「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A protection film is partially formed on a substrate, and is subjected to heat treatment, thus forming a nitrogen-containing region at an exposure section in the substrate.例文帳に追加

基板上に保護膜を部分的に形成し、熱処理をすることで基板の露出部に窒素含有領域を形成する。 - 特許庁

In the plasma step, pressure in the film deposition chamber 22 is reduced, and then a mixture gas of fluorine gas and nitrogen gas, or the like, is introduced and plasma is generated.例文帳に追加

プラズマ工程では、成膜室２２内を減圧し、フッ素ガスと窒素ガスの混合ガス等を導入してプラズマを発生させる。 - 特許庁

The hydrogen concentration and the nitrogen concentration in the silicon film can be increased within the above range of the Vth and the value S by increasing the flow rate of the H2.例文帳に追加

Ｈ_2の流量の増加により膜中の水素濃度と窒素濃度を上記範囲内において増加させることができる。 - 特許庁

To provide a method for depositing a diamond thin film of high quality in which the amount of impurity nitrogen intruded is reduced.例文帳に追加

不純物窒素の混入量が低減された高品位のダイヤモンド薄膜の成膜方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

In one preferred embodiment, the metal thin film of the magnetic transducer 20 is cut from a wafer and is lapped, and then is treated with nitrogen gases.例文帳に追加

好ましい一実施例では、磁気変換器２０の金属薄膜は、ウェハから裁断されラッピングされた後に窒素で処理される。 - 特許庁

Since the separation process is carried out in nitrogen atmosphere, static electricity due to contact/separation of the film-forming auxiliary member and the substrate is eliminated and separation is made easily.例文帳に追加

分離工程を窒素雰囲気で行うことにより、成膜補助部材と基板との接触・剥離による静電気を除電し、容易に分離する。 - 特許庁

After the lower electrode is formed, especially, a nitrization treatment of a surface of the HSG film is conducted by a low-temperature nitrogen plasma which does not incur degradation of the properties (105).例文帳に追加

下部電極形成後、特にＨＳＧ膜の表面の窒化処理を、特性劣化を招かない低温の窒素プラズマで行う（１０５）。 - 特許庁

After the deposition of the plating layer, heat treatment is performed at ≥400°C in an oxidizing atmosphere to form the nitrogen-containing titanium oxide film on the outermost surface layer.例文帳に追加

めっき層形成後に酸化性雰囲気４００℃以上の温度で熱処理し、最表層に窒素含有酸化チタン皮膜を形成した。 - 特許庁

In the non-plasma step, a mixture gas of fluorine and nitrogen, or the like, is introduced into the film deposition chamber 22 and the interior of which is maintained lower than 250°C.例文帳に追加

ノンプラズマ工程では、成膜室２２内にフッ素と窒素の混合ガス等を導入して成膜室２２内を摂氏２５０度未満に保つ。 - 特許庁

The sialon film is deposited by high frequency sputtering in the argon gas atmosphere mixed with 2% of nitrogen gas.例文帳に追加

サイアロン膜は、窒素ガスを２％混合したアルゴンガス雰囲気の高周波スパッター法で成膜する。 - 特許庁

Provided is a method for forming a dielectric film containing silicon, oxide, elements optionally selected from a group of nitrogen, carbon, and hydrogen, and boron.例文帳に追加

ケイ素、酸化物そして任意選択で窒素、炭素、水素およびホウ素を含む誘電体膜を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The carbonaceous thin film 20 contains at least one selected from an oxygen-containing functional group and a nitrogen-containing functional group.例文帳に追加

炭素質薄膜２０は、酸素を含む官能基及び窒素を含む官能基の少なくとも一方を有する。 - 特許庁

Before the Si3H4 film is formed, NH3 gas, which is used as the raw material for nitrogen, is flowed from a gas inlet tube 9b into the tube 1.例文帳に追加

成膜前にガス導入管９ｂから窒素原料となるＮＨ_3ガスを反応管１内に流す。 - 特許庁

After nitrogen ions and/or oxygen ions are injected in a mold surface, the vapor deposition of titanium or chromium and the injection of oxygen ions are simultaneously and/or alternately performed in a nitrogen gas atmosphere to form a titanium nitride film or chromium nitride film on the mold surface.例文帳に追加

型表面に窒素イオン又は／及び酸素イオンを注入した後、窒素ガス雰囲気内でチタン又はクロムの蒸着と酸素イオンの注入とを同時に／又は交互に行って型表面に窒化チタン又は窒化クロム膜を形成させる。 - 特許庁

