「nitrogen film」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

When the nitrogen plasma emission intensity exceeds a predetermined value, the gas content in a previous step is controlled so as to suppress the quantity of the nitrogen content in a manufacturing step, and the plastic vessel 10 having the film of more nitrogen content is excluded from the manufacturing step.例文帳に追加

窒素プラズマ発光強度が所定の強度を超えているときは、製造工程の窒素含有成分の量を抑えるように前工程のガス成分を管理すると共に、窒素成分が多い前記被膜が形成されたプラスチック容器１０を製造工程から排除する。 - 特許庁

The nitride film forms desirably by changing low-oxygen nitrogen gas having a ratio of the partial pressure of nitrogen to the partial pressure of oxygen of ≥20 into the reactor vessel and to change the nitrogen gas after the temperature in the central part of the sponge titanium reaches ≤200°C in the reactor vessel.例文帳に追加

この窒化膜の形成を窒素分圧／酸素分圧の比が20以上である低酸素含有窒素ガスを反応容器内に導入して行い、さらに、反応容器内でスポンジチタン中心部の温度が200℃以下になった後、窒素ガスを導入するのが望ましい。 - 特許庁

The film can be deposited by means of a direct current plasma CVD method in which a reactant gas comprising a nitrogen gas and at least one type of compound gas selected from a carbocyclic compound gas that comprises Csp^2 and a nitrogen-containing heterocyclic compound gas that contains Csp^2, nitrogen and/or silicon is discharged at 1,500 V or more.例文帳に追加

この膜は、Ｃｓｐ^２を含む炭素環式化合物ガスならびにＣｓｐ^２と窒素および／または珪素とを含む含窒素複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上の化合物ガスと窒素ガスとを含む反応ガスを１５００Ｖ以上で放電させる直流プラズマＣＶＤ法により形成できる。 - 特許庁

The inside of a working chamber is made into a gaseous nitrogen atmosphere, and a mixed fluid of gaseous nitrogen and metal powder is sprayed on a working substrate in the gaseous nitrogen atmosphere, thus a metal film can be deposited on the surface of the substrate without oxidizing the metal powder, and a wiring pattern by the metal can easily and stably be formed on the working substrate.例文帳に追加

加工室内を窒素ガス雰囲気とし、窒素ガス雰囲気で窒素ガスと金属粉末の混合流体を加工基材に吹き付けることにより、金属粉末が酸化することなく基材表面に金属膜が形成でき、簡単に安定して加工基板の金属による配線パターンを形成できた。 - 特許庁

When a silicon oxide film formed in the silicon wafer 26 is etched, the process gas containing the hydrofluoric acid mono-atoms is led into the process chamber 24, also a part of the nitrogen gas from the nitrogen gas source 38 is passed through a wafer bubbling unit, and the nitrogen gas to which vapor is annexed is led into the process chamber 24.例文帳に追加

シリコンウエハ26に形成したシリコン酸化膜をエッチングする場合、フッ素単原子を含む処理ガスを処理室24に導入するとともに、窒素ガス源38からの窒素ガスの一部を水バブリングユニットに通し、水蒸気を添加した窒素ガスを処理室24に導入する。 - 特許庁

In order to realize this nitrogen concentration profile, the surface region of the oxide film or oxinitride film is subjected to plasma nitriding after the film is formed or the surface region of the Si substrate 1 is oxidized after a nitride film or the oxinitride film is formed.例文帳に追加

このような窒素濃度プロファイルを実現するためには、酸化膜又は酸窒化膜を形成してからその表面領域をプラズマ窒化処理するか、窒化膜又は酸窒化膜を形成してからＳｉ基板の表面領域を酸化する。 - 特許庁

The surface layer of an SiO2 film is modified into an SiN film 3 by exposing it to a nitrogen plasma so that a gate insulating film 10 in the two layer structure of the SiO2 film 2 and the SiN film 3 can be formed.例文帳に追加

