「p-gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a P type gate electrode of an NMOSFET which can function surely as a P^+ type gate electrode (metal-like gate electrode) by maintaining high concentration of P type impurities.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴのＰ型ゲート電極のＰ型不純物濃度を高濃度に保って確実にＰ^＋型ゲート電極（メタルライクなゲート電極）として機能できるようにする。 - 特許庁

A first p type polycrystal silicon film, a tunnel oxide film and a second p type polycrystalline silicon film are sequentially laminated on a gate region.例文帳に追加

ゲート領域には第一のp型多結晶シリコン膜／トンネル酸化膜／第二のp型多結晶シリコン膜の順に積層されている。 - 特許庁

An n-type gate electrode and a p-type gate electrode are composed of the same metal, and its N concentration is made different between the n-type gate electrode and the p-type gate electrode.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極及びｐ型ゲート電極を同一のメタルで構成し、且つ、そのＮ濃度をｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極とで異ならせる。 - 特許庁

GATE DRIVE CIRCUIT USING P-CHANNEL POWER MOSFET例文帳に追加

Ｐチャンネル・パワーＭＯＳＦＥＴを使用したゲート駆動回路 - 特許庁

A gate processing part 57 P generates a gate-processed baseband signal Sδ_B by gate-processing a baseband signal S_B.例文帳に追加

ゲート処理部５７Ｐは、ベースバンド信号Ｓ_Ｂをゲート処理し、ゲート処理後ベースバンド信号Ｓδ_Ｂを生成する。 - 特許庁

The other branch that is branched by the branch node N1 is connected to a gate of the P-channel MOS transistor MP1.例文帳に追加

分岐ノードN1で分岐された他方は、PチャネルMOSトランジスタMP1のゲートに接続されている。 - 特許庁

The gate electrodes 15 and 25 are constituted of p-type SiGe or p-type Ge.例文帳に追加

ゲート電極１５，２５はｐ型ＳｉＧｅまたはｐ型Ｇｅにより構成されている。 - 特許庁

An n^+ region is used for a contact region between a p gate region and a gate electrode.例文帳に追加

ｐゲート領域とゲート電極との間のコンタクト領域にｎ^＋領域を用いる。 - 特許庁

At the stagnation of the paper sheet P in the gate part 41, after sending the paper sheet P to a return direction reverse to the delivery direction to return the paper sheet P to an upstream area of the gate part 41, the paper sheet P is newly delivered to the gate part 41.例文帳に追加

ゲート部41での紙葉類Ｐの停滞時、紙葉類Ｐを繰出方向に対して逆の戻し方向に送って紙葉類Ｐをゲート部41より上流域へ戻した後、紙葉類Ｐをゲート部41に再度繰り出す。 - 特許庁

First, gate structures 2 and 3 are formed on a p-type substrate 1.例文帳に追加

まず、ｐ型基板１上に、ゲート構造２，３を形成する。 - 特許庁

The gate terminals of the p-type transistor constituting each inverter circuit are connected to the gate terminal of the p-type transistor P0.例文帳に追加

それぞれのインバータ回路を構成するｐ型トランジスタのゲート端子は、ｐ型トランジスタＰ０のゲート端子に接続されている。 - 特許庁

The power MOSFET is a trench gate vertical P-channel MOSFET, and the conductivity type of its gate electrode 6 is a P-type.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴがトレンチゲート縦型ＰチャネルＭＯＳＦＥＴであって、そのゲート電極６の導電型をＰ型とする。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a P+ type gate electrode 35 are formed on an N-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 16 faces the p-type GaN layer 6 interposing the gate insulating film 15.例文帳に追加

ゲート電極１６は、ゲート絶縁膜１５を挟んでｐ型ＧａＮ層６に対向している。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a p^+-type gate electrode 35 are formed on an n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a P^+-gate electrode 35 are formed on a N-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ^＋型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

After a gate oxide film 3 is formed on the upper layer of a low-density P-type semiconductor substrate 1, a P-type gate electrode 4 is formed on the upper layer of the gate oxide film 3.例文帳に追加

低濃度Ｐ型の半導体基板１の上層にゲート酸化膜３を形成した後、ゲート酸化膜３上層にＰ型のゲート電極４を形成する。 - 特許庁

The p-type FinFET includes: a second germanium fin over the substrate; a second gate dielectric on a top surface and sidewalls of the second germanium fin; and a second gate electrode on the second gate dielectric.例文帳に追加

p型FinFETは、基板上の第二ゲルマニウムフィン、第二ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第二ゲート誘電体、及び、第二ゲート誘電体上の第二ゲート電極からなる。 - 特許庁

To prevent p-type dopants from entering a gate insulation film.例文帳に追加

ｐ型不純物がゲート絶縁膜に進入することを防止する。 - 特許庁

A p^+ gate region 4 is formed at the inner wall section of the trench 3.例文帳に追加

トレンチ３の内壁部にｐ^+ゲート領域４が形成されている。 - 特許庁

Then, the p-type impurities in the gate electrodes 17' of the polysilicon films 17 are activated by heat treatment to obtain p-type gate electrodes.例文帳に追加

熱処理によって、ポリシリコン膜１７からなるゲート電極１７’中のｐ型不純物を活性化させ、ｐ型のゲート電極を得る。 - 特許庁

A gate input signal is inputted to the gate of the p-channel MOS transistor 3 for an output from a gate input terminal GIN.例文帳に追加

出力用Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ３のゲートには、ゲート入力端子ＧＩＮからゲート入力信号が入力される。 - 特許庁

The P^-- diffusion region 52 is depleted before the P diffusion region 51 upon OFF of the gate voltage.例文帳に追加

