「polyhydroxystyrene」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The positive photosensitive resin composition comprises (A) 100 parts by mass of a polymer which is an alkali-soluble phenolic resin, polyhydroxystyrene or polyhydroxystyrene derivative, (B) 1-100 parts by mass of a photoacid generator, and (C) 0.01-70 parts by mass of a terpene compound.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ可溶性フェノール樹脂、ポリヒドロキシスチレン、またはポリヒドロキシスチレンの誘導体である重合物１００質量部に対して、（Ｂ）光酸発生剤１〜１００質量部、及び（Ｃ）テルペン化合物０．０１〜７０質量部を含むポジ型感光性樹脂組成物。 - 特許庁

A photosensitive resin composition comprises (B) 1-100 pts.mass of a specific photosensitive diazonaphthoquinone compound and (C) 100-1,000 pts.mass of an organic solvent based on (A) 100 pts.mass of a polymer selected from a group consisting of alkali-soluble phenolic resin and polyhydroxystyrene or polyhydroxystyrene derivatives.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ可溶性フェノール樹脂、及びポリヒドロキシスチレンまたはポリヒドロキシスチレン誘導体からなる群より選択される重合物１００質量部に対して、特定の（Ｂ）感光性ジアゾナフトキノン化合物１〜１００質量部、及び（Ｃ）有機溶剤１００〜１０００質量部を含む感光性樹脂組成物。 - 特許庁

As for the photosensitive org. thin film, for example, a polyimide film, acrylic resin film, polyhydroxystyrene film, novolak resin film, polyvinylalcohol film or the like is preferably used.例文帳に追加

感光性有機薄膜は、ポリイミド膜、アクリル系樹脂膜、ポリヒドロキシスチレン膜、ノボラック樹脂膜、ポリビニルアルコール膜、カルド系樹脂膜等が好ましい。 - 特許庁

To provide a method for producing a partially protected polyhydroxystyrene which has the hyroxy groups partially protected with a tertiary alkyl group or a tertiary alkyl group and an acetal group.例文帳に追加

ヒドロキシル基の一部が３級アルキル基または３級アルキル基とアセタール基で保護された部分保護ポリヒドロキシスチレンの製造法を提供すること。 - 特許庁

A positive photosensitive resin composition contains a hydroxystyrene-styrene copolymer having a specific polyhydroxystyrene-styrene ratio and a specific weight-average molecular weight.例文帳に追加

特定のポリヒドロキシスチレン／スチレン比と重量平均分子量を有するヒドロキシスチレン／スチレン共重合体を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 - 特許庁

The photosensitive resin composition comprises (A) 100 parts by mass of a polymer selected from the group consisting of an alkali-soluble phenolic resin and polyhydroxystyrene or polyhydroxystyrene derivatives, (B) 1-100 parts by mass of a specific photosensitive diazonaphthoquinone compound and (C) 100-1,000 parts by mass of an organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ可溶性フェノール樹脂、及びポリヒドロキシスチレンまたはポリヒドロキシスチレン誘導体からなる群より選択される重合物１００質量部に対して、特定の（Ｂ）感光性ジアゾナフトキノン化合物１〜１００質量部、及び（Ｃ）有機溶剤１００〜１０００質量部を含む感光性樹脂組成物。 - 特許庁

A resist material comprises a polyhydroxystyrene resin in which hydroxyl groups are protected with dissolution inhibiting groups, a phenol novolac resin, a photoacid generator capable of generating an acid upon exposure and a diazonaphthoquinone compound.例文帳に追加

水酸基が溶解抑止基で保護されたポリヒドロキシスチレン樹脂と、フェノールノボラック樹脂と、露光により酸を発生する光酸発生剤と、ジアゾナフトキノン化合物とを含む。 - 特許庁

The transparent film 30 is made of, for example, a polymer material, containing at least one kind of polyhydroxystyrene copolymer, novolac resin, acrylic resin and methacrylic resin.例文帳に追加

このような透明膜３０は、例えば、ポリヒドロキシスチレン共重合体、ノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂の少なくとも１種を含有する高分子材料で形成された膜である。 - 特許庁

The photosensitive resin composition comprises (a) a polyhydroxystyrene resin, (b) a 1,2-quinonediazide compound, (c) a photoacid generator, (d) a melamine crosslinking agent and (e) a solvent.例文帳に追加

ａ）ポリヒドロキシスチレン系樹脂；ｂ）１，２−キノンジアジド化合物；ｃ）光酸発生剤；ｄ）メラミン架橋剤；およびｅ）溶媒を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物に関する。 - 特許庁