窒素プラズマ中に晒して、ＳｉＯ_2 膜の表面層をＳｉＮ膜３に改質して、ＳｉＯ_2 膜２とＳｉＮ膜３の二層構造のゲート絶縁膜１０とする。 - 特許庁

To form a reliable gate insulating film by introducing high-concentration nitrogen only near the surface of a silicon oxide film without segregating nitrogen near the interface of a silicon substrate in the nitriding treatment of the silicon oxide film using a plasma nitriding method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ窒化法を用いたシリコン酸化膜の窒化処理においてシリコン基板界面近傍に窒素を偏析させることなく、シリコン酸化膜表面近傍のみに高濃度の窒素を導入し、信頼性の高いゲート絶縁膜を形成することを目的とする。 - 特許庁

A nitrogen radical is formed by high frequency plasma, the formed nitrogen radical is supplied on a gas flow flowing along the surface of the oxide film or the oxynitride film formed by an ultraviolet light excitation radical on a substrate, and the film surface is nitrided.例文帳に追加

高周波プラズマにより窒素ラジカルを形成し、形成された窒素ラジカルを、基板上に紫外光励起ラジカルにより形成された酸化膜あるいは酸窒化膜表面に沿って流れるガス流に乗せて供給し、膜表面を窒化する。 - 特許庁

The thickness of the aluminum film 5a containing nitrogen in the contact part 12a of the contact hole 11b exposed on the surface of the terminal wiring 45a is controlled to specified film thickness d1 based on the resistivity of the aluminum film containing nitrogen.例文帳に追加

この端子側配線４５ａの表面を露出するコンタクトホール１１ｂのコンタクト部１２ａにおける窒素を含むアルミニウム膜５ａの膜厚は、窒素を含むアルミニウム膜の比抵抗に基づいて所定の膜厚ｄ_1に設定されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonlinear element wherein nitrogen can be entirely distributed in the direction of thickness of a tantalum oxide film when the tantalum oxide film containing hydrogen and nitrogen is used as an insulation film, and to provide a method of manufacturing an electro-optic device.例文帳に追加

水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を分布させることができる非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位のシリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。 - 特許庁

The nitriding method comprises steps of forming oxygen radicals by an oxygen radical forming mechanism, forming an oxide film on a silicon substrate by oxidizing the silicon substrate by the formed oxygen radicals, forming nitrogen radicals by a nitrogen radical forming mechanism, and forming the oxynitride film by nitriding the surface of the oxide film.例文帳に追加

酸素ラジカル形成機構によって酸素ラジカルを形成し、形成された酸素ラジカルで、シリコン基板を酸化してシリコン基板上に酸化膜を形成し、さらに窒素ラジカル形成機構で窒素ラジカルを形成して、前記酸化膜膜表面を窒化して酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

Nitrogen is newly introduced in the gate insulating film 3 nearby an end of the gate electrode 5 by carrying out nitriding processing in an atmosphere containing nitrogen after a polysilicon film 4 is bonded onto the gate insulating film 3 and the gate electrode 5 is patterned in a pattern and before the source-drain region 9 is formed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３上に、ポリシリコン膜４を被着してゲート電極５パターンにパターンニングした後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行って、ゲート電極５端部付近のゲート絶縁膜３中に新たに窒素を導入する。 - 特許庁

In the method of processing resin film, the surface of resin film is processed with plasma under the existence of at least a kind or more kinds of gases selected from oxygen, nitrogen, purfluoromethane, trifuluoromethane, carbon dioxide and hexafluorosulfide, after the curing of the resin film under the nitrogen atmosphere.例文帳に追加

樹脂膜を窒素雰囲気下でキュアした後、酸素、窒素、パーフルオロメタン、トリフルオロメタン、二酸化炭素およびヘキサフルオロ硫黄の中から選ばれる少なくとも１種以上のガスの存在下で該樹脂膜表面をプラズマ処理することを特徴とする樹脂膜の処理方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus which is as good in mobility as a Poly-Si electrode conventionally used, by forming at least a part of a gate electrode which is in contact with a gate insulating film with a film that contains hafnium and nitrogen, and making the composition ratio of nitrogen contained in the film adequate.例文帳に追加

