「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises the steps of conducting the NH_3 plasma processing to a substrate 20 by generating the NH_3 plasma to the surface of the substrate 20 within a chamber, removing a reactive byproduct including nitrogen remaining within the chamber, and forming an SiC film 34 with the PECVD method on the substrate 20 within the chamber.例文帳に追加

チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 - 特許庁

A lubricant composition containing a polyalkyl methacrylate having either a nitrogen-based polar group or an oxygen-based polar group, preferably both of them, on the alkyl group as a viscosity index improver is used to a sliding interface between a slide member coated with a hard carbon thin film and a mating member consisting of, for example, an iron-based material.例文帳に追加

硬質炭素薄膜を被覆した摺動部材と、例えば鉄基材料から成る相手部材との摺動面に、アルキル基に窒素系の極性基及び酸素系の極性基の少なくとも一方、望ましくは両方を有するポリアルキルメタクリレートを粘度指数向上剤として含有する潤滑油組成物を用いる。 - 特許庁

An IZO transparent conductive film containing a zinc oxide by 4 to 25 wt.% is formed on a polymeric base material by a nitrogen atmospheric pressure method in a state that oxygen density outside a discharging space in a reaction container is 2 to 9 volume %, by impressing two frequencies different from each other.例文帳に追加

高分子基材上に酸化亜鉛含有比率４〜２５質量％のＩＺＯ透明導電膜を形成する方法において、反応容器内の放電空間外の酸素濃度が２〜９体積％であり、かつ、窒素大気圧プラズマ法により、２つの異なる周波数を印加して作製することを特徴とするＩＺＯ透明導電膜形成方法。 - 特許庁

In a process for manufacturing a semiconductor device by chemical-machine-polishing with the use of a tantalum nitride film, a wafer 22 is performed in CMP with a laser beam radiated from a Raman spectroscope 23 irradiated onto the wafer 22 and a slully switched in response to a Raman peak intensity of 180 to 200 cm2 derived from the bonding of tantalum and nitrogen.例文帳に追加

バリアメタルとして窒化タンタル膜を用い、化学機械研磨により半導体装置を製造する工程において、ラマン分光装置２３から出射されたレーザー光をウェハー２２に照射し、タンタルと窒素との結合に由来する１８０〜２００ｃｍ^-1のラマンピークの強度に応じてスラリーを切換えて、ウェハー２２をＣＭＰ研磨する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, while a nitride is continuously being activated, an organic metal compound comprising at least one element selected out of III A group element is intermittently introduced in the activated atmosphere to form on a substrate, a film of nitride group compound comprising nitrogen and the III A group element.例文帳に追加

また、窒素化合物を連続的に活性化しながら、この活性化された雰囲気にIII Ａ族元素から選択される１以上の元素を含む有機金属化合物を間欠的に導入して、窒素及び前記III Ａ族元素を含む窒化物系化合物による膜を基板上に形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。 - 特許庁

The titanium oxide film 132 is irradiated with light of the ultraviolet fluorescent lamp 131 to generate fine gas bubbles of hydrogen, oxygen, carbon dioxide, nitrogen and the like and these fine gas bubbles adhere to the sludge matter S1 deposited on the bottom part of the sedimentation/separation tank 110 to float the sludge matter S1 to the vicinity of the surface of the water as scum S2.例文帳に追加

紫外線蛍光灯１３１の光が酸化チタン膜１３２に照射されることによって、水素、酸素、二酸化炭素、窒素等の微細気泡が発生し、発生したこの気泡は、沈殿分離槽１１０の槽底部に堆積した汚泥物Ｓ１に付着しスカムＳ２となって水面付近へと浮上するようになっている。 - 特許庁

When an electron emission element having conductive films 4 containing electron emission parts 5 between element electrodes 2, 3 is manufactured, the electron emission part 5 made of a high resistance part is formed in the conductive film 4, and a substrate 1 is heated in a mixed gas of olefinic hydrocarbon and nitrogen, and at the same time, voltage is applied to the element electrodes 2, 3 as activation treatment.例文帳に追加

素子電極２，３間に、電子放出部５を含む導電性膜４を有する電子放出素子の製造に際し、導電性膜４に高抵抗部からなる電子放出部５を形成した後、オレフィン系炭化水素と窒素から構成される混合気体中で、基板１を加熱しながら素子電極２，３間に電圧を印加して活性化処理を施す。 - 特許庁

