「photocathode」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the electron is stimulated by the light amplified by light amplification, a large amount of emission current can be obtained even if a chemically stable material is used for a photocathode film.例文帳に追加

光増幅により増幅された光で電子を励起しているので、光電陰極膜として化学的に安定な材料を用いても、大きな放射電流を得ることができる。 - 特許庁

This photocathode electron source suitable for being used in a flat panel display device has an extraction lattice means 104 maintained in a positive potential with a standard of a cathode face during its use.例文帳に追加

フラット・パネル表示装置において使用するのに適したフォトカソード電子源が、使用中にフォトカソード面を基準にして正電位に維持される抽出格子手段（１０４）を有する。 - 特許庁

On this occasion, secondary electron multiplication of photoelectrons generated at the photocathode 33 is performed by the dynodes Dy_1-Dy_n, and an output current I_1 is taken out from an anode 37.例文帳に追加

このとき、光電陰極３３において発生した光電子がダイノードＤｙ_１〜Ｄｙ_ｎによって二次電子増倍され、出力電流Ｉ_１が陽極３７から取り出される。 - 特許庁

The semiconductor photocathode is equipped with first and second group III-V compound semiconductor layers to which the p-type impurity is doped and which are hetero-joined to each other.例文帳に追加

半導体光電陰極は、ｐ型の不純物がドープされ、且つ互いにヘテロ接合する第１および第２のIII−V族化合物半導体層を備える。 - 特許庁

As a result, amplified light is radiated on an electron supply film 30, and thereby, an electron 7 emitted from a photocathode film 3 is radiated into a vacuum 6.例文帳に追加

その結果、電子供給膜３０には、増幅された光が照射されることになり、これにより、光電陰極膜３から放射電子７が真空６中へ放射される。 - 特許庁

A negative bias voltage is applied to a photocathode K from a bias power supply terminal 6, in order to bring the anode A of a photomultiplier tube 2 to be at the zero potential.例文帳に追加

光電子増倍管２の陽極Ａをゼロ電位とするため、光電陰極Ｋに対してバイアス電源端子６から負のバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

An exciting wavelength of the CNT depends on its shape, and a photocathode capable of detecting a long-wavelength incident light L2 of, for instance, a wavelength of not less 1 μm, can be realized in a simple process.例文帳に追加

ＣＮＴの励起波長は形状に依存し、例えば波長１μｍ以上といった長波長の入射光Ｌ２を検出可能な光電陰極を簡易な工程で実現できる。 - 特許庁

A plateau area of a distribution pattern of a power density in a diffracted image on the photocathode is larger than that of a distribution pattern of a power density in a cross section of the laser beam before entering the optical diffraction element.例文帳に追加

フォトカソードの表面上における回折像のパワー密度分布の頂部の平坦な部分が、回折光学素子入射前のレーザビームのビーム断面内におけるパワー密度分布のそれより広い。 - 特許庁

An imaging system comprises a photocathode that is configured to be gated ON/OFF at a selected gating frequency, for converting lights from an object into electrons and selectively transmitting the electrons toward an imaging sensor.例文帳に追加

画像化システムは、選択されたゲート周波数でオン／オフするように構成され、被写体からの光を電子に変換し、画像化センサに向けて電子を選択的に伝送する光電陰極を具備する画像化システムを含む。 - 特許庁

The quantum efficiency improvement device is disposed in front of an ICCD, and is configured to increase an incidence angle of incident rays incident onto the photocathode or to facilitate the increase.例文帳に追加

量子効率向上デバイスは、ＩＣＣＤの前に配置され、光電陰極上に入射する入射光線の入射角の増大を可能にするかまたは容易にするように構成されている。 - 特許庁

The first and second integration periods are equal to a frame duration of the imaging sensor, defining the number of frames per second, and the selected gating frequency of the photocathode is higher than the number of frames per second.例文帳に追加

