「silicon sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PIEZOELECTRIC TEMPERATURE SENSOR AND SILICON WAFER TEMPERATURE MEASURING TOOL例文帳に追加

圧電温度センサとシリコンウエハ温度測定冶具 - 特許庁

The temperature sensor is a pn junction silicon diode.例文帳に追加

温度センサは、ｐｎ接合シリコンダイオードである。 - 特許庁

The fingerprint sensor 11 has a silicon base 12.例文帳に追加

指紋センサ１１は、シリコン基板１２を有している。 - 特許庁

This pressure sensor 1 includes a silicon substrate 2.例文帳に追加

この圧力センサ１は、シリコン基板２を備えている。 - 特許庁

PRESSURE SENSOR EQUIPPED WITH SILICON CHIP ON STEEL DIAPHRAGM例文帳に追加

鋼ダイヤフラム上にシリコンチップを備えた圧力センサ - 特許庁

CMOS SENSOR STRUCTURE WITH SILICON OXIDE EXTERNAL FRAME AROUND SENSOR REGION例文帳に追加

検知領域周辺にシリコン酸化物外枠を有するＣＭＯＳ検知構造 - 特許庁

The silicon chip 18 has an image sensor 20 mounted on the upper surface thereof.例文帳に追加

シリコンチップ１８は、上面に撮像素子２０を有する。 - 特許庁

A piezoelectric vibration type angular velocity sensor 1 and a silicon ring type angular velocity sensor 2 are used.例文帳に追加

圧電振動型の角速度センサ１とシリコンリング型の角速度センサ２とを用いる。 - 特許庁

The gas sensor 1 is equipped with a semiconductor substrate 10 made of silicon.例文帳に追加

ガスセンサ１は、シリコン製の半導体基板１０を備えている。 - 特許庁

The sensor surface is defined by silicon carbide and includes silicon oxide filling cavities in the silicon carbide.例文帳に追加

センサー表面は炭化珪素によって画定されており且つ該炭化珪素における凹所を充填するシリコン酸化物を有している。 - 特許庁

A silicon substrate 11 is provided with a sensor array where many bolometer type sensor elements 2a are arranged in parallel.例文帳に追加

シリコン基板１１に、ボロメータ型センサ素子２ａを多数並設したセンサアレイが形成されている。 - 特許庁

An acceleration sensor consists of the detection unit, a silicon shielding substrate, and a base substrate.例文帳に追加

加速度センサは、検出部、シリコン遮蔽基板、ベース基板からなる。 - 特許庁

This light sensor includes an SOI substrate 12 with a silicon oxide insulation film 16 and a silicon semiconductor layer 18 made of single-crystal silicon formed on a silicon substrate 14.例文帳に追加

光センサは、シリコン基板１４上に、酸化シリコン絶縁膜１６、単結晶シリコンからなるシリコン半導体層１８が形成されたＳＯＩ基板１２を備えている。 - 特許庁

An acceleration sensor 100 includes a silicon substrate 2 and a glass substrate 4.例文帳に追加

加速度センサ１００は、シリコン基板２とガラス基板４を備えている。 - 特許庁

ANODE JUNCTION METHOD OF SILICON PLATE AND GLASS PLATE OF ELECTROSTATIC ACCELERATION SENSOR例文帳に追加

静電型加速度センサのシリコン板とガラス板の陽極接合方法 - 特許庁

A sensor device 10 is provided with a sensor body 1 formed of silicon as a base material, an upper sealing body 2 formed of silicon as a base material, and a lower sealing body 3 formed of silicon as a base material.例文帳に追加

センサ装置１０は、シリコンを基材とするセンサ本体部１と、同じくシリコンを基材とする上部封止体２と、同じくシリコンを基材とする下部封止体３とを備えている。 - 特許庁

The physical quantity sensor includes silicon substrates 2, 3, a diaphragm formed on the silicon substrate 3, piezoelectric elements B to E, and an interposer 15 joined to the silicon substrate 3.例文帳に追加