For forming a carbon film, sputtering is carried out from a carbon sputtering target(TG) under the previously decided gas pressure in a gaseous mixture of nitrogen of 20% lowest ratio and a sputtering gas, by which carbon is adhered to a substrate(SB), and, next, the substrate(SB) is heat-treated at >100°C in a high vacuum.例文帳に追加

炭素皮膜を生成するため、最低比率２０％の窒素とスパッタガスとを含む混合気体において予め決められたガス圧で炭素スパッタターゲット（ＴＧ）からスパッタリングを実行することにより基板（ＳＢ）上に炭素が付着され、次いで基板（ＳＢ）は高真空下で１００℃を超える温度により熱処理される。 - 特許庁

The casket is manufactured by a first step of preparing the gasket 13 by molding rubber or resin, a second step of exposing to at least one kind of gas plasma selected from gaseous hydrogen, gaseous nitrogen, gaseous oxygen, gaseous fluorine, gaseous fluoride and inactive gas, and a third step of forming the film 16 on the exposed surface of the gasket 13 by exposing to the plasma of a gaseous hydrocarbon.例文帳に追加

また、ゴムや樹脂を成形してガスケット１３を作成する第１の工程と、水素ガス、窒素ガス、酸素ガス、フッ素ガス、及びフッ化物ガス、不活性ガスから選ばれた少なくとも一種のガスのプラズマに上記ガスケット１３を曝す第２の工程と、炭化水素ガスのプラズマに曝すことにより上記ガスケット１３の暴露面に非晶質炭素膜１６を形成する第３の工程とからなる。 - 特許庁

The organic light emitting element includes an arylamine compound thin film on a substrate; and has a ratio of absorption peak intensity near 737 cm^-1 of a Fourier transform infrared spectrum attributing to carbon-hydrogen out-of-plane bending vibration of an aromatic ring not higher than 1.8, with respect to absorption peak intensity near 1,279 cm^-1 attributing to carbon-nitrogen stretching vibration.例文帳に追加

基板上にアリールアミン化合物薄膜を有し、芳香族環の炭素−水素面外変角振動に帰属するフーリエ変換赤外分光スペクトルの７３７ｃｍ^-1付近の吸収ピーク強度の比率が、炭素−窒素伸縮振動に帰属する１２７９ｃｍ^-1付近の吸収ピーク強度に対し１．８以下の有機発光素子を提供する。 - 特許庁

The cleaning method of a deposition system for removing at least a portion of the silicon nitride deposit deposited on the constituent of the deposition system after using it for depositing a thin film includes: a step for introducing first gas (12) including fluorine gas, and second gas (13) including nitrogen monoxide gas into the deposition system (11); and a step for heating the constituent.例文帳に追加

薄膜の形成に使用した後の成膜装置の構成部材に堆積した窒化シリコン堆積物の少なくとも一部を除去するための成膜装置のクリーニング方法は、成膜装置（１１）内に、フッ素ガスを含む第１のガス（１２）と一酸化窒素ガスを含む第２のガス（１３）とを導入すること、および構成部材を加熱することを含む。 - 特許庁

To provide a polyamideimide resin compositions excellent in flexibility, adhesion to a sealant, solvent resistance, chemical resistance while retaining low warpage and, in addition, soluble in a non-nitrogen based polar solvent, having low temperature curability, and excellent in heat resistance, electrical properties, moisture resistance, workability and economical efficiency, and coating film-forming materials containing the same.例文帳に追加

低反り性を保持しつつ、柔軟性、封止剤との密着性、耐溶剤性及び耐薬品性に優れ、しかも非含窒素系極性溶媒に可溶で、低温硬化性を有し、耐熱性、電気特性、耐湿性、作業性及び経済性に優れるポリアミドイミド樹脂組成物及びそれを含む被膜形成材料を提供する。 - 特許庁

To provide a polyamideimide resin paste excellent in softness, adhesion to sealants, solvent resistance and chemical resistance while retaining low warpage and, in addition, soluble in non-nitrogen-containing polar solvents, having low temperature curability and excellent in heat resistance, electrical characteristics, resistance to moisture, workability, shape retention and economy, and a film-forming material containing the same.例文帳に追加