さらに、第１の積分期間、及び第２の積分期間は、１秒当たりのフレーム数を規定する画像化センサのフレーム時間に等しく、光電陰極の選択されたゲート周波数は、１秒当たりのフレーム数よりも大きい。 - 特許庁

The photocathode 11 is provided with a substrate 12, a light absorption layer 14 excited by an incident light to generate photoelectron e2, and an active layer 15 lowering work function of the surface of the light absorption layer 14.例文帳に追加

光電陰極１１は、基板１２と、入射光Ｌ２によって励起されて光電子ｅ２を生成する光吸収層１４と、光吸収層１４表面の仕事関数を低下させる活性層１５とを備える。 - 特許庁

To provide a transparent photocathode which has a high sensitivity to light of short wavelengths such as ultraviolet light and which enables photoelectrons generated by photoelectric conversion to be emitted with a high efficiency, and to provide an electron tube using the same.例文帳に追加

紫外光などの波長の短い光に対して充分な感度を有するとともに、光電変換によって生成された光電子を高い効率で放出させることができる透過型光電陰極、及びそれを用いた電子管を提供する。 - 特許庁

Potential of the ion confinement electrode 22 is set higher than that of the first stage dynode electrode 24a, and the potential of the ion trap electrode 23 is set higher than or equal to that of the photocathode 20, while it is set lower than that of the first stage dynode 24a.例文帳に追加

これらの電極の電位は、イオン閉じ込め電極２２の電位が、第１段ダイノード２４ａの電位よりも高く、イオントラップ電極２３の電位が、光電陰極２０の電位よりも高いかもしくは等しく、かつ、第１段ダイノード２４ａの電位よりも低く設定されている。 - 特許庁

The free electrons are accelerated from the photocathode 125 to the luminescent region 135 by an applied high voltage field, thereby causing the luminescent region 135 to emit visible light with a brightness (energy) that is substantially higher than the energy of the addressing beam.例文帳に追加

この自由電子が、印加された高電圧電界により光電陰極１２５から発光領域１３５まで加速されることにより、発光領域１３５に、アドレッシングビームのエネルギーより実質的に高い輝度（エネルギー）の可視光を発光させる。 - 特許庁

When the incidence of light to be detected causes the photoelectrons to occur in the light absorption layer 1, the photoelectrons are accelerated in a plane direction of emission by the electric field formed in the light absorption layer 1 and thus emitted outside the transparent photocathode.例文帳に追加

被検出光が入射して光吸収層１内部に光電子が発生すると、光吸収層１内部に形成されている電界によって光電子は出射面方向に加速され、透過型光電陰極の外部に放出される。 - 特許庁

The circuit 2 for photodetection is provided with a voltage application means 21 for apply a predetermined potential gradient to a photocathode 33 and n stages of dynodes Dy_1-Dy_n, and a first changeover means 23 for switching the potential gradient between the dynode Dy_1 and the dynode Dy_2 over to a potential gradient reverse to it.例文帳に追加

光検出用回路２は、光電陰極３３及びｎ段のダイノードＤｙ_１〜Ｄｙ_ｎに所定の電位勾配を与える電圧印加手段２１と、ダイノードＤｙ_１とダイノードＤｙ_２との間の電位勾配を所定の電位勾配とは逆の電位勾配に切り替える第１の切替手段２３とを備える。 - 特許庁

The transparent photocathode comprises a light absorption layer 1 formed of diamond or materials which contain diamond as a main component, a support frame 21 for reinforcing mechanical strength of the light absorption layer 1, a first electrode 31 which is provided on a plane of incidence in the light absorption layer 1, and a second electrode 32 which is provided on a plane of emission in the light absorption layer 1.例文帳に追加

本発明による透過型光電陰極は、ダイヤモンド、またはダイヤモンドを主成分とする材料から形成された光吸収層１、光吸収層１の機械的強度を補う支持枠２１、光吸収層１の入射面に対して設けられる第１電極３１、及び光吸収層１の出射面に対して設けられる第２電極３２によって構成されている。 - 特許庁