The method comprises the steps of: forming a semiconductor device on a semiconductor substrate; forming silicon oxide film including nitrogen on the semiconductor device; introducing the heavy hydrogen to the silicon oxide film including the nitrogen; and diffusing the heavy hydrogen by heating the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に半導体素子を形成し、前記半導体素子上に、窒素を含むシリコン酸化膜を形成し、前記窒素を含むシリコン酸化膜中に、重水素を導入し、前記半導体基板を加熱して、重水素を拡散する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonlinear element by which a thin tantalum oxide film containing a sufficient amount of nitrogen can be formed without increasing the nitrogen concentration of a tantalum film constituting a lower electrode, and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

下電極を構成するタンタル膜の窒素濃度を増大させなくても、十分な量の窒素を含むタンタル酸化膜を薄く形成することのできる非線形素子の製造方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can prevent a formed film from containing nitrogen while keeping the function of a low-dielectric-constant film and suppress the content of nitrogen to such a degree that it does not affect the bridging reaction of resist.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜の機能を維持しつつ、形成膜中に窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a depositing method for a low dielectric constant insulating film that can exclude nitrogen from a formed film while improving the depositing rate, or can control the nitrogen content insomuch that it has no effect on a resist's crosslinking reaction.例文帳に追加

成膜レートを向上させつつ、形成膜中に窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる低誘電率絶縁膜の成膜方法を提供するものである。 - 特許庁

The gate insulating film, composed of oxynitride silicon having a first peak concentration near the interface with the substrate and having a second peak concentration near a surface, is formed by further introducing nitrogen into the oxynitride silicon film, by exposing the substrate in a nitrogen-plasma atmosphere.例文帳に追加

続いて、基板を窒素プラズマ雰囲気中に曝すことによって、酸窒化シリコン膜中にさらに窒素を導入することにより、基板との界面近傍に第１のピーク濃度を有し、表面近傍に第２のピーク濃度を有する酸窒化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device which has a semiconductor element formed on a III-V compound semiconductor substrate, an insulating film whose main component is nitrogen and phosphorus is formed as an insulating film of the semiconductor element by applying gas containing nitrogen and gas containing phosphorus to material by using gas phase reaction.例文帳に追加

また、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に形成した半導体素子を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体素子の絶縁膜として窒素及びリンを主成分とする絶縁膜を、窒素を含むガス及びリンを含むガスを原料として気相反応により形成する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a nonlinear element in which nitrogen can be distributed suitably over the entire thickness direction of a tantalum oxide film when a tantalum oxide film containing hydrogen and nitrogen is employed as an insulating layer, to provide a nonlinear element, and to provide an electro-optic device.例文帳に追加

水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a nonlinear element in which nitrogen can be distributed suitably over the entire thickness direction of a tantalum oxide film when a tantalum oxide film containing nitrogen is employed as an insulating layer, and to provide a method for fabricating an electro-optic device.例文帳に追加

水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is not reduced in the nitrogen introducing amount, suppressed in the introduction of damage to an insulating film, and is suppressed in an increase of the nitrogen concentration at the interface between the insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A biaxially oriented polyester film for a backside protective film of a solar cell comprises a polyester composition containing a compound (C component) containing at least a cyclic structure having one carbodiimide group whose first nitrogen and second nitrogen are linked through a linking group.例文帳に追加

カルボジイミド基を１個有しその第一窒素と第二窒素とが結合基により結合されている環状構造を少なくとも含む化合物（Ｃ成分）を含むポリエステル組成物からなることを特徴とする太陽電池裏面保護膜用二軸配向ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized by comprising a silicon carbide layer, a gate insulating film formed on the silicon carbide layer with silicon, oxygen, and nitrogen as principal components and the minimum concentration of nitrogen of ≥1×10^20 atoms/cm^3, and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

炭化珪素層と、炭化珪素層上に形成され、珪素、酸素、窒素を主成分とし、窒素の最低濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The hydrophilicity of a hydrophilic coating film is prevented from falling in the process of polishing the same, by preventing the loss of functional groups each comprising an OH group present on the surface of the coating film in the process of polishing the same with a buff, by employing a buff constituted of a nitrogen-free resin that does not contain a nitrogen atom, in polishing the same.例文帳に追加

親水性塗膜を、窒素原子を含有しない窒素不含樹脂からなるバフを用いて研磨することにより、塗膜表面において、ＯＨ基を含む官能基がバフによる研磨で失われることを防止し、塗膜の親水性が低下することを防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen.例文帳に追加

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。 - 特許庁

If there is a heating process using gases such as nitrogen in the middle of formation of the multilayer dielectric film SI (for example, a thermal nitriding process for suppressing an incubation time) in the manufacture of the non-volatile semiconductor memory device, the heating process is performed after a nitrogen stop film (41: not shown in the figure) for protecting the peripheral transistor is formed.例文帳に追加

