「reactive sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

REACTIVE SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING DEVICE AND REACTIVE SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリング方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING DEVICE AND REACTIVE SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング装置及び反応性スパッタリング方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING APPARATUS, AND REACTIVE SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリングの方法 - 特許庁

REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM例文帳に追加

反応性マグネトロンスパッタリング装置 - 特許庁

TARGET MATERIAL FOR REACTIVE SPUTTERING例文帳に追加

反応性スパッタリング用ターゲット材 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD AND DEVICE例文帳に追加

反応性スパッタリング方法と装置 - 特許庁

CONTROL METHOD FOR REACTIVE SPUTTERING例文帳に追加

反応性スパッタリングの制御方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD AND DEVICE THEREFOR例文帳に追加

反応性スパッタリング方法とその装置 - 特許庁

METHOD AND EQUIPMENT FOR REACTIVE SPUTTERING例文帳に追加

反応性スパッタリング方法とその装置 - 特許庁

CASCADE CONTROL OF REACTIVE SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

反応性スパッタリング装置のカスケ—ド制御 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD, AND FILM DEPOSITION APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

反応性スパッタリング法とその成膜装置 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD AND OPTICAL MEMBER例文帳に追加

反応性スパッタリング方法及び光学部材 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING DEPOSITION DEVICE AND METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング蒸着装置及び方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING DEVICE AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリング装置及び成膜方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS例文帳に追加

反応性スパッタ成膜方法及び成膜装置 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING REACTIVE SPUTTERING AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加

反応性スパッタリングの制御方法及び成膜方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING METHOD AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置 - 特許庁

A DC magnetron reactive sputtering process is provided by utilizing a reactive carrier gas mixture.例文帳に追加

本発明は、反応性キャリアガス混合物を利用して、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering deposition device provided with a partition plate between a sputtering target and a substrate.例文帳に追加

スパッタリングターゲットと基板との間に仕切り板を設けた反応性スパッタリング蒸着装置を提供する。 - 特許庁

WORK MOVING TYPE REACTIVE SPUTTERING DEVICE, AND ITS METHOD例文帳に追加

ワーク移動式反応性スパッタ装置とワーク移動式反応性スパッタ方法 - 特許庁

REACTIVE SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL THIN FILM DEPOSITED BY USING THE TARGET例文帳に追加

反応性スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて成膜した光学薄膜 - 特許庁

RELEASING TREATMENT OF DIE BY MEANS OF REACTIVE SPUTTERING USING ECR PLASMA例文帳に追加

ＥＣＲプラズマを用いた反応性スパッタリングによる金型の離型処理方法 - 特許庁

The passivation film is formed by a reactive pulse DC sputtering method.例文帳に追加

反応性パルスＤＣスパッタリングを行うことによりパッシベーション膜を形成する。 - 特許庁

A method in one embodiment includes conducting reactive sputtering while adjusting a flow rate of a reactive gas according to the temperature of a structural member which faces to a sputtering space.例文帳に追加

本発明の一実施形態では、スパッタ空間に臨む構造部材の温度に応じて、反応性ガスの流量を調整しながら、反応性スパッタリングを行う。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

The sputtering apparatus is directed at forming a film on a substrate (W) by using a reactive sputtering technique after having introduced a sputtering gas (Ar) and a reactive gas (O_2) into a decompressed film-forming chamber 10.例文帳に追加

減圧した成膜室１０にスパッタリングガス（Ａｒ）および反応性ガス（Ｏ_2 ）を導入し、反応性スパッタリングによって基板Ｗに成膜を行うスパッタ装置において、まず、スパッタリングガスのみを用いたメタルモード放電を行う。 - 特許庁

To deposit a porous optical thin film having a low refractive index using reactive sputtering.例文帳に追加

反応性スパッタリングを用いて、多孔質で屈折率の低い光学薄膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus for uniformizing a film thickness, film quality and film characteristics, by uniformizing the concentration of a reactive gas flowing along the surface of a target and thereby improving the uniformity of the reaction of the reactive gas with the target, when introducing a sputtering gas and the reactive gas into a vacuum chamber so as to form a film by reactive sputtering.例文帳に追加