低反り性を保持しつつ、柔軟性、封止剤との密着性、耐溶剤性及び耐薬品性に優れ、しかも非含窒素系極性溶媒に可溶で、低温硬化性を有し、耐熱性、電気特性、耐湿性、作業性、形状保持性及び経済性に優れるポリアミドイミド樹脂ペースト及びそれを含む被膜形成材料を提供する。 - 特許庁

At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile.例文帳に追加

半導体基板１を紫外光６，７を照射しながら一酸化二窒素３を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光７と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光６の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

The silicon nitride film 23 is deposited by supplying a processing gas containing a silane gas, a nitrogen gas and a hydrogen gas to a processing vessel of a plasma deposition apparatus, exciting the processing gas to generate plasma while maintaining the temperature of the substrate inside the processing vessel at 100°C or lower and the pressure inside the processing vessel at 20-60 Pa, and applying plasma processing using the plasma.例文帳に追加

シリコン窒化膜２３は、プラズマ成膜装置の処理容器内にシランガス、窒素ガス及び水素ガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板の温度を１００℃以下に維持し、且つ処理容器内の圧力を２０Ｐａ〜６０Ｐａに維持した状態で、処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って成膜される。 - 特許庁

This method for packaging fish eggs comprises putting a container 2 in which fish eggs 1 are put and a deoxidizer 3 into a hermetically sealed container composed of a film material having high gas barrier property and replacing air in the hermetically sealed container with nitrogen gas, carbon dioxide or ethanol gas or a mixture thereof and then hermetically sealing the container Z to reduce the internal residual oxygen amount to a trace amount.例文帳に追加

魚卵１を内部に入れた容器２と脱酸素剤３とをガスバリア性の高いフィルム材からなる密封容器４内に入れ、密封容器４内の空気を窒素ガス、二酸化炭素ガス、エタノールガスの単体もしくは混合体に置換し、その後密封容器４を密封して内部の残存酸素量を極微量に抑えることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a silicon single-crystal substrate 1, a GaP buffer layer 2 that is formed on the silicon-single crystal substrate 1 to the thickness of a critical film, and a plurality of semiconductor layers 3 each comprising a III-V compound semiconductor layer where formation is made on the GaP buffer layer 2 and nitrogen is added so that substantial lattice matching is made to a silicon signal crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１と、シリコン単結晶基板１上にその臨界膜厚以下の厚さに形成されたＧａＰバッファ層２と、ＧａＰバッファ層２上に形成されシリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素を添加したIII −Ｖ族化合物半導体からなる複数の半導体層３とを有する。 - 特許庁

The antireflective film has an antireflective layer formed of two or more layers on at least one surface of a base material; and a high-refractive-index layer of the layer is formed by a method of applying coating liquid in which a monomer or oligomer of metal alkoxide or its hydrolysate is dissolved and a low-refractive-index layer is formed by an atmospheric pressure plasma CVD method using nitrogen as discharge gas.例文帳に追加

基材上の少なくとも片面に、２層以上からなる反射防止層を有し、該層のうち高屈折率層が金属アルコキシドのモノマー、オリゴマー、あるいはその加水分解物を溶解した塗布液を塗工する方法によって形成され、かつ、低屈折率層が放電ガスに窒素を用いた大気圧プラズマＣＶＤ法で形成されていることを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁

The thin film transistor and the indication element equipped therewith are provided on the transparent substrate 20 with a transparent semiconductor layer 26 including more than one element selected from Al, Ga, In, nitrogen and hydrogen, a transparent source electrode 28 as well as a transparent drain electrode 30 which are constituted so that at least one part of each electrode is contacted with the transparent semiconductor layer 26, and a transparent gate electrode 22.例文帳に追加

透明基板２０上に、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層２６と、前記透明半導体層２６に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極２８及び透明ドレイン電極３０と、透明ゲート電極２２と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by forming a film of a nitride-based compound on any substrate selected from a group consisting of a substrate with ITO formed on a surface thereof, a silicon substrate and an aluminum substrate, wherein the nitride-based compound includes one or more elements selected from group IIIA elements of the periodic table, a nitrogen atom and hydrogen, and generates photoluminescence at the band edges at room temperature.例文帳に追加