ゲート電極の少なくともゲート絶縁膜側をハフニウムと窒素とを含む膜で形成し、そのハフニウムと窒素とを含む膜中の窒素を適性な組成比にすることで、従来から用いられているＰｏｌｙ−Ｓｉ電極とほぼ同レベルの良好な移動度を得ることを実現する。 - 特許庁

To provide a method for growing a semiconductor film, capable of forming the semiconductor film of a III-V group compound containing nitrogen (N) having few impurities and a good crystalline quality, and also to provide a device for purifying a nitrogen raw material, a device for growing the semiconductor film, a semiconductor laser, and an optical communication system.例文帳に追加

不純物が少なく結晶品質の良い窒素（Ｎ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜を作製することの可能な半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システムを提供する。 - 特許庁

This thin film laminated body is formed by laminating, alternately and repeatedly, a compound thin film A composed of a combination of one or more elements selected from the group consisting of group IVa, Va, VIa metallic elements in the periodic table, boron, aluminum, silicon, and germanium and either or both of carbon and nitrogen and a compound thin film B composed essentially of carbon and nitrogen.例文帳に追加

周期律表IVa、Va、VIa族金属元素およびボロン、アルミニウム、シリコン、ゲルマニウムの群から選択される1種以上の元素と、炭素、窒素の1種以上の組み合わせからなる化合物薄膜Aと炭素と窒素を主成分とする化合物薄膜Bを交互に繰り返し積層した薄膜積層体とする。 - 特許庁

To provide a film-forming method that controls at least any one content of a metal, nitrogen and carbon contained in the thin film which is formed through a film-forming process of alternately supplying a first treatment gas containing metal, nitrogen and carbon, and a second treatment gas for reducing the first treatment gas.例文帳に追加

金属と窒素と炭素を含む第１の処理ガスと、当該第１の処理ガスを還元する第２の処理ガスを交互に供給して薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜に含まれる、前記金属、窒素、および炭素のうち、少なくともいずれか一つの含有率の制御することを可能とすること。 - 特許庁

The nitrogen concentration distribution of the bottom insulation film BTM exposes the semiconductor surface area CH to plasma containing nitrogen atoms, and is obtained by nitriding.例文帳に追加

このようなボトム絶縁膜ＢＴＭの窒素濃度分布は、半導体表面領域ＣＨを窒素原子を含むプラズマに曝し、窒化することにより得られる。 - 特許庁

In a nitrogen-containing Cr film, Cr_X N_Y crystals, per 100 atoms, containing 50 to 99 chromium atoms and 50 to 1 nitrogen atoms are scattered.例文帳に追加

本発明の窒素含有Ｃｒ被膜においては、窒素を含有するＣｒ膜中に１００原子当たり５０〜９９のクロム原子及び５０〜１の窒素原子を含むＣｒ_X Ｎ_Y 結晶を点在せしめる。 - 特許庁

This film forming material can be manufactured by substituting nitrogen for hydrogen and then heating the material under the nitrogen atmosphere after conducting the etching process to the SiC substrate using the hydrogen gas.例文帳に追加

この成膜体は、ＳｉＣ基板に対して水素ガスを用いてエッチングを行った後に、水素を窒素に置換して窒素雰囲気中で加熱することにより、製造することができる。 - 特許庁

Gas containing ammonia and an organic nitrogen compound as a nitrogen material gas is supplied to epitaxially grow a nitride compound semiconductor film.例文帳に追加

窒素原料ガスとしてアンモニアと有機窒素化合物とを含有するガスが供給され、窒化物系化合物半導体膜がエピタキシャル成長される。 - 特許庁

The optical film comprises: a specified ultraviolet ray absorbing polymer prepared by an ethylenically unsaturated monomer having a nitrogen-containing part structure in the molecule; and a specified ultraviolet absorber containing nitrogen.例文帳に追加

分子内に含窒素部分構造を持つエチレン性不飽和モノマーからの特定の紫外線吸収性ポリマーと窒素を含有する特定の紫外線吸収剤を含有する光学フィルム。 - 特許庁

The oxygen enriching means 12 selectively transmits oxygen by using an oxygen enriching film easy to transmit oxygen rather than nitrogen and carbon dioxide or adsorbent for absorbing nitrogen.例文帳に追加

