例文 (9件) |
small sinの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
The shielding film 12 is made of an insulative material having high resistance such as SiN, TiO2 or SiON, wherein gas such as H2O or O is discharged in a small quantity.例文帳に追加
遮蔽膜12は絶縁性・高抵抗のSiN,TiO_2, SiON等の材料からなり、H_2O やO等のガスの放出が少ない。 - 特許庁
Since Amida Buddha saves a sinner like me, I swear I will never commit any small sin. 例文帳に追加
罪は十悪五逆の者も生(うま)ると信じて、少罪(しょうざい)をも犯(おか)さじと思うべし。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To provide an SiN film that has a small amount of leakage current even if film thickness is reduced to 0.4 nm or less, and a semiconductor device that uses the SiN film as a capacitor insulating film.例文帳に追加
膜厚を0.4nm以下に減少させてもリーク電流の少ないSiN膜、およびかかるSiN膜をキャパシタ絶縁膜に使った半導体装置を提供する。 - 特許庁
A small person is innocent, but he becomes a sinner if he holds a treasure, which means being a small person in itself is not a sin, but if a small person comes into possession of an inappropriate amount of treasure he often tends to make mistakes. 例文帳に追加
小人に罪無し、玉を抱いて罪有り…小人というだけで罪はないのだが、小人が身分不相応の財宝を持つと、とかく過ちを犯しやすい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Furthermore, the method comprises a process of etching a SiN film selectively, by using a mixed solution of H2SO4 and H2O or this mixed solution added with a very small amount of hydrofluoric acid.例文帳に追加
さらに、H_2SO_4とH_2Oとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、SiN膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
Each opening portion comprises a first opening portion 24a piercing the SiN layer 22 whose width is large and a second opening portion 24b piercing the Si layer 20 whose width is small and reduces continuously from the first opening portion 24a.例文帳に追加
開口部は、SiN層22する広幅の第1開口部24aと、Si層20を貫通し、開口幅が第1開口部22bより連続して縮小する縮幅の第2開口部24bとからなる。 - 特許庁
In this manufacturing method, a protective film is deposited on the substrate by an aerosol deposition method in which powder containing silicon compound (SiC or SiN) is sprayed to the substrate together with carrier gas such as helium at the spraying particle speed of ≥ 800 m/s from very small nozzles.例文帳に追加
ケイ素化合物(SiC又はSiN)を含む粉末を、例えばヘリウムのようなキャリアガスと共に微小孔ノズルから800m/s以上の吹きかけ粒子速度で基板に吹きかけるエアロゾルデポジション法によって基板上に保護膜を成膜する。 - 特許庁
A ReRAM according to the present embodiment includes: a memory part formed of a three-dimensional structure in which a plurality of memory structures are laminated; and a wiring region, for example, formed in a structure in which the coating type SiO_2 film, which fills in a wide space around an element, is segmented into small ones by a SiN film.例文帳に追加
上記課題を解決するために、例えば、本実施形態のReRAMは、メモリ部において、メモリ構造を複数積層してなる三次元構造が形成され、例えば、配線領域において、素子の周辺部の広い空間を充填している塗布型SiO_2膜がSiN膜によって細かく分断されてなる構造に形成されている。 - 特許庁
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