「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a titanium oxynitride film at a high speed through sputtering while controlling amounts of nitrogen and oxygen in the film during film formation with a high precision.例文帳に追加

成膜時に膜中の窒素量と酸素量を高精度に制御しつつ、酸窒化チタン膜を高速でスパッタ成膜する。 - 特許庁

In this method of heat-treating resin film, heat treatment is performed on the resin film in an oxygen-containing atmosphere after the resin film is cured in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

樹脂膜を窒素雰囲気下でキュアした後、さらに、酸素を含む雰囲気下で熱処理することを特徴とする樹脂膜の熱処理方法。 - 特許庁

The silicon oxide film 4c suppresses the infiltration of the nitrogen and the carbon contained in the inter-electrode insulating film 7 to the application-type insulating film 4b.例文帳に追加

このシリコン酸化膜４ｃが電極間絶縁膜７に含有される窒素や炭素の塗布型絶縁膜４ｂへの侵入を抑制する。 - 特許庁

To provide a film formation method for film-forming an insulating film containing nitrogen on a substrate by a MOCVD method, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

窒素を含んだ絶縁膜をMOCVD法により基板の上に成膜することが可能な成膜方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The adhesive properties of the film are improved by subjecting it to reverse sputtering of the surface of the substrate before the film formed by using a nitrogen gas, when a gate metal Ag alloy film is formed.例文帳に追加

ゲート金属Ａｇ系合金膜形成時、窒素ガスを用いて成膜前の基板表面を逆スパッタして、膜の密着性を改善する。 - 特許庁

To introduce nitrogen with higher concentration, even if it is a thin SiO_2 film of the film thickness 1.2 nm or less, while suppressing a film increase.例文帳に追加

膜厚１．２ｎｍ以下の薄いＳｉＯ_２膜であっても増膜を抑えつつ、より高濃度に窒素を導入する。 - 特許庁

Further, a nitrogen concentration of the first oxynitrogen film 11 and the third oxynitrogen film 13 is lower than that of the second oxynitrogen film 12.例文帳に追加

更に、第１の酸窒化膜１１及び第３の酸窒化膜１３の窒素濃度が、第２の酸窒化膜１２の窒素濃度より低い。 - 特許庁

An amorphous silicon film 104 is formed on a silicon nitrogen film 102 and a silicon dioxide film 103 formed on an insulating substrate 101.例文帳に追加

絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。 - 特許庁

The light transmitting carbon thin film which has a refractive index of 1.98 and to which nitrogen or nitrogen and hydrogen are added is obtained by depositing a carbon thin film on a silicon substrate, adding nitrogen to the carbon thin film at the same time, and adjusting the refractive index and the absorption coefficient by reducing the content of nitrogen by performing heat treatment.例文帳に追加

シリコン基板上にカーボン薄膜を成膜すると同時にカーボン薄膜に窒素を添加し、その後熱処理を行うことで窒素の含有量を減少させて屈折率および吸収係数を調整し、窒素あるいは窒素と水素が添加された屈折率が１．９８の光透過性カーボン系薄膜を得る。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit capable of forming the metal film in the integrated circuit, the metal nitride film is formed in a recess, the metal nitride film has a first nitrogen concentration at the bottom of the recess and has a second nitrogen concentration at a portion adjacent to the entrance of the recess, and the first nitrogen concentration is lower than the second nitrogen concentration.例文帳に追加

リセス内に金属窒化膜を形成し、金属窒化膜は、リセスの底面では第１窒素濃度であり、リセスの入口に隣接した部分では第２窒素濃度を有し、第１窒素濃度は、第２窒素濃度より低いことを特徴とする集積回路に金属膜を形成できる半導体集積回路の製造方法である。 - 特許庁

This method to form a gate oxide film includes a process in which a semiconductor substrate 21 is prepared, a process in which heat treatment is performed in a mixture of oxygen nitrogen gas atmosphere (nitrogen content: less than 5%) to form a first oxynitride film, and a process in which heat treatment is performed in another oxygen-nitrogen mixed gas atmosphere (nitrogen content: more than 5%) to form a second oxynitride film 28.例文帳に追加

ゲート酸化膜の形成方法は、半導体基板を準備する工程と、半導体基板上に、窒素含有量が５％未満の酸素窒素混成ガスの雰囲気下で熱処理を進行して第１次酸化窒化膜を形成する工程と、窒素含有量が５％以上の酸素窒素混成ガスの雰囲気下で熱処理を進行して第２次酸化窒化膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the film formation process for a single film of the nitride compound semiconductor, the mole flow rate of ammonia and the organic nitrogen compound in the nitrogen material gas is controlled to change a supply mole ratio (R=x/(x+y)) of the organic nitrogen compound (x moles) and ammonia (y moles).例文帳に追加

