「reverse blocking diode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A second inductor L2 is connected in parallel with the smoothing capacitor C via a reverse flow blocking diode D5.例文帳に追加

平滑コンデンサＣに並列に逆流阻止用ダイオードＤ５ を介して第２のインダクタＬ２ を接続する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor conversion circuit that uses a reverse blocking diode having a reduced forward voltage drop and a reverse recovery charge amount lower and smaller than a silicon high-speed diode.例文帳に追加

シリコン製の高速ダイオードよりも順電圧降下及び逆回復電荷量が低減された逆阻止用のダイオードが使用された半導体変換回路を得る。 - 特許庁

By the localization of life time killer, a reverse-recovery peak current (Irp) when a diode is active can be reduced and the property of reverse-blocking semiconductor becomes a soft-recovery type.例文帳に追加

ライフタイムキラーを局在化させることで、ダイオード動作時の逆回復ピーク電流（Ｉｒｐ）を小さくし、ソフトリカバリー特性とする。 - 特許庁

To remarkably reduce a snubber loss by improving the problem of the reverse-current blocking diode of a power factor improving circuit due to reverse recovery current.例文帳に追加

力率改善回路の逆流阻止用ダイオードの逆回復電流による問題点を改善し、スナバ損失を大幅に低減すること。 - 特許庁

A reverse-flow blocking diode 50 for preventing a reverse current from flowing is arranged between an ignition terminal 30 and an anode (the positive-electrode side) of each light-emitting diode 41A-41C.例文帳に追加

イグニッション端子３０と各発光ダイオード４１Ａ〜４１Ｃのアノード（陽極側）との間には、逆方向電流が流れることを防止するための逆流阻止ダイオード５０が配されている。 - 特許庁

A diode 4 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an insulated gate bipolar transistor IGBT3 in an orientation such that a forward current flows to the diode 4 when the IGBT3 is turned on.例文帳に追加

ダイオード４は逆阻止用の整流ダイオードであり、ＩＧＢＴ３がオン状態になるとダイオード４に順方向電流が流れる向きで、ＩＧＢＴ３に直列接続されている。 - 特許庁

A diode 6 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an IGBT5 in an orientation such that a forward current flows to the diode 6 when the IGBT5 is turned on.例文帳に追加

また、ダイオード６は逆阻止用の整流ダイオードであり、ＩＧＢＴ５がオン状態になるとダイオード６に順方向電流が流れる向きで、ＩＧＢＴ５に直列接続されている。 - 特許庁

To provide a simply-structured reverse voltage protection device capable of protecting an electronic apparatus from reverse connection of a battery without causing the problem of voltage drop due to a reverse voltage blocking diode.例文帳に追加

逆電圧阻止用ダイオードによる電圧降下の問題を招くことなく、電池の逆接続から電子機器を保護し得る簡易な構成の逆電圧保護装置を提供する。 - 特許庁

A reverse current blocking diode Dc blocking the above reverse direction current for the switching element Q2 is connected to the drain side of the switching element Q2, preventing the latching function activated by the controller 51.例文帳に追加

スイッチング素子Ｑ２のドレイン側には、スイッチング素子Ｑ２のオン時とは逆向きの電流を阻止する逆阻止ダイオードＤｃが接続され、コントローラ５１によるラッチの機能の作動が防止される。 - 特許庁

When a charge remaining quantity of the battery 22 is reduced, a Zener diode ZD1 is turned into a reverse-blocking state, a transistor Q2 is turned off while a transistor Q2 is turned on, and a light emitting diode LED1 is lighted up.例文帳に追加

バッテリ22の電荷の残量が少なくなると、ツェナーダイオードZD1が逆阻止状態となり、トランジスタQ2がオフし、トランジスタQ1はオンして発光ダイオードLED1が点灯する。 - 特許庁

The semiconductor snubber 200 includes a capacitor 210 formed at least on one end side of the substrate region during reverse bias of the reflux diode 100, a resistance 220 including a part of the substrate region, and a reverse blocking diode 222 formed on at least a part of the substrate region so as to be in a reverse blocking state with respect to forward bias of the reflux diode 100.例文帳に追加

