing nitrogen and a silicon substrate properly.例文帳に追加

窒素を含む絶縁膜とシリコン基板との間の界面状態を適切に評価するための方法を提供すること。 - 特許庁

The concentration of nitrogen included in the interface of the gate insulation film 205 is more than 1×1020 (/cm3), and it also includes a halogen element.例文帳に追加

このゲート絶縁膜２０５に含まれる界面窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上でハロゲン元素が含まれる。 - 特許庁

The section of the barrier layer 4 exposed on the interlayer insulating film 2 is etched using the gas containing fluorine and nitrogen.例文帳に追加

層間絶縁膜２上に露出したバリアメタル層４の部分をフッ素および窒素を含むガスを用いてエッチングする。 - 特許庁