「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The AlN piezoelectric film 10 is formed by sputtering through use of a mixture gas of Ar and nitrogen having a nitrogen flow rate ratio (nitrogen flow rate/(Ar flow rate + nitrogen flow rate)) in the range of 10-75%.例文帳に追加

この場合、ＡｌＮ圧電薄膜１０は、Ａｒと窒素との混合ガスであって窒素流量比（窒素流量／（Ａｒ流量＋窒素流量））が１０％〜７５％である混合ガスを用いるスパッタリング法で形成される。 - 特許庁

To enhance electrical characteristics of a nitrogen compound semiconductor light-emitting element by a method, where when the light-emitting element consisting of a nitrogen compound semiconductor film is formed on a nitrogen compound semiconductor substrate, an element belonging to a group VII elements is contained in the nitrogen compound semiconductor substrate as impurities.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ基板とエピタキシャル成長膜との電気的コンタクトが良好となるエピタキシャル成長を行う基板面（以下、成長面）を有する窒素化合物半導体基板を得る。 - 特許庁

Moreover, by applying a nitrogen ion beam 8, the film is made dense to obtain the hard carbon nitride film.例文帳に追加

また、窒素イオンビーム８を照射することにより、膜が緻密となり硬質な窒化炭素膜が得られる。 - 特許庁

NITROGEN-CONTAINING AMORPHOUS CARBON FILM, AMORPHOUS CARBON LAYERED FILM, AND SLIDING MEMBER例文帳に追加

窒素含有非晶質炭素系皮膜、非晶質炭素系積層皮膜および摺動部材 - 特許庁

To provide a nitriding method of an oxide film, which can optimize distribution of nitrogen atoms in a film.例文帳に追加

膜中における窒素原子の分布を最適化できる酸化膜の窒化方法を提供する - 特許庁

Nitrogen is led into the thin film polysilicon film 13 by plasma nitrification.例文帳に追加

その後、プラズマ窒化を行うことにより薄膜ポリシリコン１３の中に窒素を導入する。 - 特許庁

To suppress a leak current of a insulation film by suitably introducing nitrogen atoms into an oxide film.例文帳に追加

酸化膜に窒素原子を適切に導入することにより、絶縁膜のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

NITROGEN-CONTAINING Cr FILM, ITS PRODUCTION AND MACHINE MEMBER HAVING THIS FILM例文帳に追加

窒素含有Ｃｒ被膜とその製造方法およびこの被膜を有する機械部材 - 特許庁

The oxide film including nitrogen is formed on a substrate 1 as the gate insulation film 11.例文帳に追加

基板１上に窒素を含有する酸化膜をゲート絶縁膜１１として形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FILM OF COMPOUND CONTAINING BORON, CARBON, NITROGEN AND OXYGEN, AND FILM, SUBSTRATE AND DEVICE OBTAINED WITH THE METHOD例文帳に追加

硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法並びに前記方法で得られた膜、基板、デバイス - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a film capable of forming a boron-carbon-nitrogen film.例文帳に追加

ホウ素炭素窒素膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

After the film formation, a nitrogen atmosphere is set in another heat-treatment furnace, and the film is heated for 30 min.例文帳に追加

成膜後、別の熱処理炉内で窒素雰囲気にし、４５０℃、３０分間加熱する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film capable of forming a boron-carbon-nitrogen film.例文帳に追加

ホウ素炭素窒素膜を成膜することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

A nitride insulating film is formed in a region of the insulating film 112 in which nitrogen is implanted.例文帳に追加

絶縁膜１１２のうちの窒素が注入された領域には、窒化絶縁膜が形成される。 - 特許庁

A nitrogen-containing Cr film has Cr_XN_Y crystals each of which contains 50-99 atoms of chromium and 50-1 atoms of nitrogen per 100 atoms scattered in the Cr film containing nitrogen.例文帳に追加

本発明の窒素含有Ｃｒ被膜においては、窒素を含有するＣｒ膜中に１００原子当たり ５０〜９９のクロム 原子及び５０〜１ の窒素原子を含むＣｒ_X Ｎ_Y 結晶を点在せしめる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses excessive diffusion of nitrogen atoms, and improves nitrogen concentrations of an insulating film, when the insulating film including nitrogen and silicon as constituent elements is formed.例文帳に追加

構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a gate insulation film containing nitrogen where nitrogen concentration near the interface to a gate electrode at the opposite side is increased while suppressing an increase in nitrogen concentration near the interface to the silicon substrate of a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めた窒素含有ゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The metal plate having the easily decomposable coating film has the easily decomposable coating film, which contains a polymer having a nitrogen-nitrogen double bond (-N=N-) and/or a nitrogen-carbon double bond (-C=N-) on its side chain, at least on its one side.例文帳に追加

少なくとも片面に、側鎖に窒素−窒素二重結合（−Ｎ＝Ｎ−）および／または窒素−炭素二重結合（−Ｃ＝Ｎ−）を有する重合体を含む易分解性塗膜を有する金属板。 - 特許庁