Ｐ^--拡散領域５２は，ゲート電圧のオフ時に，Ｐ拡散領域５１よりも先に空乏化される。 - 特許庁

A first gate electrode 10 is provided on the P layer 6 through a gate insulating film 9.例文帳に追加

このＰ層６上には、ゲート絶縁膜９を介して第１のゲート電極１０が設けられている。 - 特許庁

The P-type MOS transistor 12 has a second gate insulating film 41 and a second gate electrode 42.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２は、第２のゲート絶縁膜４１と第２のゲート電極４２とを有している。 - 特許庁

The gate terminal becomes the same potential as that of a back gate terminal, and can prevent characteristic deterioration of the P-channel FET 12.例文帳に追加

ゲート端子がバックゲート端子と同電位になり、ＰチャンネルＦＥＴ１２の特性劣化を防止できる。 - 特許庁

An N-type gate pattern 110a and a P-type gate pattern 110b are formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にそれぞれＮ型ゲートパターン１１０ａ及びＰ型ゲートパターン１１０ｂを形成する。 - 特許庁

A gate electrode 9 is doped with P and As, and a gate electrode 8 is doped only with As.例文帳に追加

ゲート電極９にはリンとヒ素が注入され、ゲート電極８にはヒ素のみが注入されている。 - 特許庁

A p-type gate region 103 is provided on the n-type channel region 203.例文帳に追加

Ｎ型チャネル領域２０３上にＰ型ゲート領域１０３がある。 - 特許庁

The first p-type region 31 is connected to the gate electrode 20.例文帳に追加

第１のｐ型領域３１はゲート電極２０に接続されている。 - 特許庁

To provide a CMOS circuit which includes an n-FET gate stack having a gate dielectric and a metal gate conductor, and a p-FET gate stack having a gate dielectric layer and a silicon-containing gate conductor.例文帳に追加

ゲート誘電体及び金属ゲート導体を有するｎ−ＦＥＴゲート・スタックと、ゲート誘電体層及びシリコン含有ゲート導体を有するｐ−ＦＥＴゲート・スタックとを含むＣＭＯＳ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor which can solve both problems of the penetration of p-type impurities within a p-type gate and the depletion within the n-type gate at the same time.例文帳に追加

p型ゲート中のp型不純物のシリコン基板への突き抜けと、n型ゲート中の空乏化との両方の問題を同時に解決することのできる電界効果型トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this case, the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108b is conducted in the same process as the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108c of a p-type MOS transistor 109c.例文帳に追加

その際、Ｐ型不純物のゲート電極１０８ｂへの導入は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０９ｃのゲート電極１０８ｃへの導入と同一の工程において行う。 - 特許庁

To stabilize the shapes of gate electrodes of an N-channel insulating gate type field effect transistor and a P-channel insulating gate type field effect transistor, of which gate electrode structures are different.例文帳に追加

ゲート電極構造が異なるＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタとＰｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極形状を安定化させる。 - 特許庁

The aluminum-based material needs not to be used for the gate electrode 27 for p-types.例文帳に追加

Ｐ型用ゲート電極27にアルミニウム系の材料を用いなくて済む。 - 特許庁

A gate terminal of the p-type transistor P0 is connected to the source terminal.例文帳に追加

また、ｐ型トランジスタＰ０のゲート端子は、ソース端子に接続されている。 - 特許庁

A gate oxide film 2 is formed on an entire surface of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型のシリコン基板１上の全面にゲート酸化膜２を形成する。 - 特許庁

The p-type FET 20 includes p-type impurity diffusion layers 22, 23, an n-type impurity implantation region 24, a gate insulation film 25, and a gate electrode 26.例文帳に追加

Ｐ型ＦＥＴ２０は、Ｐ型不純物拡散層２２，２３、Ｎ型不純物注入領域２４、ゲート絶縁膜２５、およびゲート電極２６を含んでいる。 - 特許庁

A second gate transistor is constituted by permitting the P source region 13, N body region 15, and P column region 2 to face the second gate electrode 16.例文帳に追加

第２ゲート電極１６に対し，Ｐソース領域１３と，Ｎボディ領域１５と，Ｐコラム領域２とが対面して第２ゲートトランジスタを構成している。 - 特許庁

Furthermore, in this semiconductor device, a depletion layer between the gate and drain is made to extend more easily by reducing the concentration in the drift region just below the p-gate 13.例文帳に追加

さらに本発明の半導体装置はpゲート１３下側のドリフト領域の濃度を低くし、ゲート/ドレイン間の空乏層を拡がり易くする。 - 特許庁

Substrates of P-channel MOS transistors PT1-PT3 are connected to the gate of the P-channel MOS transistor PT1.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＴ１−ＰＴ３の基板は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＴ１のゲートに接続される。 - 特許庁

Further, the P^-- diffusion region 52 becomes a hole supplying path to the P diffusion region 51 upon turning-on of the gate voltage.例文帳に追加

また，Ｐ^--拡散領域５２は，ゲート電圧のオン時にはＰ拡散領域５１に対するホール供給路となる。 - 特許庁

A lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT) 1 includes p-type collector regions 46, 48 and a p-type collector well region 44.例文帳に追加

横型ＩＧＢＴ１は、ｐ型のコレクタ領域４６，４８とｐ型のコレクタウェル領域４４を備えている。 - 特許庁

In this case, the internal stress of the p-type resistor 16D is larger than that of the p-type gate electrode 16C.例文帳に追加

ｐ型抵抗体１６Ｄの内部応力は、ｐ型ゲート電極１６Ｃの内部応力よりも大きい。 - 特許庁

A gate electrode of the p-channel transistor 105 has a p-channel metal electrode 110 having an internal tensile stress.例文帳に追加

ｐチャネルトランジスタ１０５のゲート電極は、引っ張り内部応力を持つｐチャネルメタル電極１１０を有する。 - 特許庁