「plating method」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for manufacturing a semiconductor device wherein the electrode of the semiconductor and a connection terminal for an outer circuit and/or the semiconductor electrodes themselves are connected via the connecting material comprises the steps of connecting the electrode to the connecting terminal with the connecting material and coating at least the junction of the electrode with the connecting material and/or the connecting terminal with the connecting material by the plating material.例文帳に追加

半導体の電極と外部回路に対する接続用端子及び／又は半導体の電極同士が接続材料を介して接続される半導体装置の製造方法であって、前記電極と前記接続用端子とを接続材料で接続する工程と、少なくとも前記電極と前記接続材料との接合部及び／又は前記接続用端子と前記接続材料との接合部をめっき材料によりコーティングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for carrying out an electroless plating onto a polymer electrolyte is characterized in that it comprises a swelling step as a pre-treatment step swelling the polymer electrolyte with a good solvent or a mixed solvent containing a good solvent, and the resultant swollen polymer electrode has a specific shape and a thickness 110% or more that of the polymer electrolyte in a dry state.例文帳に追加

高分子電解質への無電解メッキのための前処理の工程として、良溶媒または良溶媒を含む混合溶媒を浸透させて高分子電解質を膨潤させる膨潤工程であって、膨潤した前記高分子電解質が所定の形状を有し、前記高分子電解質の膨潤した状態での厚さが前記高分子電解質の乾燥した状態での厚さに対して１１０％以上である膨潤工程を行うことを特徴とする高分子電解質への無電解メッキ方法を用いる。 - 特許庁

Disclosed is a method where a base is dipped into a plating bath, and an Sn-Ag-Cu three-element alloy thin film is formed on the whole surface or a part of the base by electroplating.例文帳に追加

本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。 - 特許庁

This method for forming the plating resist layer comprises a process for forming an electrolytic latent image on the first resist layer formed on the first metallic conductive layer, a process for forming the second resin layer on the first resist layer at the section equivalent to the circuit non-formation part, and a process for removing the first resist layer equivalent to the circuit formation part.例文帳に追加

貫通孔および／または非貫通孔を有していても良い絶縁性基板表面に第一金属導電層を設け、回路未形成部にめっきレジスト層を形成する工程と、電解めっきを行って第一金属導電層が露出する部分の表面に第二金属導電層を形成する工程と、該めっきレジスト層を除去する工程と、該めっきレジスト層下の第一金属導電層をエッチング除去して回路を形成する工程とからなる回路基板の製造方法において、第一金属導電層上に設けた第一樹脂層上に静電潜像を形成する工程、回路未形成部に相当する部分の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する工程、回路形成部に相当する第一樹脂層を除去する工程により、該めっきレジスト層を形成することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 特許庁