この製造において、積層誘電体膜ＳＩの形成途中に窒素を含むガスを用いた加熱工程（例えばインキュベーション時間抑制のための熱窒化処理）がある場合に、周辺トランジスタを保護する窒素阻止膜（４１：不図示）を形成し、当該加熱工程を行う。 - 特許庁

The gate insulating film and the gate electrode 5a of a memory cell are formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, then the semiconductor substrate 1 is subjected to a thermal treatment in a nitriding atmosphere or a nitrogen-containing oxidizing atmosphere, and thus a nitrogen-containing insulating film 9 is formed on the exposed main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面にメモリセルのゲート絶縁膜およびゲート電極５ａを形成した後、窒化雰囲気中または窒素を含んだ酸化雰囲気中で半導体基板１に熱処理を施して、露出した半導体基板１の主面に窒素を含む絶縁膜９を形成する。 - 特許庁

The method for forming the diamond-like carbon film includes: a step of executing the hydrogen plasma processing and the nitrogen plasma processing on a surface 11 of a metal member 1; and a step of forming the diamond-like carbon film 2 on the surface 11 subjected to the hydrogen plasma processing and the nitrogen plasma processing.例文帳に追加

金属部材１の表面１１に水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理を行うステップと、水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理された表面１１上に、ダイヤモンド状炭素膜２を形成するステップとを含む。 - 特許庁

Anodic oxidation is then performed using the lower electrode 13x as anode to transform an aluminum film 17x containing nitrogen into an aluminum oxide film 18x and to form tantalum oxide films 14y and 14z containing nitrogen, as an insulating layer 14x, at the upper surface portion and the side face portion of the lower electrode 13x.例文帳に追加

次に、下電極１３ｘを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜１７ｘをアルミニウム酸化膜１８ｘとするとともに、下電極１３ｘの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜１４ｙ、１４ｚを形成し、絶縁層１４ｘとする。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device is characterized by having a step of injecting nitrogen into the surface of a silicon carbide substrate 10 and a step of forming a first oxide film (gate oxide film 20) on the surface of the silicon carbide substrate 10 by thermally oxidizing the surface of the silicon carbide substrate 10 injected with nitrogen.例文帳に追加

炭化珪素基板１０表面に、窒素を注入する工程と、窒素が注入された前記炭化珪素基板１０表面を熱酸化し、前記炭化珪素基板１０表面に第１酸化膜（ゲート酸化膜２０）を形成する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The nitrogen contained in the tantalum oxide film used for the insulation layer 14x increases element drift and may easily cause an after-phenomenon, but, the tantalum oxide film used for the insulation layer 14x contains hydrogen in addition to the nitrogen, and causes less element drift phenomenon, and thus, the after-image phenomenon hardly occurs.例文帳に追加

また、絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜が窒素を含有していると、素子ドリフトが多くなり、残像現象が発生しやすくなるが、絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、窒素に加えて、水素も含有しているため、素子ドリフト現象が小さいので、残像現像が発生しにくい。 - 特許庁

The composition of oxygen that is introduced into the gate insulating film is controlled to satisfy (X)m(Y)1-m(N)n(O)q(m, n) as a function of the composition n of nitrogen and the composition m of the transition metal, and the gate insulating film comprising a metal oxide including nitrogen is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中に導入する酸素の組成を、窒素の組成ｎおよび遷移金属の組成ｍの関数として、 （Ｘ）m（Ｙ）1-m（Ｎ）n（Ｏ）q(m,n)を満たすように制御し、半導体基板上に、窒素を含む金属酸化物から成るゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The method for forming a tungsten nitride film uses an MOCVD process, in which a tungsten precursor material and a nitrogen source material are charged into a reaction chamber at a predetermined ratio, and the tungsten nitride film is vapor-deposited on a semiconductor substrate at a predetermined temperature, wherein the nitrogen source material is a hydrazine derivative.例文帳に追加

タングステン前駆体物質及び窒素ソース物質を所定割合で反応チャンバー内へ流入し、所定の温度で半導体基板上にタングステン窒化膜を蒸着するＭＯＣＶＤ工程を用いたタングステン窒化膜の形成方法において、窒素ソース物質をヒドラジン誘導体とする。 - 特許庁

A thin film transistor substrate having the semiconductor layer 33 of the thin film transistor and source-drain electrodes 28, 29, wherein the source-drain electrodes 28, 29 are composed of nitrogen containing layers that contain nitrogen, or oxygen/nitrogen containing layers 28a, 29a, and thin films 28b, 29b of pure Cu or Cu alloys.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。 - 特許庁