シリコン基板２，３と、シリコン基板３に形成されたダイアフラムと、ピエゾ素子Ｂ〜Ｅと、シリコン基板３と接合されるインターポーザ１５と、を有する。 - 特許庁

The sensor 10 comprises a sensor body 1 made of silicon as base material, and an upper sealing body 2 and lower sealing body 3 that are similarly made of silicon as base material.例文帳に追加

センサ装置１０は、シリコンを基材とするセンサ本体部１と、同じくシリコンを基材とする上部封止体２及び下部封止体３とを備えている。 - 特許庁

The sensor device 10 is provided with a sensor body 1 of a silicon based material, the upper sealer 2, and the lower sealer 3 of the same silicon based material.例文帳に追加

センサ装置１０は、シリコンを基材とするセンサ本体部１と、同じくシリコンを基材とする上部封止体２及び下部封止体３とを備えている。 - 特許庁

The sensor device 10 comprises an upper sealing body 2 including silicon as a substrate as a sensor body section 1 including silicon as the substrate, and a lower sealing body 3.例文帳に追加

センサ装置１０は、シリコンを基材とするセンサ本体部１と同じくシリコンを基材とする上部封止体２及び下部封止体３とを備えている。 - 特許庁

The sensor device 10 is composed of the sensor body 1 of a silicon substrate, the upper sealed body 2 likewise of a silicon substrate and the lower sealed body 3.例文帳に追加

センサ装置１０は、シリコンを基材とするセンサ本体部１と同じくシリコンを基材とする上部封止体２及び下部封止体３とを備えている。 - 特許庁

The sensor device 10 includes a sensor body 1 which uses a silicon as a substrate, and an upper seal 2 and a lower seal 3 which also use a silicon as a substrate.例文帳に追加

センサ装置１０は、シリコンを基材とするセンサ本体部１と、同じくシリコンを基材とする上部封止体２及び下部封止体３とを備えている。 - 特許庁

CMOS structure has a silicon oxide external frame around a sensor region.例文帳に追加

検知領域の周囲にシリコン酸化物外枠を有するＣＭＯＳ構造。 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING THIN FILM GERMANIUM INFRARED SENSOR BY BONDING TO SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェハに結合することによる薄膜ゲルマニウムの赤外線センサの製造 - 特許庁

The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０に形成されたｎ型シリコンのＮウェル１４、およびｐ型シリコンのＰウェル２２を含む能動画素センサを、Ｎウェルに形成する。 - 特許庁

The magnetic sensor 4, acceleration sensor 3, and arithmetic processing section 6 are arranged on the same silicon substrate 7.例文帳に追加

これらの磁気センサ４、加速度センサ３、および演算処理部６は、同一のシリコン基板７上に配置されている。 - 特許庁

The pedestal 2 of the sensor element 3 is formed by anodically joining a first silicon, a glass and a second silicon in this order.例文帳に追加

センサエレメント３の台座２は、第１シリコン、ガラス，第２シリコンをこの順に陽極接合することにより形成している。 - 特許庁

To provide a robust and reliable capacitor silicon sensor for measuring pressure.例文帳に追加

丈夫で信頼できる圧力測定用の容量式シリコンセンサを提供する。 - 特許庁

ON-INSULATING LAYER CRYSTALLINE SILICON OPTICAL WAVEGUIDE MICHELSON INTERFEROMETER TYPE TEMPERATURE SENSOR例文帳に追加

絶縁層上シリコン結晶体光学導波マイケルソン干渉式温度センサ - 特許庁

In this semiconductor sensor, a silicon oxide film 20 is formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０には、上記シリコン酸化膜２０が形成されている。 - 特許庁

SOLAR CELL USING SILICON PARTICULATE, OPTICAL SENSOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

シリコン微粒子を用いた太陽電池および光センサーとそれらの製造方法 - 特許庁

A CMOS image sensor includes: a silicon substrate; a silicon germanium epitaxial layer formed over the substrate; an undoped silicon epitaxial layer formed over the silicon germanium epitaxial layer; and a photodiode region formed in a predetermined depth from a top surface of the undoped silicon epitaxial layer to a part of the silicon germanium epitaxial layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、この基板上のシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上のアンドープのシリコンエピタキシャル層と、この層の表面からシリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