ＩＴＯが表面に設けられた基板、シリコン基板、アルミニウム基板からなる群から選択される何れかの基板上に、周期律表におけるIII Ａ族元素から選択される１以上の元素と窒素原子と水素とを含み、かつ、室温においてバンド端でのフォトルミネッセンスを発生する窒化物系化合物による膜を設けたことを特徴とする半導体デバイス。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet using steel comprising 0.2 to 2.0 mass% Si as a plating base material, the thickness of a nitrogen-concentrated layer in the surface layer part of the steel sheet is 3 to 100 μm, the concentration of Al in a plating film is 0.20 to 0.40 mass%, and the concentration of Fe is 7 to 15 mass%.例文帳に追加

０．２〜２．０質量％のＳｉを含有する鋼をめっき母材とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板であって、鋼板表層部の窒素濃化層が３〜１００μｍであり、めっき皮膜中のＡｌ濃度が０．２０〜０．４０質量％、Ｆｅ濃度が７〜１５質量％である、合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

As an automatic drain valve is provided at a lower part of an air filter mounted inside a device package to automatically discharge drain when the quantity of the drain exceeds a predetermined quantity, the functional deterioration of the membrane dryer and the nitrogen separation film and the shortening of life caused by the contamination of moisture, oil, dust, etc., in supplied compressed air can be avoided.例文帳に追加

装置パッケージ内部に取り付けられたエアフィルタの下部へオートドレン弁を設け、回収されたドレンが一定量を超えると自動的に排出される構成としているので、供給圧縮空気中に含まれる水分や油分、ゴミ等の混入による、メンブレンドライヤおよび窒素分離膜の性能低下および寿命低下を回避することができる。 - 特許庁

The nickel monosilicide layer 15 containing iridium is formed by forming an impurity diffusion layer 12 on the surface of a silicon substrate 11, depositing an Ni-Ir alloy layer 13 after removing a natural oxide film on the surface, and applying a rapid thermal annealing (RTA) in a nitrogen gas atmosphere at temperature of 300°C to 500°C for example.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面部に不純物拡散層１２を形成し、その表面の自然酸化膜を除去した後、Ｎｉ−Ｉｒ合金層１３を堆積させて、例えば３００℃〜５００℃の温度で窒素ガス雰囲気中の急速熱アニール（ＲＴＡ）を施し、イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層１５を形成する。 - 特許庁

To provide an applied polyester film having a low contact angle to water, excellent in hydrophilicity, hydrophilic water-proofness and high-temperature water-proofness, and having a prominent characteristic as to abrasion resistance, not containing a nitrogen containing component in an applied layer, and having reduced yellowing irrespective of using a self-regenerative polyester raw material when manufactured.例文帳に追加

水に対する接触角が小さく、親水性に優れ、親水性の耐水性、高温耐水性および耐摩耗性に対して傑出した特性を有し、塗布層に窒素含有成分を含まず、製造の際に自己再生ポリエステル原料を使用しているにも係わらず黄変は小さいという特徴を有する塗布フィルムを提供する。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

In welding of an inside periphery portion 11 of a ring-shaped plate 10 with the other one adjoining each other and an outside periphery portion 12 with the other one adjoining each other, the laser welding is applied spouting a mixed gas consisting of hydrogen and at least one of argon or nitrogen as an assist gas to a welding portion, which eliminates the surficial oxide film in the welded portion by reducing action of hydrogen.例文帳に追加

円環状プレート１０の環状内周縁部１１同士及び環状外周縁部１２同士の溶接を、アルゴンと窒素の少なくとも何れか一方と水素の混合ガスをアシストガスとして溶接部に噴射しながらレーザ溶接により行い、水素の還元作用によって溶接部の表面酸化皮膜を無くす。 - 特許庁

To obtain a polyamide-imide resin composition having excellent low warpage, flexibility, adhesion to a sealing material, solvent resistance, and chemical resistance, and further, being nitrogen-free type polar solvent-soluble, and having low-temperature curing properties, and excellent heat resistance, electrical characteristics, humidity resistance, workability and economic efficiency, and to obtain a coating film forming material having the above characteristics by using the same.例文帳に追加