The second gate insulated film 9a formed on the silicon oxide film 8 is a nitrogen containing metal silicified film wherein film average metal concentration is at most 62%, and film average nitrogen content is at least 30 atm%.例文帳に追加

シリコン酸化膜８上に形成された第２のゲート絶縁膜９ａは、膜平均金属濃度が６２％以下、且つ、膜平均窒素含有率が３０ａｔｍ％以上の窒素含有金属珪酸化膜である。 - 特許庁

In the member coated with the hard film and the method for manufacturing the same, a nitrogen-containing chromium film is formed on a substrate and then the nitrogen-containing chromium film is oxidized to form a chromium oxidized film on the nitrogen-containing chromium film.例文帳に追加

本発明の硬質皮膜被覆部材およびその製造方法においては、基材上に窒素含有クロム皮膜を形成し、次に前記窒素含有クロム皮膜を酸化させて前記窒素含有クロム被膜上にクロム酸化皮膜を形成する。 - 特許庁

The nitridation treatment is performed by nitriding the silicon nitride film by nitrogen radicals produced in plasma of a nitrogen gas.例文帳に追加

この窒化処理は、窒素ガスのプラズマ中に生成された窒素ラジカルで窒化シリコン膜を窒化することで行われる。 - 特許庁

The nitrogen-containing vanadium film can be deposited by sputtering vanadium in the nitrogen atmosphere.例文帳に追加

前記窒素含有バナジウム被膜は、窒素の雰囲気中でバナジウムをスパッタリングすることによって形成することができる。 - 特許庁

A nitrogen-containing oxide thin film is made by sputtering an oxygen-deficient target in the presence of a small amount of added nitrogen.例文帳に追加

酸素を欠損させたターゲットを使用し、微量に窒素を添加してスパッタリングを行うことにより窒素含有酸化物薄膜を作製する。 - 特許庁

Using a mixture of hydrogen and nitrogen plasma, the nitrogen content in the film can be controlled from 0 to N/Ta=1.7.例文帳に追加

水素プラズマと窒素プラズマの混合物を使用して、膜の窒素含有率を０からＮ／Ｔａ＝１．７まで制御することができる。 - 特許庁

Then, the first gate insulating film 10 is thermally treated in the nitrogen oxide gas or a gas containing nitrogen oxide (first thermal treatment process).例文帳に追加

次いで、第１ゲート絶縁膜１０を、窒素酸化物ガス又は窒素酸化物を含むガス中で熱処理する（第１熱処理工程）。 - 特許庁

Nitrogen is doped in the gate oxide film 36 and P^+-gate electrode 35, and a nitrogen doped region 30 is formed.例文帳に追加

ゲート酸化膜３６およびＰ^＋型ゲート電極３５中には窒素がドープされ、窒素ドーピング領域３０が形成される。 - 特許庁

Nitrogen is doped in the gate oxide film 36 and the p^+-type-gate electrode 35 to form a nitrogen doped region 30.例文帳に追加

ゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５中には窒素がドープされ、窒素ドーピング領域３０が形成される。 - 特許庁

To form a gate insulating film of high permittivity which is high in an average nitrogen concentration and low in the nitrogen concentration near the interface of a silicon substrate.例文帳に追加

平均窒素濃度が高くかつシリコン基板界面近傍の窒素濃度が低い高誘電率のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a forming method and a forming device for a silicon oxynitride film, which can lift up nitrogen while suppressing outward diffusion of the nitrogen.例文帳に追加

窒素の外方拡散を抑制しつつ、窒素のリフトアップが可能なシリコン酸窒化膜の形成方法および形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus including a step at which the nitrogen concentration of nitrogen injected into a silicon oxide film and a segregation position are controlled.例文帳に追加

シリコン酸化膜中に導入する窒素の窒素濃度及び偏析位置を制御する工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the nitrogen-containing layer, concentration of nitrogen is the highest on the interface between the high dielectric constant film 112 and the interface layer 110.例文帳に追加

窒素含有層において、窒素の濃度は高誘電率膜１１２と界面層１１０の界面が最も高い。 - 特許庁

Nitrogen is doped in the gate oxide film 36 and the P+ type-gate electrode 35, and a nitrogen-doped region 30 is formed.例文帳に追加

ゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５中には窒素がドープされ、窒素ドーピング領域３０が形成される。 - 特許庁

The insulating film containing fluorine is any one of a silicon oxide film containing fluorine, a silicon oxide film containing fluorine and nitrogen, and a silicon nitride film containing fluorine.例文帳に追加

前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか１つである。 - 特許庁

To provide a method for forming an oxynitride film and an apparatus for forming the oxynitride film that can make the oxynitride film including a desired quantity of nitrogen a thin film.例文帳に追加