The front surface side of the pressure sensor chip 5 is covered with a protective material such as silicon gel.例文帳に追加

圧力センサチップ５の表面側をシリコンゲル等の保護材料により覆う。 - 特許庁

MOBILE COMMUNICATION DEVICE COMPRISING CURVED-SURFACE SENSOR CAMERA, CURVED-SURFACE SENSOR CAMERA COMPRISING MOBILE OPTICAL PART, AND CURVED-SURFACE SENSOR MADE OF SILICON FIBER例文帳に追加

曲面状センサーカメラを有する移動通信装置、移動型光学部を有する曲面状センサーカメラ、及びシリコン繊維で製作される曲面状センサー - 特許庁

A pH sensor 30, a temperature sensor 40, a flow rate sensor 50 are integrated on a base board 1 formed of a silicon substrate provided with a hypochlorous acid ion sensor detecting a hypochlorous acid ion.例文帳に追加

ｐＨセンサ３０、温度センサ４０、流量センサ５０が、次亜塩素酸イオンを検出する次亜塩素酸イオンセンサ２０が形成されたシリコン基板よりなる基板１に集積化されている。 - 特許庁

To provide an acceleration sensor, capable of accurately bonding a silicon chip to one side of a sensor chip, and accurately positioning a sealing chip to be bonded to the other side of the sensor chip, with respect to the bonded silicon chip, and to provide a method of producing the sensor.例文帳に追加

センサチップの一方側に高精度でシリコンチップを貼合でき、さらに、貼合されたシリコンチップに対して、センサチップの他方側に貼合される封止チップを高精度に位置合わせすることのできる加速度センサおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an acoustic sensor having an outer periphery of upper surface of a silicon substrate protected with a protective film using a back plate.例文帳に追加

バックプレートを利用した保護膜でシリコン基板の上面外周部を保護する。 - 特許庁

The length L of an amorphous silicon layer 25 of an optical sensor part 21 is set to ≥15 μm ≤25 μm.例文帳に追加

光センサ部21のアモルファスシリコン層25の長さＬを１５μｍ以上２５μｍ以下にする。 - 特許庁

FLUORINATED ALKYL SILICON POLYMER COMPOUND AND HALOGEN ION SENSOR UNIT MATERIAL USING IT例文帳に追加

フッ化アルキルケイ素高分子化合物及びそれを用いたハロゲンイオン検出素子材料 - 特許庁

In this pH sensor, a silicon chip 2 is attached to reverse side of a substrate 21 with its detection window 23 opened.例文帳に追加

検出窓２３を開けた基板２１の裏面側へシリコンチップ２を取り付ける。 - 特許庁

A light receiver 21 of the optical sensor 7 is formed of amorphous silicon generating large optical current.例文帳に追加

発生する光電流が大きいアモルファスシリコンで光センサ７の受光部21を形成する。 - 特許庁

SILICON-DIAPHRAGM TYPE VACUUM PRESSURE SENSOR DEVICE AND PRESSURE MEASURING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

シリコンダイアフラム型真空圧力センサ装置およびその装置を用いた圧力測定方法 - 特許庁

To provide a silicon/germanium (SiGe) superlattice temperature sensor, together with a production method thereof.例文帳に追加

シリコン／ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）超格子温度センサをその製造方法とともに提供する。 - 特許庁

The inertial sensor 2 includes a plurality of sense elements 6 and 8 disposed upon a silicon wafer 4.例文帳に追加

慣性センサ２は、シリコン・ウエハ４上に配置された複数の検知要素６，８を含む。 - 特許庁

SENSOR HAVING DRIVER ELECTRODE INDEPENDENT OF LOCATION IN MULTILAYER SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE例文帳に追加

多層シリコン・オン・インシュレータ基板中に位置非依存の駆動装置電極を有するセンサ - 特許庁