This positive photosensitive resin composition contains (B) 1-50 pts.mass of photoacid generating agent, (C) 0.01-70 pts.mass of benzyl acetate compound having one substituent selected from the group comprising an alkoxy group, an alkyl group and a cyano group, with respect to (A) 100 pts.mass of an alkali-soluble phenol resin, or a polymer of a polyhydroxystyrene or a polyhydroxystyrene derivative.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ可溶性フェノール樹脂、ポリヒドロキシスチレン、またはポリヒドロキシスチレンの誘導体である重合物１００質量部に対して、（Ｂ）光酸発生剤１〜５０質量部、（Ｃ）アルコキシ基、アルキル基、及びシアノ基からなる群から選択されるいずれか１つの置換基を有する酢酸ベンジル化合物０．０１〜７０質量部、を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 - 特許庁

The method for producing a partially protected polyhydroxystyrene is characterized in that a polymer having the repeated units originated from styrene having a tertiary alkoxy group as a substituent is treated with a deprotection reaction so that 80-95 mol% of the substituents may be converted to their hydroxyl groups; and that the partially protected polyhydroxystyrene thus obtained is further reacted with vinyl ether so that part of the hydoxy groups may be converted to their acetal groups.例文帳に追加

３級アルコキシ基を置換基として持つスチレンに由来する繰返し単位からなるポリマーを脱保護反応に付し、上記置換基の８０〜９５モル％をヒドロキシル基に変換した部分保護ポリヒドロキシスチレンを製造する方法およびこの部分保護ポリヒドロキシスチレンをさらにビニルエーテルと反応させてヒドロキシル基の一部をアセタール基に変換した部分保護ポリヒドロキシスチレンを製造する方法。 - 特許庁

The photosensitive resin composition comprises a polyhydroxystyrene derivative resin or a novolak resin, an acid-curable crosslinker which is activated by an acid and crosslinks the resin and a photo acid generator which generates the acid when irradiated with X-rays and contains 10-50 wt.% bromine atoms.例文帳に追加

ポリヒドロキシスチレン誘導体樹脂またはノボラック樹脂と、酸により活性化されて上記樹脂を架橋する酸硬化性架橋剤と、Ｘ線の照射により酸を発生する光酸発生剤とを備え、かつ臭素原子を１０〜５０ｗｔ％含有する。 - 特許庁

The top of a film 11 to be etched is coated with a photosensitive material containing a base resin comprising a polyhydroxystyrene derivative- containing polymer and an onium salt compound-containing acid generating agent to form a photosensitive material film 12 and the film 12 is irradiated with KrF excimer laser to form a hole-patterned photosensitive material film 12.例文帳に追加

被エッチング膜１１の上に、ポリヒドロキシスチレン誘導体を含むポリマーからなるベース樹脂と、オニウム塩化合物を含む酸発生剤とを有する感光性材料を塗布して感光性材料膜１２を形成した後、感光性材料膜１２にＫｒＦエキシマレーザを照射して、ホールパターン化された感光性材料膜１２を形成する。 - 特許庁

The chemical amplification type positive working resist composition contains (A) a polyhydroxystyrene having acid dissociable dissolution inhibiting groups substituted for at least part of the hydrogen atoms of hydroxyl groups and (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation, and the residual ratio of the acid dissociable dissolution inhibiting groups after a dissociation test with hydrochloric acid is ≤40%.例文帳に追加

次の成分（Ａ）及び（Ｂ）、（Ａ）水酸基の水素原子の少なくとも一部が酸解離性溶解抑制基で置換されたポリヒドロキシスチレン、及び（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、前記（Ａ）成分の、塩酸による解離試験後の酸解離性溶解抑制基の残存率が、４０％以下であることを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。 - 特許庁

To provide an underlayer film forming material, the film functions as an underlayer film for a silicon-containing two-layer resist process or as a superior antireflection film, is adaptable to all wavelengths of 248 nm, 193 nm and 157 nm, has optimum n value and k value as compared with polyhydroxystyrene, cresol novolac, naphthol novolac, etc., and is excellent in etching resistance during substrate working, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

珪素含有２層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming a resist pattern including a lower resist pattern, an upper resist pattern and a separator pattern laid between the lower resist pattern and the upper resist pattern includes a step of forming the lower resist pattern from a positive resist material, a NQD (naphthoquinone diazide) novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material or a resist material essentially comprising a polyhydroxystyrene resin.例文帳に追加

下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material which shows an excellent antireflection effect on exposure light by using together with, if necessary, a resist intermediate layer film having an antireflection effect, which has excellent etching durability during etching a substrate rather than polyhydroxystyrene, cresol novolac or the like and a high poisoning resistant effect, and which is suitable to be used for a multilayer resist process such as a two-layer or three-layer resist process.例文帳に追加

レジスト下層膜材料であって、必要により反射防止効果のあるレジスト中間層膜と併せることで露光光に対して優れた反射防止効果を示し、かつ、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラックなどよりも基板エッチング時のエッチング耐性に優れ、耐ポイゾニング効果が高く、多層レジストプロセス、例えば２層又は３層レジストプロセスでの使用に好適なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