半導体スナバ２００は、還流ダイオード１００の逆バイアス時に少なくとも前記基板領域の一端側に形成されるキャパシタ２１０と、基板領域の一部を含む抵抗２２０と、還流ダイオード１００の順バイアスに対して逆阻止状態となるように、基板領域の少なくとも一部に形成された逆阻止型ダイオード２２２とを含む。 - 特許庁

The breaking function of the short circuit current is incorporated while holding the function of the conventional clamp diode by using the reverse blocking type switching elements.例文帳に追加

逆阻止型スイッチング素子を用いることにより、従来のクランプダイオードの機能を保有しつゝ短絡電流の遮断機能を持たせる。 - 特許庁

To prevent a drop in forward voltage in a reverse-blocking diode which is provided at the output stage of the boosting circuit of a DC-DC converter.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータの昇圧回路の出力段に設けられた逆流阻止ダイオードにおける順方向電圧降下を解消する。 - 特許庁

As a result, the closed circuit becomes the only circuit which emits the electromagnetic enery of the inductor for the chopper, and the reverse-blocking diode 30 is turned on properly.例文帳に追加

そのため、閉回路はチョッパ用インダクタの電磁エネルギを放出する唯一の回路となり、逆阻止用インダクタ３０が適宜ターンオンする。 - 特許庁

A first reverse-flow blocking diode 8 is connected so that the drive signal to the trigger means 7 of the timing pulse generating means 9 may be passed in forward direction and impression of a reverse voltage from the trigger means 7 to the timing pulse generating means 9 may be in reverse direction.例文帳に追加

タイミングパルス発生手段９のトリガ手段７への駆動信号を順方向に通過させ、かつトリガ手段７からタイミングパルス発生手段９へ逆電圧の印加には逆方向となるよう第１の逆流阻止ダイオード８を接続する。 - 特許庁

A transistor 21 and a diode 22 for blocking reverse current are provided in the power supply line to make the overcurrent detection, and a control circuit 30 detects overcurrent by using the foreword voltage fluctuation across the diode 22.例文帳に追加

トランジスタ２１と逆電流防止用のダイオード２２を電力供給ラインに設けて、このダイオード２２の順電圧の電圧変動を利用して過電流検出制御回路３０で過電流検出を行う。 - 特許庁

One end of a DC blocking resonance reactance part 1 is connected to a circuit node point A, and the other end is connected to an AC terminal 2I of a reverse-series connection diode circuit 2.例文帳に追加

直流遮断共振リアクタンス部１の一端は回路節点Ａに接続され、他端は逆直列接続ダイオード回路２の交流端子２Ｉに接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The switching device (10) includes: a main IGFET (11) incorporating a Schottky diode D3 for blocking a reverse current; a protecting switch means (12); and a protecting switch control means (13).例文帳に追加

スイッチング装置（１０）は、逆方向電流を阻止するショットキダイオードＤ３を内蔵する主IGFET（１１）と、保護スイッチ手段（１２）と、保護スイッチ制御手段（１３）とを有する。 - 特許庁

It is thus possible to prevent the large reverse directional voltage from being applied to the blocking diode 5U+ and eliminate the need for increase in the number of the blocking diodes 5, even if power supply voltage is increased, thereby preventing its efficiency from lowering, even if high output is attained.例文帳に追加

これにより、ブロッキングダイオード5U＋には、大きな逆方向電圧が加わらないようになり、電源電圧を上昇させても、ブロッキングダイオード５の数を増やす必要がなくなり、高出力化を図っても、効率低下が未然に防止される。 - 特許庁

This power factor improving power supply circuit once stores surge energy generated at a switch element 3 off time in a capacitor 10 through the forward conduction of a charge storage type diode 9 having a long carrier lifetime, connected in parallel with the switch element 3 by an inductor for reducing the reverse recovery current of the reverse-current blocking diode 6, and returns the surge energy to a load during its reverse conduction period.例文帳に追加

逆流阻止用ダイオード６の逆回復電流を低減するためのインダクタにより、スイッチ素子３のオフ時に発生するサージエネルギーを、スイッチ素子３に並列接続されたキャリアライフタイムの長い電荷蓄積型ダイオード９の順方向導通を通してコンデンサ１０に一旦蓄え、その逆方向導通期間に前記サージエネルギーを負荷に戻すことを特徴とする力率改善型電源回路。 - 特許庁