スパッタガスと反応性ガスを真空室内に導入して反応性スパッタリングによる成膜を行うとき、ターゲットの表面に沿って流れる反応性ガスの濃度を均一にして、反応性ガスとターゲットの反応の均一化を高め、膜厚、膜質、膜特性を均一化できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system which can secure a satisfactory film deposition rate in a reactive sputtering system where sputtering particles are fed from the oblique direction of a substrate.例文帳に追加

基板の斜め方向からスパッタリング粒子が供給される反応性のスパッタリング装置において、良好な成膜レートを確保できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Further, the transparent conductive film is deposited by a reactive sputtering process using a metal Ti target.例文帳に追加

また、透明導電膜は、金属Ｔｉターゲットを用いた反応性スパッタ法により形成できる。 - 特許庁

An i layer 4 is formed by a reactive sputter method for performing sputtering in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

ｉ層４は酸素ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法で成膜されている。 - 特許庁

NONLINEAR ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRO-OPTIC DEVICE, AND REACTIVE SPUTTERING FILM-FORMING DEVICE例文帳に追加

非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および反応性スパッタ成膜装置 - 特許庁

INTEGRATED ANODE AND ACTIVATED REACTIVE GAS SOURCE FOR USE IN MAGNETRON SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

マグネトロン・スパッタリング・デバイスにおいて使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源 - 特許庁

Substrate film of a transition metal is formed on a quartz glass substrate by sputtering with a high frequency sputtering device and vanadium dioxide film is formed on the substrate film by reactive sputtering.例文帳に追加

高周波スパッタリング装置を用いて、石英ガラス基板の上にスパッタリングによって遷移金属の下地膜を成膜し、その上に反応性スパッタリングによって二酸化バナジウムを成膜する。 - 特許庁

At this time, a second wafer is inserted into the first IBS deposition chamber 302 and is subjected to the reactive sputtering deposition.例文帳に追加

そのとき、第２のウェハが第１の堆積室に挿入され、反応性スパッタ堆積が行われる。 - 特許庁

THIN-FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC FILM FORMING METHOD AND NON-REACTIVE SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

薄膜バルク音響共振子の製造方法、圧電膜の形成方法および非反応性スパッタリング装置 - 特許庁

FILM FORMED BY OPTICAL THIN FILM FOR HIGH PERFORMANCE VACUUM ULTRAVIOLET WAVELENGTH RANGE BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING METHOD例文帳に追加

反応性ＤＣマグネトロンスパッタ法による高性能真空紫外波長域用光学薄膜の成膜 - 特許庁

To provide a sputtering film-forming method that can improve film thickness distribution in a reactive sputtering method that uses a metal target, and to provide a film-forming apparatus.例文帳に追加

金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、膜厚分布を向上させることが可能なスパッタ成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

The insulating layer by an Al oxidized film is formed by executing reactive sputtering in the gaseous atmosphere containing the oxygen.例文帳に追加

酸素を含むガス雰囲気中で反応性スパッタを行うことで、Ａｌ酸化膜による絶縁層が形成される。 - 特許庁

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。 - 特許庁

By depositing the TaN film by means of reactive sputtering using such a sputtering target, the TaN film (barrier layer) excellent in Cu barrier property can be obtained with superior reproducibility.例文帳に追加

このようなスパッタリングターゲットを用いて、化成スパッタによりＴａＮ膜を成膜することによって、Ｃｕバリア性に優れるＴａＮ膜（バリア層）が再現性よく得られる。 - 特許庁

To provide an integrated anode and activated reactive gas source for use in a magnetron sputtering device and a magnetron sputtering device incorporating the same.例文帳に追加

本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。 - 特許庁

To provide a control method for reactive sputtering which deposits a thin film on a substrate by sputtering targets in a reactive gas to emit the material, and can be controlled with excellent production efficiency.例文帳に追加

本発明は、反応性ガス中でターゲットをスパッタしてその材料を放出させて基板上に薄膜を形成する反応性スパッタリングに関し、生産効率の良い制御が可能な反応性スパッタリングの制御方法を提供するものである。 - 特許庁

When the sputtering gas is introduced, the ratio of a flow rate of a reactive gas introduced through the first sputtering gas introduction pipe 2a with respect to the total sputtering gas is controlled higher than that introduced through the second sputtering gas introduction pipe 2b.例文帳に追加

第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 - 特許庁