酸素富化手段１２は、窒素や二酸化炭素よりも酸素を透過しやすい酸素富化膜か、窒素を吸着する吸着剤を用いて酸素を選択的に透過させる。 - 特許庁

At a final annealing, heating is performed in an atmosphere containing a nitrogen gas, and nitrogen in the atmosphere reacts with underlying aluminum to form the aluminum nitride in the oxide film.例文帳に追加

最終焼鈍に際し、窒素ガスを含む雰囲気で加熱を行い、雰囲気中の窒素と基地のアルミニウムとを反応させて酸化皮膜中に窒化アルミニウムを形成する。 - 特許庁

The semipermeable membrane is a nitrogen containing film containing ≥40 mol% to <50 mol% nitrogen in either aluminum or an alloy consisting essentially of aluminum.例文帳に追加

半透過性膜は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金のいずれかに少なくとも４０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満の窒素を含む窒素含有膜である。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film 6 is masked to ion-implant nitrogen for formation of nitrogen introduction layers 9, 9a on the side of the SOI layer 4 and on BOX layer 4.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜６をマスクにして窒素のイオン注入を行って、ＳＯＩ層４の側面及びＢＯＸ層４に窒素導入層９，９ａを形成する。 - 特許庁

The anisotropy forming layer 92 is a thin film of a tantalum, niobium alloy or tantalum alloy, is nitride or contains nitrogen, and its surface has been exposed to the atmospheric gas, nitrogen gas, or oxygen gas, and denaturalized.例文帳に追加

異方性付与層９２は、タンタル、ニオブ合金又はタンタル合金であって窒化されたもの又は窒素を含む薄膜であり、表面が大気ガス、窒素ガス又は酸素ガスに晒されて変性されている。 - 特許庁

A first gas containing silicon and nitrogen and a second gas containing nitrogen and oxygen are made to act on a heated catalyst in a pressure-reduced atmosphere, thus forming the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコンと窒素とを含む第１のガスと、窒素と水素とを含む第２のガスと、を減圧雰囲気において加熱した触媒に作用させることにより、シリコン窒化膜を形成することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, second recovery annealing is sequentially performed to the first structure and the second structure 102 having the second interlayer insulating film in a nitrogen atmosphere, an oxygen atmosphere and a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

その後、第１構造体と、第２層間絶縁膜とを備える第２構造体１０２に対して、窒素雰囲気内、酸素雰囲気内、及び窒素雰囲気内の順でそれぞれ熱処理することによって、第２の回復アニールを行う。 - 特許庁

By raising the acceleration voltage of nitrogen ions on the Cu 1 as a base body, a mixing layer 2 of Al, Cu, and N is formed, and an AlN film 3 is formed on the mixing layer 2 by lowering acceleration voltage of the nitrogen ions.例文帳に追加

基体としてのＣｕ１上に窒素イオンの加速電圧を高くし、Ａｌ，Ｃｕ，Ｎのミキシング層２を形成し、そのミキシング層２上に窒素イオンの加速電圧を低くしてＡｌＮ膜３を形成する。 - 特許庁

A Ti-O-N film 12, wherein nitrogen is added to titanium oxide crystals by substituting a part of the oxygen site of titanium oxide crystals with a nitrogen atom, is formed on an SiO_2 substrate 10.例文帳に追加

酸化チタン結晶の酸素サイトの一部を窒素原子で置換するこにより、酸化チタン結晶に窒素を含有させたＴｉ−Ｏ−Ｎ膜１２をＳｉＯ_2基板１０上に形成する。 - 特許庁

When the number of carbon atoms contained in a film is 100, the ratio of the number of nitrogen atoms is 15 or less, or that of the number of oxygen atoms is 20 or less, or that of the total number of nitrogen atoms and oxygen atoms is 27 or less.例文帳に追加

被膜中に含まれる炭素原子数を１００とするときに、窒素原子数の比率が１５以下であるか、酸素原子数の比率が２０以下であるか、窒素原子数と酸素原子数との総和の比率が２７以下である。 - 特許庁