This display device driving circuit 1 has a buffer circuit 12, an nMOS14 and a reverse blocking diode 51 and is constituted so that electric charges in a PDP can be discharged by allowing the nMOS14 to be turned on/off by the output of the circuit 12.例文帳に追加

本発明の表示装置駆動回路１は、バッファ回路１２と、ｎＭＯＳ１４と、逆阻止ダイオード５１を有しており、バッファ回路１２の出力によってｎＭＯＳ１４がオン／オフし、ＰＤＰパネル内の電荷を放電できるように構成されている。 - 特許庁

When a lamp voltage comes to 400 V or less, lighting for fluorescent lamps FL1, FL2 is determined, a voltage induced in a sub-winding Tr2 is also reduced, a Zener diode ZD7 is brought into a reverse-blocking state, and the output of an inverter circuit 15 is lowered compared with that in a start time to light the lamps FL1, FL2.例文帳に追加

ランプ電圧が４００Ｖ以下になると蛍光ランプFL1 ，FL2 が点灯したと判断して、補助巻線Tr2dに誘起される電圧も低下し、ツェナダイオードZD7 が逆阻止状態になり、インバータ回路15の出力を始動時より低くして蛍光ランプFL1 ，FL2 を点灯させる。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage Vr of a diode constituted between the anode contact region 8 and the drain/ cathode region 2 is made lower than an drain/source blocking voltage BVdss of a power MOS which is constituted of the drain/cathode region (NBL) 2, gate structure 18, and source region 5.例文帳に追加

アノードコンタクト領域８とドレイン・カソード兼用領域２との間に構成されるダイオードの逆方向降伏電圧Ｖrが、ドレイン・カソード兼用領域（ＮＢＬ）２、ゲート構造１８及びソース領域５からなるパワーＭＯＳのドレイン−ソース間耐圧ＢＶdssよりも低い。 - 特許庁

The terminal box for solar cell modules has a pair of terminal boards 20, 20 disposed for connecting electrodes a of a solar cell module M in a box body 11, a reverse current blocking bypass diode 3 provided between both terminal boards and an outer connecting cable P connected to both terminal boards.例文帳に追加

ボックス本体１１内に、太陽電池モジュールＭの電極ａ接続用の対の端子板２０、２０を配設し、その両端子板間に逆流防止用バイパスダイオード３を設け、両端子板に外部接続用ケーブルＰを接続した太陽電池モジュール用端子ボックスである。 - 特許庁

The secondary cell charging control semiconductor device 1 comprises a charger 5, a diode 2 for blocking reverse current from a secondary cell to the power source VDD or the charger 5, a PNP bipolar transistor 3 for controlling the charging current from the charger 5, and a capacitor 4 for stabilizing the VDD.例文帳に追加

二次電池充電器制御用半導体装置１、充電器５、二次電池から電源ＶＤＤや充電器５への電流逆流を阻止するダイオード２、充電器５からの充電電流を制御するＰＮＰバイポーラトランジスタ３、ＶＤＤを安定化させるキャパシタンス４を有する。 - 特許庁

A terminal box for a solar cell module has a pair of terminal boards 20, 20 for connecting the electrodes (a) of a solar cell module M in a box body 11, and a reverse current blocking bypass diode 3 is disposed between both the terminal boards, and outer connecting cables P are connected to both the terminal boards, respectively.例文帳に追加

ボックス本体１１内に、太陽電池モジュールＭの電極ａ接続用の対の端子板２０、２０を配設し、その両端子板間に逆流防止用バイパスダイオード３を設け、両端子板に外部接続用ケーブルＰを接続した太陽電池モジュール用端子ボックスである。 - 特許庁

The residual voltage is clamped by a clamp voltage generating circuit 7 through a reverse flow blocking diode D at a low voltage during only this period considering that an area A wherein a high voltage spike developed in the residual voltage of the peaking capacitor becomes high.例文帳に追加

逆流阻止用ダイオードＤを通してクランプ電圧発生回路７によって残留電圧をクランプし、このクランプにはピーキングコンデンサの残留電圧に現れるスパイク状の高い電圧になる領域Ａがレーザ電極の寿命の延命に影響することに着目し、この期間のみ低い電圧にクランプする。 - 特許庁