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self refreshの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 211件
When there is no demand of a self refresh operation, a read operation with respect to the memory device 11 according to the control circuit 12 of the memory device is executed in accordance with an initial rise of a clock CLK after a fall of an address fetch signal/ADV, without performing the precharge operation before core access.例文帳に追加
セルフ・リフレッシュ動作の要求がない場合は、アドレス取り込み信号／ＡＤＶの立ち下がり後の、クロックＣＬＫの最初の立ち上がりにしたがって、コア・アクセス前のプリチャージ動作を行うことなしに、メモリ装置の制御回路１２による、メモリ装置１１に対するリード動作を実行する。 - 特許庁
Depending on the confirmation result, a self refresh state is set up to an area where data used in a portion of a data array of the least use state is completely contained, and a power supply control circuit 5 exerts control so that a current is supplied from an auxiliary power supply 3 through a power supply circuit 6.例文帳に追加
その確認結果から、一番使用状況が少ないデータアレイの部分で使用しているデータが入りきるところまでを、セルフリフレッシュ状態にして、電源制御回路５で補助電源３から電源回路６を通って電流を供給するように制御する。 - 特許庁
A CPU 22 in an operation unit 3 side disables information communication with a controller 2 via USB signal lines L1, L3 after operating the self refresh function of a DDR memory 21 according to the instruction for shifting to a STR mode via the USB signal lines L1, L3.例文帳に追加
操作ユニット３側のＣＰＵ２２は、ＵＳＢ信号線Ｌ１，Ｌ３を介してＳＴＲモードへの移行を指示されるのに応じて、ＤＤＲメモリ２１のセルフリフレッシュ機能を作動させた後、ＵＳＢ信号線Ｌ１，Ｌ３を介したコントローラ２との情報通信を不能にする。 - 特許庁
To provide a DLL device for reducing an operating current for a DRAM by preventing that a DLL clock is meaninglessly toggled and ringed to sections other than a necessary section where the clock is actually used, not only in a power down mode or a self refresh mode but also in a normal mode operation.例文帳に追加
パワーダウンモードや、セルフリフレッシュモードだけでなく、ノーマルモード動作においても、実際にクロックが用いられる必要区間以外の区間に対して、意味無くＤＬＬクロックがトグルリングされることを防止して、ＤＲＡＭの動作電流を低減させるためのＤＬＬ装置を提供する。 - 特許庁
The expedited recovery process includes determining whether to proceed with the expedited recovery process, initializing memory controller registers and instructing a memory controller to exit self-refresh, confirming system context recovered from the memory using keys stored in the always on domain, and jumping to recovery instructions in the memory to restore operating system information.例文帳に追加
迅速回復プロセスは、迅速回復プロセスで進むべきかを決定し、メモリコントローラのレジスタを初期化し、自己リフレッシュから出るようにメモリコントローラに指令し、常時オンドメインに記憶されたキーを使用してメモリから回復されたシステムコンテクストを確認し、メモリ内の回復インストラクションへジャンプし、オペレーティングシステム情報を復帰させる。 - 特許庁
When shifting to a power saving mode, an SDRAM controller 14 stores information set in the SDRAM controller in an SDRAM 16, and shifts the SDRAM to a self-refresh mode, and stores information showing the power saving mode in an energy saving recovery recognizing circuit 18, and a power is interrupted.例文帳に追加
ＳＤＲＡＭコントローラ１４は、省電力モードに移行するときには、ＳＤＲＡＭコントローラ内に設定されている情報をＳＤＲＡＭ１６に記憶した後にＳＤＲＡＭをセルフリフレッシュモードに移行させると共に、省エネ復帰認識回路１８に省電力モードを示す情報を記憶した後に電力が遮断される。 - 特許庁
The memory device includes a temperature information outputting device that outputs a temperature information code including temperature information of the memory device and a control signal generating section that receives the temperature information code and generates a control signal in a self-refresh cycle, whose state does not change due to the change of temperature at a predetermined value or lower.例文帳に追加
メモリ装置の温度情報を含む温度情報コードを出力する温度情報出力装置と、前記温度情報コードを受信して、一定値以下の温度変化ではその状態が変わらないセルフリフレッシュ周期の制御信号を生成する制御信号生成部とを備えるメモリ装置を提供する。 - 特許庁
The ring oscillation circuit inside the self-refresh timer circuit 100 has an inversion amplifier capable of increasing/decreasing delay times by cutting a fuse and in a wafer check process, the cycle of the internal timing signal TIM can be controlled suitably, on the basis of the measured result of the output signal OUT.例文帳に追加
セルフリフレッシュタイマ回路１００中のリング発振回路は、ヒューズの切断によって遅延時間の増減が可能な反転増幅回路を有しており、ウエハチェック工程において、出力信号ＯＵＴの測定結果に基づいて内部タイミング信号ＴＩＭの周期を適切に調節することができる。 - 特許庁
Concerning the data processing circuit for battery backup of an SDRAM 1 for holding data, on the basis of a clock-enable signal (terminal c) outputted by an MPU 2 immediately after power-on reset and an initialize processing end signal (terminal p), showing the end of initialize processing in the MPU 2, self-refresh cancel is commanded to the SDRAM 1 (terminal cx).例文帳に追加
データを保持するＳＤＲＡＭ１をバッテリバックアップするデータ処理回路において、パワーオンリセット直後にＭＰＵ２が出力するクロックイネーブル信号（端子ｃ）と、前記ＭＰＵ２におけるイニシャライズ処理が終了したことを示すイニシャライズ処理終了信号（端子ｐ）とに基づき、前記ＳＤＲＡＭ１にセルフリフレッシュ解除を指令する（端子ｃｘ）。 - 特許庁
In memory circuitry, to ensure that a memory device, such as a DDR3 RDIMM, safely operates in the self-refresh mode while the memory controller is powered down and off, the memory device's clock enable (CKE) input is connected to both (i) a CKE signal applied by the memory controller and (ii) a termination voltage provided by the power module.例文帳に追加
メモリ回路において、メモリ・コントローラがパワーダウンおよびパワーオフされている間、ＤＤＲ３ ＲＤＩＭＭなどのメモリ・デバイスがセルフリフレッシュ・モードで安全に動作することを保証するために、メモリ・デバイスのクロック・イネーブル（ＣＫＥ）入力が、（ｉ）メモリ・コントローラによって印加されたＣＫＥ信号と、（ｉｉ）パワー・モジュールによって供給された終端電圧の両方に接続される。 - 特許庁
The self refresh module includes the oscillator constituted so as to supply a first signal having a first frequency, a trimming divider constituted so as to supply a second signal having a second frequency by trimming the first signal, and a temperature sensor constituted so as to supply a temperature signal by sensing the temperature of a memory device.例文帳に追加
セルフリフレッシュモジュールは、第１の周波数を有する第１の信号を供給するように構成された発振器と、上記第１の信号をトリミングして、第２の周波数を有する第２の信号を供給するように構成されたトリミング分周器と、上記メモリデバイスの温度を感知して、温度信号を供給するように構成された温度センサとを有している。 - 特許庁
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