The method includes the following steps: a step where an iron nitrogen gas is produced by reacting an iron halide gas vaporized from an iron halide, a thin film raw material 51, and a nitrogen source gas 7 containing nitrogen; and a step where an epitaxial film 63 of iron nitride is formed on a substrate 61 by epitaxially growing the above iron nitride gas adsorbed under the atmospheric pressure on the substrate 61.例文帳に追加

薄膜原料５１であるハロゲン化鉄を気化させたハロゲン化鉄ガスと窒素を含有した窒素源ガス７とを反応させて窒化鉄ガスを生成するステップと、この窒化鉄ガスを大気圧中で基板６１上に吸着させてエピタキシャル成長させることによって、窒化鉄のエピタキシャル膜６３を基板６１上に生成するステップとを含んでなる方法である。 - 特許庁

In the method for depositing a nitride film, one or more types of nitrogen supplying gases selected from hydrazine and nitrogen oxides are introduced into a catalytic reactor 5, a reactive gas generated by bringing the nitrogen supplying gases into contact with a catalyst is spouted from the catalytic reactor 5, and the nitride film is deposited on a substrate 7 by reacting the reactive gas and a compound gas.例文帳に追加

触媒反応装置５内にヒドラジン及び窒素酸化物から選択された１種以上の窒素供給ガスを導入し、この窒素供給ガスを触媒と接触させることにより生成される反応性ガスを触媒反応装置５から噴出させ、反応性ガスと化合物ガスとを反応させて、基板７上に窒化物膜を堆積させる、窒化物膜の堆積方法である。 - 特許庁

The method for producing a two layer film includes: a stage where the nickel-containing first metallic film 12 is formed on a high molecule film in an atmosphere comprising any one gas selected from the group consisting of ammonia, nitrogen monoxide and nitrogen dioxide by a vacuum deposition process or the like; and a stage where the second metallic film essentially composed of copper is formed on the first metallic film.例文帳に追加

高分子フィルム上にアンモニア、一酸化窒素、および二酸化窒素よりなる群のうちのいずれか１つのガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等によりニッケルを含む第１の金属膜１２を形成する工程と、第１の金属膜上に銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

The transparent gas barrier film 10 has a thin film 2 containing silicon atoms and nitrogen atoms on one side face or both side faces of a resin substrate 1, wherein a ratio between the silicon atoms and the nitrogen atoms contained in the thin film 2 satisfies SiNx (wherein, 0.5≤x≤1.4), and also the film thickness of the thin film 2 is 20 to 50 nm.例文帳に追加

樹脂基板１の片面または両面に珪素原子と窒素原子とを含む薄膜２を有する透明ガスバリアフィルム１０であって、前記薄膜２に含まれる珪素原子と窒素原子との割合がＳｉＮｘ（ただし、０．５≦ｘ≦１．４）であり、かつ、前記薄膜２の膜厚が２０〜５０ｎｍであることを特徴とする透明ガスバリアフィルム１０。 - 特許庁

A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas.例文帳に追加

配線用薄膜を、ＣｒＮターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するＣｒ膜を下層膜２とし、Ｃｒターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないＣｒ膜を上層膜１とした二層構造とする。 - 特許庁

The two-layer film includes a polymer film 10; a first metal film 12 formed on the polymer film and having nickel containing a nitrogen atom of 60-100 wt.%; and a second metal film 14 formed on the first metal film and having copper mainly as a main component.例文帳に追加

高分子フィルム１０と、高分子フィルムの上に形成された、窒素原子を含有するニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜１２と、第１の金属膜の上に形成された銅を主成分とする第２の金属膜１４とを備える２層フィルム。 - 特許庁

By using the method, for example, when a silicon content film such as a silicon oxide nitride film is formed, dependency on the film formation processing of a silicon content film and the like, which is performed immediately before the film formation, becomes no longer necessary, and nitrogen concentration in the film is stabilized, thereby improving reproducibility.例文帳に追加

これにより、例えばシリコン酸窒化膜等のシリコン含有膜を成膜するに際して、直前に行ったシリコン含有膜の成膜処理に対する依存性をなくして膜中の窒素濃度を安定化させ、再現性を向上させる。 - 特許庁

An aluminum film 4 is formed on a substrate 1 and annealed in nitrogen to nitride the aluminum film 4, thereby forming an aluminum nitride protective film.例文帳に追加

先ず、基板１上にアルミニウム薄膜４を形成し、窒素中でアニールを行なうことにより、アルミニウム薄膜４を窒化し、窒化アルミニウムの保護膜を形成する。 - 特許庁

By capturing a nitrogen atom into a dielectric film comprising silicon oxide, a dielectric film is provided which is partially converted into a silicon oxide nitride film.例文帳に追加

酸化シリコンを備えた誘電体膜内に窒素原子を取り込むことにより、部分的にシリコン酸窒化膜に変換されるような誘電体膜を備える。 - 特許庁