Under a condition that a gas flow ratio of a compound of silicon and chlorine to a gas containing nitrogen is smaller than 1/30, the gas containing nitrogen is made to react with the compound to form a silicon nitride film.例文帳に追加

シリコンおよび塩素からなる化合物の窒素を含有するガスに対するガス流量比が１／３０よりも小さい条件で該窒素を含有するガスと該化合物とを反応させてシリコン窒化膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In addition, the thin films 28b, 29b of pure Cu or Cu alloys are connected to the semiconductor layer 33 of the thin film transistor through the nitrogen containing layer or the oxygen/nitrogen containing layers 28a, 29a.例文帳に追加

また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 - 特許庁

By controlling the nitrogen content to the aforementioned range and controlling the total content of nitrogen and oxygen to be 50 atom% or higher, chemical resistance of the surface of the antireflection film 14 is improved.例文帳に追加

そして、窒素の含有率を上記範囲とし、かつ窒素と酸素の含有率の合計を５０ａｔｏｍ％以上とすることで反射防止膜１４の表面の薬品耐性を向上させている。 - 特許庁

A concentration profile of nitrogen has a nitrogen pile-up region 8 on the front surface of the single crystal silicon layer 3 that is brought into contact with the field oxide film 13.例文帳に追加

窒素の濃度プロファイルは、フィールド酸化膜１３に接する単結晶シリコン層３表面に窒素パイル・アップ領域８を有している。 - 特許庁

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。 - 特許庁

This method includes plasma nitriding the surface of the steel material, and then implanting nitrogen ions in the surface, to make the nitrogen concentration of the surface to be 30 atom% or higher, for diffusion treatment causing little film- peeling.例文帳に追加

鉄鋼材料表面を剥離の恐れがない拡散処理として、プラズマ窒化処理し、その後に窒素イオンを注入し、表面の窒素濃度を３０原子％以上にする。 - 特許庁

Consequently, a high dielectric constant gate insulation film having a multilayer structure including a nitrogen introduction layer having an effect of suppressing the penetration of a dopant such as B and a nitriding prevention layer which essentially has no requirement for introduction of nitrogen can be realized.例文帳に追加

これにより、Ｂなどの不純物の突き抜け抑制の効果のある窒素導入層と、本質的に窒素を導入する必要のない窒化防止層を含む層の多層構造からなる高誘電率ゲート絶縁膜を実現する。 - 特許庁

To provide a low nitrogen concentration graphite material suppressing the invasion of nitrogen into SiC when being used for a fixture for manufacturing SiC epitaxial growth film or a fixture for manufacturing SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いる場合に、ＳｉＣへの窒素の侵入を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for using activated nitrogen atom, capable of solving problems in the case using conventional ammonia as nitrogen feed source in MOCVD method (organometallic compound chemical vapor deposition method) for growing a III group metal nitride thin film on a substrate.例文帳に追加

基板上にIII族金属窒化物薄膜を成長させるＭＯＣＶＤ法において、従来のアンモニアを窒素供給源として使用する場合の課題を解決し得る、活性化窒素原子を使用する方法を提供すること。 - 特許庁

By injecting nitrogen to perform heat processing with the gate electrode 12 being the mask, a peak of the nitrogen concentration is made to be positioned at the surface of the silicon layer 3 in contact with a field oxide film 13.例文帳に追加

ゲート電極１２をマスクとして窒素を注入し熱処理を施すことによって窒素の濃度ピークがフィールド酸化膜１３に接する前記シリコン層３表面に位置するようにする。 - 特許庁

The surface of a silicon substrate 20 is oxidized after a nitrogen annealing process is carried out, and the surface region of the silicon substrate 20 trapping nitrogen 24 in an annealing process is taken in a pad oxide film 22'.例文帳に追加

窒素アニール後、シリコン基板２０の表面を酸化し、アニール時に窒素２４をトラップしたシリコン基板２０表面領域をパッド酸化膜２２’内に取り込む。 - 特許庁