低反り性、柔軟性、封止材との密着性、耐溶剤性及び耐薬品性に優れ、しかも非含窒素系極性溶媒に可溶で低温硬化性を有し、耐熱性、電気特性、耐湿性、作業性及び経済性に優れるポリアミドイミド樹脂組成物及びそれを用いた優れた前記特性を有する被膜形成材を提供する。 - 特許庁

In a plasma CVD method using high frequency discharge, the amorphous silicon nitride film is formed by using mixed gas containing silane gas, hydrogen gas, and at least one of ammonium gas or nitrogen gas while the distance between electrodes is 50-100 mm, and the flow rate ratio (H_2/SiH_4) of hydrogen gas to silane gas is 0.5-3.0.例文帳に追加

高周波放電を利用したプラズマＣＶＤ法において、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いて、電極間距離を５０〜１００ｍｍとし、シランガスに対する水素ガスの流量比（Ｈ_2／ＳｉＨ_4）を０．５〜３．０として非晶質窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁

To obtain a polyimide resin paste which has excellent flexibility, adhesivity and wettability to a sealing material, excellent solvent resistance and chemical resistance while keeping low warpage, is soluble in a nitrogen-free polar solvent, has low-temperature curability and excellent heat resistance, electric properties, moisture resistance, workability and economic efficiency and a coating film-forming material comprising the same.例文帳に追加

低反り性を保持しつつ、柔軟性、封止材との密着性及び濡れ性、耐溶剤性及び耐薬品性に優れ、しかも非含窒素系極性溶媒に可溶で、低温硬化性を有し、耐熱性、電気特性、耐湿性、作業性及び経済性に優れるポリイミド樹脂ペースト及びそれを含む被膜形成材料を提供する。 - 特許庁

The composition for conductive film formation contains (i) an N-alkoxy-alkilated polyamide resin with a part of nitrogen atoms substituted with alkoxy alkyl groups, (ii) a polymeric acidic phosphate compound, (iii) a silane compound and/or its (partial) hydrolytic substance containing a methacryloxy group or an acryloxy group or its condensation polymerization substance, and (iv) an organic solvent.例文帳に追加

（ｉ）窒素原子の一部がアルコキシアルキル基で置換されたＮ−アルコキシアルキル化ポリアミド樹脂と、（ｉｉ）重合性酸性リン酸化合物と、（ｉｉｉ）メタクリロキシ基又はアクリロキシ基を含有するシラン化合物及び／又はその（部分）加水分解物もしくはその縮重合物と、（ｉｖ）有機溶剤を含むことを特徴とする導電性膜形成用組成物。 - 特許庁

In the method for performing passivation for suppressing surface recombination and measuring life time of the semiconductor wafer, a reflective microwave photoconductive attenuation method is used for the semiconductor wafer where a natural oxide film on a surface of the semiconductor wafer is removed by hydrofluoric acid and pure water rinse cleaning is performed under nitrogen atmosphere.例文帳に追加

表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。 - 特許庁

The production method of the Ni-based alloy is characterized in that the Ni-based alloy containing Cr is heated in a gaseous mixture atmosphere composed of carbon dioxide and at least one kind selected from carbon monoxide, gaseous nitrogen and gaseous hydrocarbon and an oxide film composed of a chromium oxide is formed on the surface of the Ni-based alloy.例文帳に追加

Crを含むNi基合金を、二酸化炭素ガスならびに一酸化炭素ガス、窒素ガスおよび炭化水素ガスの中から選択される少なくとも１種のガスからなる混合ガス雰囲気下で加熱してNi基合金表面にクロム酸化物からなる酸化被膜を形成させることを特徴とするNi基合金の製造方法。 - 特許庁

The product is put in the sealing heat shrinkage package through using a heat-shrinkable film with gas barrier and filling the mixed gas of 85-98 vol.% of nitrogen gas and 15-2 vol.% of carbon dioxide.例文帳に追加

又、野菜の原木が、１乃至１０℃で５乃至４８時間保冷された後にカットされ、加熱処理済みの半加工肉と袋入りの液体調味料と共にトレーに盛り付けられ、ガスバリヤー性を有する熱収縮性フィルムを用いて、窒素ガス８５乃至９８容量％と炭酸ガス１５乃至２容量％との混合ガスを充填して密閉熱収縮包装されている。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate which is mainly composed of silicon, a groove which is formed in the substrate and divides an element region, the SiGe film formed on the substrate and a silicon flow preventing layer which is formed in a sidewall from a surface in at least an upper part of the sidewall of the groove and includes at least nitrogen or carbon.例文帳に追加