所望の窒素量を含んだ酸窒化膜を薄膜化することができる酸窒化膜形成方法及び酸窒化膜形成装置を提供する。 - 特許庁

The third gate insulated film 9b formed on the nitrogen containing metal silicificated film 9a is a nitrogen-containing metal silicificated film wherein film average metal concentration is at least 50% and at most 80%.例文帳に追加

窒素含有金属珪酸化膜９ａ上に形成された第３のゲート絶縁膜９ｂは、膜平均金属濃度が５０％以上８０％以下の窒素含有金属珪酸化膜である。 - 特許庁

The transparent electrode for display device comprises a first transparent conductive film 61 containing nitrogen and a second transparent conductive film 62 containing no nitrogen, and the first transparent conductive film is brought into contact with the aluminum alloy film 63.例文帳に追加

窒素を含有する第１の透明導電膜６１と、窒素を含有しない第２の透明導電膜６２とからなる表示デバイス用透明電極であって、第１の透明導電膜はアルミニウム合金膜６３に接触している。 - 特許庁

The method also comprises steps of exposing the first film 13B and the second film 15B to nitrogen plasma, and thereby forming a first gate insulating film 13C and a second gate insulating film 15C in which the nitrogen atom is further introduced.例文帳に追加

次に、第１のゲート絶縁膜１３Ｂ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｂを窒素プラズマに暴露することにより、窒素原子をさらに導入された第１のゲート絶縁膜１３Ｃ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｃを形成する。 - 特許庁

To prevent nitrogen from reaching the boundary between a high-k (High-capacity) film and a silicon board when the nitrogen is mixed into a high-dielectric film (High-k film) to prevent boron as a p-type dopant from penetrating through the high-dielectric film.例文帳に追加

ｐ型ドーパントであるボロンの突き抜け防止のために、高誘電膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）中に入れる窒素が、Ｈｉｇｈ−ｋ膜とシリコン基板との界面に達するのを防止する。 - 特許庁

After bonding the insulating film containing nitrogen atoms and a glass substrate to each other, the semiconductor substrate is split, whereby an SOI substrate in which the insulating film containing nitrogen atoms, the oxide film, a thin semiconductor film are stacked in this order is formed.例文帳に追加

そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 - 特許庁

Moreover, the method includes introducing the radical nitrogen precursor to the deposition chamber, wherein the radical nitrogen and silicon-containing precursors react and deposit the silicon and nitrogen containing film on the substrate.例文帳に追加

さらに、堆積チャンバにラジカル窒素前駆体を導入することを含み、ラジカル窒素およびシリコン含有前駆体は反応して基板上にシリコンおよび窒素含有膜を堆積する。 - 特許庁

In the case of the molar ratio of nitrogen atom to oxygen atom in the whole nitrogen-containing ligand in the precursor of ≥1, a plenty of nitrogen atoms are fixed to a titanium oxynitride thin film after heat treatment.例文帳に追加

前駆体中の全含窒素配位子における酸素原子に対する窒素原子のモル比が１以上の場合、熱処理後のチタンオキシナイトライド薄膜において、多くの窒素が固定化される。 - 特許庁

Nitrogen gas and hydrogen gas, the volume of hydrogen gas being 2-80% of that of nitrogen gas, are introduced in a chamber where the semiconductor substrate is provided so that the inter- layer insulating film 8 is exposed to a nitrogen plasma and hydrogen plasma.例文帳に追加

そして、水素ガスの体積を窒素ガスの体積の２乃至８０％として、窒素ガス及び水素ガスを前記半導体基板が配置されたチャンバ内に導入し層間絶縁膜８を窒素プラズマ及び水素プラズマに曝す。 - 特許庁

When a material gas, containing a high-melting point metal and a nitrogen-containing reducing gas containing nitrogen atoms are introduced in a vacuum atmosphere to form a nitride thin film 24 made of high-melting point metal, an auxiliary reducing gas which does not contain nitrogen is introduced.例文帳に追加

真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。 - 特許庁

When the nitrogen concentration of nitrogen included in the nitride areas 20x and 20y is represented as n1 and n2, and the nitrogen concentration of nitrogen included in a part positioned on the active area in the gate insulating film as n, relational expressions n1>n and n2>n are satisfied.例文帳に追加

窒化領域２０ｘ，２０ｙに含まれる窒素の窒素濃度をｎ１，ｎ２とし、ゲート絶縁膜における活性領域上に位置する部分に含まれる窒素の窒素濃度をｎとしたとき、ｎ１＞ｎ、且つ、ｎ２＞ｎの関係式が成り立っている。 - 特許庁

A barrier film comprises a compound, including nitrogen as well as at least titanium or tantalum, nitrogen of a variable concentration in the barrier film, and oxygen of a variable concentration in the barrier film.例文帳に追加

障壁膜が、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも１つを含む化合物と、障壁膜内で可変の濃度を有する窒素と、障壁膜内で可変の濃度を有する酸素とを含む。 - 特許庁