この窒化物系化合物半導体の単一の膜の成膜プロセス中に、窒素原料ガス中のアンモニアと有機窒素化合物のモル流量を制御して、有機窒素化合物（ｘモル）とアンモニアの（ｙモル）の供給モル比（Ｒ＝ｘ／（ｘ+ｙ））を変化させる。 - 特許庁

To provide a means capable of easily controlling the supply ratio of metal and active nitrogen species and forming a nitrogen semiconductor thin film having superior crystal quality and surface flatness for a method of manufacturing the nitride semiconductor thin film in which the metal and active nitrogen species are supplied onto a substrate to react with each other.例文帳に追加

基板上に金属と活性窒素種とを供給して反応させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、金属と活性窒素種との供給比率を容易に制御可能とし、且つ、結晶品質や表面平坦性に優れた窒化物半導体薄膜を形成可能とする手段を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, having a metal insulator field effect transistor(MISFET) where a gate insulating film having high nitrogen atomic density can be surely peeled in a region, on which a gate insulating film having low nitrogen atomic density is to be formed, when gate insulating films having different nitrogen atomic densities are formed.例文帳に追加

異なる窒素原子密度を有するゲート絶縁膜の形成に際し、窒素原子密度の低いゲート絶縁膜を形成する領域で、窒素原子密度の高いゲート絶縁膜を確実に剥離することができる、MISFETを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the chemically-treated steel sheet, a plated steel sheet is used as a base material, a chemical film containing organic resin, a valve metal compound, ammonium salt and/or amines is formed on the surface of the base material, and the ratio of nitrogen (nitrogen ratio) composing an NCO group to the total nitrogen in the chemical film is controlled in the range of 0.8 to 0.95.例文帳に追加

めっき鋼板を基材とし、有機樹脂，バルブメタル化合物，アンモニウム塩及び／又はアミン類を含む化成皮膜が基材表面に形成されており、化成皮膜中の全窒素に対するＮＣＯ基を構成する窒素の比率（窒素比）が０.８〜０.９５の範囲に調整されている。 - 特許庁

The method for depositing a film of low dielectric constant comprises a step for generating plasma in a film deposition chamber and a step for causing reaction of a nitrogen atom with boron and carbon in the film deposition chamber to deposit a boron carbon nitrogen film on a substrate and then irradiating the film with light.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device contains a lower metallic film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a barrier film 5 which is formed on the metallic film 2 and composed of a metal containing nitrogen in such a way that the nitrogen concentration becomes lower as going farther from the metallic film 2, and an upper metallic film 6 formed on the barrier layer 5.例文帳に追加

半導体基板１の上に形成された下側金属膜２と、下側金属膜２の上に形成され且つ窒素濃度が下側金属２から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜５と、バリア層５の上に形成された上側金属膜６とを含む。 - 特許庁

A presence ratio of a nitrogen atom of which three bonds are bonded all with silicon atoms and in which remaining three bonds of each of the three silicon atoms bonded to the said nitrogen atom are bonded all with the other nitrogen atom in nitrogen atoms in the gate insulating film in a total amount of nitrogen atoms is ≤ 20%.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中の窒素原子のうち、３本の結合手がすべてシリコン原子と結合し、当該窒素原子に結合している３個のシリコン原子の各々の残りの３本の結合手がすべて他の窒素原子と結合している窒素原子の、窒素原子総量に対する存在比率が２０％以下である。 - 特許庁

According to this method, forming of the gate insulating film, high in nitrogen concentration and permittivity as a whole, becomes possible while reducing the nitrogen concentration in between the nitrated film and the silicon substrate.例文帳に追加

これにより、窒化膜とシリコン基板の間を低窒素濃度化しつつ、全体として高窒素濃度で誘電率の高いゲート絶縁膜が形成可能になる。 - 特許庁

When a nonlinear element 10x is fabricated, a tantalum oxide film 13 containing nitrogen and an aluminum film 17 containing nitrogen are formed and a lower electrode 13x is patterned.例文帳に追加

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜１３および窒素含有アルミニウム膜１７を形成した後、下電極１３ｘをパターニング形成する。 - 特許庁

A nitrogen-substituted lithium phosphate thin film as a solid electrolyte thin film is manufactured by a sputtering method by supplying a rare gas and nitrogen gas under pressure of 0.1-1.0 Pa by using a target made of lithium phosphate sintered body.例文帳に追加

スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。 - 特許庁

In the nitrogen-containing chromium coating film 11, the nitrogen concentration in an intermediate part 11b in the film thickness direction is higher than that of other parts 11a, 11c.例文帳に追加

膜厚方向の中間部１１ｂの含有窒素濃度を他の部位１１ａ，１１ｃの含有窒素濃度より高くした窒化含有クロム被膜１１である。 - 特許庁

To form a boundary film of a nitrogen density as a measure against a leak current between a silicon oxide film and a silicon surface of a silicon substrate by controlling the nitrogen density between them.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板のシリコン表面との間の窒素濃度の制御を可能とし、この間にリーク電流に対応する窒素濃度の境界膜を形成する。 - 特許庁

Nitrogen is diffused to form a nitrogen containing silicon oxidation film 4x by performing heat treatment of 1050°C for the silicon oxidation film formed on the active area 3 of a well 1a in an N2O atmosphere.例文帳に追加

ウェル１ａの活性領域３の上に形成されたシリコン酸化膜に対し、Ｎ_2Ｏ雰囲気中で１０５０℃の熱処理を行うことにより、窒素を拡散させて窒素含有シリコン酸化膜４ｘを形成する。 - 特許庁

The second layers 30n, 40n have second nitrogen atom concentration larger than the first nitrogen atom concentration, and face one-side surfaces of the tunnel insulation film 30t and the block insulation film 50, respectively.例文帳に追加

第２の層３０ｎ、４０ｎは、第１の窒素原子濃度よりも大きい第２の窒素原子濃度を有し、かつトンネル絶縁膜３０ｔおよびブロック絶縁膜５０の一方に面している。 - 特許庁

The method of forming the film comprises steps of generating plasma 50 in a cylindrical container 1, mainly exciting nitrogen atoms in the container 1, then reacting boron and carbon, and forming the boron-carbon-nitrogen film 61 on a substrate 60.例文帳に追加

円筒状容器１内にプラズマ５０を生成し、円筒状容器１内に窒素原子を主に励起した後、ホウ素および炭素と反応させ、基板６０にホウ素炭素窒素膜６１を成膜する。 - 特許庁

This nitrogen is a not-yet-reacting nitrogen generated from a second barrier layer 19 comprising a high-melting-point metal nitride film (TiN) formed before the aluminum alloy film 20 is formed.例文帳に追加

この窒素はアルミニウム合金膜２０の成膜前に行う高融点金属窒化物膜（ＴｉＮ）からなる第２のバリア層１９中から発生する未反応窒素である。 - 特許庁

Further, plasma treatment is performed to at least one of the oxide film and the nitrogen-containing layer before bonding the oxide film formed on the semiconductor substrate and the nitrogen-containing layer formed on the base substrate to each other.例文帳に追加

また、半導体基板上に形成された酸化膜とベース基板上に形成された窒素含有層を接合する前に、酸化膜と窒素含有層の少なくとも一方に対してプラズマ処理を行う。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming one silicon nitride film 201 by reacting a gas containing a nitrogen with a dichlorosilane, and forming the other silicon nitride film 203 by reacting the gas containing the nitrogen with a compound containing silicon and chlorine.例文帳に追加

窒素を含有するガスとジクロロシランとを反応させて一方の窒化シリコン膜２０１を形成し、窒素を含有するガスとシリコンおよび塩素からなる化合物とを反応させて他方の窒化シリコン膜２０３を形成する。 - 特許庁

After a hydrogen plasma treatment, nitrogen plasma treatment is conducted, so as to sufficiently discharge gaseous hydrogen and then the passivation film 9 which does not contain gaseous hydrogen from the initial period of the formation of the passivation film 9 is formed by a gas which contains nitrogen.例文帳に追加

水素プラズマ処理の後、水素ガスを十分排気するために窒素プラズマ処理を行い、続いて窒素含有ガスでパッシベーション膜９の成膜初期から水素ガスを含まないパッシベーション膜９を形成する。 - 特許庁

Preferably, a multilayer film is formed in which the DLC layer of a large nitrogen content and the DLC layer of a small nitrogen content are stacked alternately at a film thickness cycle of 0.3 to 1.5 nm.例文帳に追加

好ましくは、窒素含有量の多いＤＬＣ層と少ないＤＬＣ層とを交互に膜厚周期０．３〜１．５ｎｍで積層した多層膜とする。 - 特許庁

The light shielding film 120 formed on a substrate 100 is formed of a multilayered thin film structure alternately disposed with thin films 121a, 123a, and 125a not containing nitrogen and thin films 122a and 124a containing nitrogen.例文帳に追加