シリコンを主成分とする基板と、前記基板に形成され、素子領域を区画する溝と、前記基板上に形成されたＳｉＧｅ膜と、前記溝の側壁の少なくとも上部において前記側壁の表面から内部に形成された、窒素および炭素のうち少なくともいずれかを含む、シリコン流動防止層と、を備える。 - 特許庁

This layer is formed by sputtering at a substrate temperature of 200°C higher or depositing through sputtering at a substrate temperature lower than 200°C and heat treating at temperatures of 200°C higher, or depositing through sputtering at a substrate temperature of 200°C or higher and exposing the Ta film to a nitrogen plasma for nitrifying it.例文帳に追加

このバリア層は、基板温度２００℃以上の条件でスパッタリングにより形成されるか、または基板温度２００℃未満の条件でスパッタリングにより堆積した後に２００℃以上の温度で熱処理して形成されるか、または基板温度２００℃以上の条件でＴａ膜をスパッタリングにより堆積した後に該Ｔａ膜を窒素プラズマに晒して窒化して形成される。 - 特許庁

Since an intrinsic gettering structure by nitrogen introduction into a silicon melt 56 in pulling an ingot is formed in a large-diameter silicon wafer 11 having a diameter of 450 mm and a specific resistance value of 0.01-0.1 Ω cm, large warpage hardly occurs in the silicon wafer 11 after the growth of an epitaxial film 12.例文帳に追加

直径が４５０ｍｍ、比抵抗値が０．０１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ未満の大口径シリコンウェーハ１１に、インゴット引き上げ時のシリコン溶融液５６への窒素導入によるイントリンシックゲッタリング構造を形成したので、エピタキシャル膜１２の成長後、シリコンウェーハ１１に大きな反りが発生しにくい。 - 特許庁

To provide an environmentally friendly steel sheet for container materials having excellent adhesion of an organic resin film to laminated films equivalent to the conventional steel sheets for container materials subjected to chromate treatment or coating materials etc., and excellent iron elution resistance after dent impact, and a process for manufacturing an environmentally friendly steel sheet for container materials which does not emit fluoride and nitrate nitrogen compounds in a manufacturing process.例文帳に追加

従来のクロメート処理を施した容器材料用鋼板と同等のラミネートフィルムあるいは塗料等の有機樹脂被膜との密着性、および、デント衝撃後の耐鉄溶出性に優れた環境への負荷の少ない容器材料用鋼板と、製造工程において、フッ化物や硝酸性窒素化合物を排出しない、環境への負荷の少ない容器材料用鋼板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing method is used to form a silicon nitride film for a substrate 21 to be subjected to plasma processing by applying plasma of raw material gas containing silicon and hydrogen and a nitrogen containing gas, wherein a bias power for ion injection onto the substrate 21 is set higher than a threshold level, so that the increased Si-H coupling can reduce the compression stress.例文帳に追加

シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 - 特許庁

This treatment method forms an insulating film on the surface of a substrate to be treated according to oxidizing and nitriding treatment and comprises steps of nitriding the surface of the substrate to be treated by irradiating the substrate to be treated with plasma containing nitrogen atoms, and oxidizing the nitrided surface of the substrate to be treated by irradiating the nitrided surface with plasma containing oxygen atoms.例文帳に追加

被処理基体の表面に酸窒化処理により絶縁膜を形成する処理方法であって、前記被処理基体に窒素原子を含むプラズマを照射して前記被処理基体の表面を窒化するステップと、前記窒化された前記被処理基体の前記表面に酸素原子を含むプラズマを照射して酸化するステップとを有する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polyamide-imide resin composition having excellent low warpage, flexibility, adhesion to a sealing material, solvent resistance and chemical resistance, soluble in a nitrogen-free polar solvent, exhibiting low-temperature curability, and also having excellent heat resistance, electrical characteristics, moistureproof properties, operability and economical efficiency; and to provide a film-forming material having the above excellent characteristics and obtained by using the composition.例文帳に追加

