「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目)

本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing device capable of reducing manufacturing cost of an electrode, as well as, capable of stably plasma processing, without damaging the electrode even when in a plasma that uses chlorine gas.例文帳に追加

塩素ガスを用いたプラズマにおいても電極が損傷することなく安定なプラズマプロセスを行うことができると共に、電極の製作コストを低減できるプラズマプロセス方法およびプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processor has the processing chamber 12 in which a substrate to be processed 4 is arranged, and a plasma-discharge generator being mounted in the processing chamber 12 and generating a plasma for plasma-processing the substrate to be processed 4.例文帳に追加

プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ放電発生部とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of acquiring a good plasma as a prerequisite for the plasma processing apparatus of a capacitive coupling type, which applies a dc voltage other than a high-frequency power, and to provide a plasma processing method.例文帳に追加

高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and plasma processing method, in which adverse effect on a Low-k film, caused by ion component in plasma can be prevented or suppressed when performing plasma processing for the purpose of curing.例文帳に追加

キュアリングを目的としてプラズマ処理を行なう際に、プラズマ中のイオン成分によるＬｏｗ−ｋ膜への悪影響を防止もしくは抑制することが可能なプラズマ処置装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of enhancing the accuracy of prediction or the like of a processing result by a plasma processing apparatus, and relieving a load required for production of a model.例文帳に追加

プラズマ処理装置による処理結果の予測などの精度を高めることができるとともに，モデル作成の際の負担を軽減する。 - 特許庁

To provide a plasma source and a plasma processing system using this plasma source, for easily forming large area plasma, and minimizing the facility floor area, while uniformly generating plasma of the large area.例文帳に追加

大面積のプラズマを均一に発生することができ、大面積化が容易であり、設備面積を最小化できるプラズマソース及びこれを利用したプラズマ処理システムを提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of minimizing gate breakdown by making charge-up distribution on a surface of the object of the plasma processing uniform, and a method of forming a stage of the plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理対象表面のチャージアップ分布を均一化してゲート破壊を少なくすることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のステージ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented.例文帳に追加

被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device to process the circumferential part of a wafer using a microwave discharge plasma.例文帳に追加

マイクロ波放電プラズマを用いてウエハーの周縁部を処理するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching process and a plasma etching system capable of exhibiting excellent controllability of a processing profile.例文帳に追加

加工形状の制御性に優れたプラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a plasma processing device generally equalizing plasma distribution with respect to a substrate.例文帳に追加

基板に対してプラズマの分布を略均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

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