「solid-state image sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid state image sensor 1 is fabricated through a step for forming an oxide film and a nitride film sequentially on a substrate, a step for forming an opening 7 by removing the nitride film at a part between the light receiving sections 2, a step for forming an oxide film to fill the opening 7, and a step for forming transfer electrodes 4 and 5 by the same electrode layer.例文帳に追加

また、基板上に酸化膜と窒化膜とを順次成膜する工程と、上記受光部２間となる部分において、窒化膜を除去して開口７を形成する工程と、この開口７内を埋めて酸化膜を形成する工程と、その後、同一層の電極層により転送電極４，５を形成する工程とを有して、前記固体撮像素子１を製造する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition suitable for electronic components of an integrated circuit device, a liquid crystal display, a solid-state image sensor, etc., and giving a resin film excellent in sensitivity to radiation and excellent also in light resistance and dielectric characteristics, and to provide a laminate obtained by forming a resin film using the radiation sensitive composition on a substrate and a method for manufacturing the laminate.例文帳に追加

放射線に対する感度に優れ、耐光性にも優れ、更に誘電特性にも優れた樹脂膜を与える、集積回路素子、液晶表示素子、固体撮像素子等の電子部品に好適な感放射線組成物、この感放射線組成物を用いてなる樹脂膜を基板上に形成した積層体、及びこの積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the solid state image sensor having a semiconductor substrate having a plurality of photo detecting parts arranged like an array for performing the photoelectric conversion and microlenses formed on the photo detecting parts, the film thickness of the microlens at 0.3 μm centered from its end side of the microlens is not less than 35% of the maximum film thickness of the microlens.例文帳に追加

アレー状に複数配設された光電変換を行う受光部を形成した半導体基板と、前記各受光部上に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する固体撮像装置において、前記マイクロレンズの端辺からマイクロレンズの中央方向に向け０．３μｍ入った部位におけるレンズの膜厚を、マイクロレンズの最大膜厚の３５％以上としたことを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid-state image sensor includes a barrier forming step of forming a barrier on a scribe line defining an element forming region including an imaging region having microlenses formed on the surface thereof with a predetermined gap provided between the sidewall of the element forming region and the barrier, an antireflection film forming step of forming an antireflection film on the surfaces of the microlenses and in the gap, and a barrier removing step of removing the barrier.例文帳に追加

表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。 - 特許庁

To improve readout property of signal charges without increasing readout voltage, in a solid state image sensor like a CCD imaging element of V times dense texture wherein the number of pixels of unidirection is made predetermined times of effective resolution, and first electrodes which exist between pixels which are adjacent to each other and second electrodes which correspond to the respective pixels are installed as means capable of reading out the signal charges from the pixels.例文帳に追加

Ｖ倍密構造のＣＣＤ撮像素子のような、一定方向の画素数が有効解像度の所定数倍にされるとともに、それらの画素から信号電荷を読出し可能な手段として、隣り合うの画素の間に存在する第１の電極と、各画素に対応する第２の電極とを有する固体撮像素子において、読出し電圧を高くすることなく信号電荷の読出し特性を改善する。 - 特許庁