低反り性、柔軟性、封止材との密着性、耐溶剤性及び耐薬品性に優れ、しかも非含窒素系極性溶媒に可溶で低温硬化性を有し、耐熱性、電気特性、耐湿性、作業性及び経済性に優れるポリアミドイミド樹脂組成物及びそれを用いた優れた前記特性を有する被膜形成材を提供する。 - 特許庁

The composition for forming the insulating film contains a compound obtained by mixing (A) a polyorganosiloxane compound having an MFI structure of a zeolite in which a nitrogen-containing compound exists in a hole formed of 10 member rings of a siloxane for constituting the MFI and (B) a polycarbosilane compound in the presence of an organic solvent and heating it.例文帳に追加

本発明にかかる絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）ゼオライトのMFI構造を有し、前記MFI構造を構成するシロキサンの１０員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、（Ｂ）ポリカルボシラン化合物とを、有機溶媒の存在下で混合し、加熱することにより得られる化合物を含有する。 - 特許庁

The semiconductor device is fabricated by a process of selectively introducing halogen element or argon to an element region 14 of a silicon substrate 10 and a process of forming a silicon oxide film 24 over an element region 16 and a silicon oxide film 22, which is thicker than film 24, over the element region 14 by wet oxidation of the substrate 10 under the reduced pressure or the diluted atmosphere by nitrogen or rare gas.例文帳に追加

シリコン基板１０の素子領域１４に、ハロゲン元素又はアルゴンを選択的に導入する工程と、シリコン基板１０を、減圧下又は窒素若しくは希ガスにより希釈された雰囲気でウェット酸化することにより、素子領域１６にシリコン酸化膜２４を、領域１４にシリコン酸化膜２４より厚いシリコン酸化膜２２を、それぞれ形成する工程とを有する製造方法により半導体装置を製造する。 - 特許庁

The transparent gas barrier film 11 has a substrate film 111 of a polyamide resin, an easy adhering layer 112 surface treated by reactive ion-etching and an inorganic oxide layer 113 formed by a vapor phase deposition method thereon, wherein the easy adhering layer 112 is formed on one primary surface of the substrate film 111 and contains nitrogen atoms, an adipic acid and bisphenol glycidyl ether.例文帳に追加

本発明の透明ガスバリア性フィルム１１は、ポリアミド樹脂からなる基材フィルム１１１と、前記基材フィルム１１１の一方の主面上に形成され、窒素原子とアジピン酸とビスフェノールグリシジルエーテルとを含み、リアクティブイオンエッチングによる表面処理が施された易接着層１１２と、前記易接着層１１２上に気相堆積法によって形成された無機酸化物層１１３とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a water resistant optical anisotropic film comprises a water resistance processing step in which an optical anisotropic film including organic coloring matter having an anionic group is brought into contact with a water resistance processing liquid including a chemical compound having two or more nitrogen atoms in polyvalent metal salt or molecules, and a washing step in which the optical anisotropic film after the water resistance processing is washed with a cleaning liquid including a hydrophilic organic compound.例文帳に追加

本発明の耐水化された光学異方性フィルムの製造方法は、アニオン性基を有する有機色素を含む光学異方性フィルムを、多価金属塩又は分子中に２個以上の窒素原子を有する化合物を含む耐水化処理液に接触させる耐水化処理工程と、前記耐水化処理後の光学異方性フィルムを、親水性有機化合物を含む洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程と、を有する。 - 特許庁

The apparatus for producing a DLC-coated container includes a chamber 10 which receives a plastic container B and deposits a DLC film on a surface of the plastic container B, a power supply part 20 which applies voltage to an electrode provided in the chamber 10, and a gas supply and discharge part 30 which supplies nitrogen gas into the chamber 10 to perform gas replacement and then supplies a source gas used as a raw material of the DLC film.例文帳に追加

ＤＬＣ皮膜容器の製造装置は、プラスチック容器Ｂを収容し、そのプラスチック容器Ｂ表面にＤＬＣ膜を成膜するチャンバ１０と、そのチャンバ１０内に設けられた電極に電圧を印加する電源部２０と、上記チャンバ１０内に窒素ガスを給気してガス置換を行った後に、ＤＬＣ膜の原料となる原料ガスを供給するガス供給排出部３０とを有して構成される。 - 特許庁