基板１００上に形成する遮光膜１２０を、窒素を含有しない薄膜１２１ａ，１２３ａ，１２５ａと窒素を含有する薄膜１２２ａ，１２４ａとを交互に配設した多層薄膜構造とする。 - 特許庁

Organic compound gas and nitrogen compound gas are introduced into a chamber (reaction chamber) 10 individually for mixing, and an insulating film containing nitrogen is film-formed on a silicon (semiconductor) substrate 1 in the chamber 10 by the MOCVD method.例文帳に追加

有機化合物ガスと窒素化合物ガスとを個別にチャンバ（反応室）１０内に導入して混合し、該チャンバ１０内のシリコン（半導体）基板１上に、MOCVD法により窒素を含んだ絶縁膜を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

At such a time, it is preferable that the concentration of nitrogen in the surface portion of the silicon nitride film 105 is higher than the concentration of nitrogen in the interface of the silicon nitride film 105 and a silicon substrate 101.例文帳に追加

このとき、シリコン酸化膜１０５の表面部の窒素濃度は、シリコン酸化膜１０５とシリコン基板１０１との界面の窒素濃度より高いことが好ましい。 - 特許庁

The thickness of the oxynitrided film 20 is 25 Å or smaller, the peak of a nitrogen concentration is 20-40%, and the nitrogen concentration at an interface between the oxynitrided film 20 and semiconductor substrate 10 is 3% or lower.例文帳に追加

この酸窒化膜２０の膜厚が２５Å以下であり、窒素濃度のピークが２０〜４０％であり、酸窒化膜２０と半導体基板１０との界面の窒素濃度が３％以下である。 - 特許庁

An oxide film is provided on a semiconductor substrate side, a nitrogen-containing layer is provided on a base substrate side, and the oxide film formed on the semiconductor substrate and the nitrogen-containing layer formed on the base substrate are bonded to each other.例文帳に追加

半導体基板側に酸化膜を設け、ベース基板側に窒素含有層を設け、半導体基板上に形成された酸化膜とベース基板上に形成された窒素含有層を接合する。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁

At this time, a film performing process is carried out to form a lower base metallic film 131 as a tantalum film not containing nitrogen by sputtering each substrate 20x fed in the film growth chamber, in such a condition that the supply of the nitrogen gas is stopped, and then a reactive sputter film forming process is carried out by starting the supply of the nitrogen gas.例文帳に追加

その際、成膜室に基板２０ｘを搬入するたびに、窒素ガスの供給を停止した状態でスパッタリングして窒素を含有しないタンタル膜からなる下地金属膜１３１を形成する成膜前処理を行った後、窒素ガスの供給を開始して反応性スパッタ成膜処理を行う。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A second nitrogen-added hafnium silicate film 22a is formed by the second nitriding treatment of the second hafnium silicate film 22.例文帳に追加

次に、第２ハフニウムシリケート膜２２の第２窒化処理を行って、第２窒素添加ハフニウムシリケート膜２２ａを形成する。 - 特許庁

The gas barrier inorganic layer comprises a silicon oxide film containing nitrogen and the inorganic layer comprises a silicon oxide film containing carbon.例文帳に追加

ガスバリア無機質層は窒素を含む酸化珪素膜よりなり、無機質層は炭素を含む酸化珪素膜よりなる。 - 特許庁

A first nitrogen-added hafnium silicate (HfSiON) film 21a is formed by the first nitriding treatment of the first hafnium silicate film 21.例文帳に追加

次に、第１ハフニウムシリケート膜２１の第１窒化処理を行って、第１窒素添加ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）膜２１ａを形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating film IL faces the barrier layer BR and includes a liner film LN containing at least one of carbon and nitrogen.例文帳に追加

層間絶縁膜ＩＬは、バリア層ＢＲに面し、かつ炭素および窒素の少なくともいずれかを含有するライナー膜ＬＮを含む。 - 特許庁

In the manufacture of the titanium nitride film 106a, nitrogen ions are implanted into the titanium nitride film 106, and its work function is made small.例文帳に追加

窒化チタン膜１０６ａは、窒化チタン膜１０６に窒素イオンの注入が行なわれ、仕事関数が小さくなる。 - 特許庁

An oxygen enriching film 12 allows the oxygen to permeate selectively using an oxygen enriching film admitting the easy permeation of oxygen more than nitrogen and a carbon dioxide.例文帳に追加

酸素富化膜１２は、窒素や二酸化炭素よりも酸素を透過しやすい酸素富化膜を用いて酸素を選択的に透過させる。 - 特許庁