「selective effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, by the selective turning on/off of the plungers 5 and 6, the rotating system capable of preventing the unevenness of a contact place though a cleaning force is weak, and the fixed system of a string cleaning force are selectively used to provide a highly efficient cleaning effect and prolong the life of the cleaning roller.例文帳に追加

したがって、各プランジャ５、６の選択的なオン、オフ動作によって、クリーニング力は弱いが接触場所の偏りを回避できる回転方式と、クリーニング力の強い固定方式を選択して用い、効率の良いクリーニング効果と、クリーニングローラの長寿命化を図る。 - 特許庁

To provide a disease prevention or a treatment for a new strain of malaria Plasmodium having a highly therapeutic effect and selective toxicity toward malaria Plasmodium-based infectious disease and capable of suppressing the emergence of a resistant malaria Plasmodium strain as compared with a case of administering an active ingredient in a monotherapy.例文帳に追加

マラリア原虫感染症に対して高い治療効果と選択毒性を有し、且つ活性成分を単剤療法で投与した場合に比較して耐性マラリア原虫の出現を抑制できる新たなマラリア原虫疾患予防又は治療用を提供すること。 - 特許庁

On the other hand, the Forestry Agency focused its pollinosis countermeasures on the selective felling Japanese cedar trees but in 2006 the media brought to light an announcement that caused misunderstanding regarding the suppressive effect on pollen, and there is doubt surrounding the passive stance toward conventional transplantation. 例文帳に追加

一方で、林野庁は花粉症対策の重点をスギの選択的な間伐に求めてきたが、2006年、花粉の抑制効果について誤解を招く発表をしていたことがマスコミの指摘により明らかになり、従来からの植え替えに消極的な姿勢に疑問が持たれることもあった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a field-effect transistor manufacturing and etching methods that can (1) form a sidewall on condition of very high selective etching and reduce as much film decrease in an SOI layer as possible in a thin film SOI device, (2) have a stable and high current drive capability, and (3) realize a high yield.例文帳に追加

薄膜ＳＯＩデバイスにおいて、▲１▼超高選択比エッチング条件にてサイドウォールを形成し、ＳＯＩ層の膜減の量を極力低減すること、▲２▼安定した高い電流駆動能力を持つこと、▲３▼高歩留まりを実現することの可能な電解効果トランジスタの製造方法及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