「solid-state image sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an imaging apparatus for detecting a linear defect of bright and dark lines and correcting a pixel signal of the detected linear defect when the operating temperature of a solid-state image sensor is high, and to provide a correction method of the pixel signal.例文帳に追加

固体撮像素子の動作温度が高い場合、明線および暗線の線状欠陥を検出し、検出された線状欠陥の画素信号を補正する撮像装置および画素信号の補正方法を提供するにある。 - 特許庁

To reduce the number of steps or the like without giving an influence to a formation of an on-chip lens of a uniform shape, a formation of a gapless on-chip lens and an unnecessary position such as a bonding pad or the like, in a method for manufacturing a solid state image sensor having the on-chip lens.例文帳に追加

オンチップレンズを有する固体撮像素子の製法において、均一形状のオンチップレンズの形成、ギャップレスのオンチップレンズの形成、ボンディングパッド部等の不要箇所に影響を与えない、工程削減、等を可能にする。 - 特許庁

To provide a signal processing circuit, a solid state image sensor, and a camera system capable of generating a reference signal having a linearity from right after starting, improving settling time remarkably, and expanding a dynamic range.例文帳に追加

開始直後から線形性のとれた参照信号を生成することが可能で、セトリング時間を大幅に改善することができ、ダイナミックレンジを拡大することが可能な信号処理回路、固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a polyhalogenated phthalocyanine pigment composition which, when used for a color filter used in a color liquid crystal display device and a solid-state image sensor, can make the color filter excellent in display quality and high in contrast and lightness.例文帳に追加

カラー液晶表示装置および固体撮像素子に用いられるカラーフィルターに使用すると、表示品位の優れた高いコントラストと明度を有するカラーフィルターを得ることのできるポリハロゲン化フタロシアニン顔料組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor in which a signal is read easily, an element is isolated reliably by an element isolation part, and the number of saturation storage electrons of an N type photodiode is increased by a simple manufacturing process while minimizing a dark current generated from the element isolation part.例文帳に追加

製造工程も簡易で、信号読み出しも容易であり、素子分離部により素子分離を確実に行い、素子分離部から発生する暗電流を抑制しつつ、Ｎ型フォトダイオードの飽和蓄積電子数を増加させる。 - 特許庁

To provide a driver and a driving method of a solid-state image sensor, in which the quantity of signal charges being handled by a vertical shift register can be prevented from being reduced at the application of a shutter pulse, without making the circuitry of a timing circuit complicated.例文帳に追加

タイミング回路の構成を複雑化することなく、シャッタパルス印加時における垂直シフトレジスタの取扱信号電荷量の低減を防止することができる固体撮像素子の駆動装置及び駆動方法を提供すること。 - 特許庁

When the luminance range of a subject to be detected by a luminance detector 4 becomes larger than a fixed value (2.5 digits, e.g.) a switch judging circuit 5 judges that an area sensor (solid-state image pickup element) 3 should be made to execute logarithmic transformation.例文帳に追加

輝度検出装置４により検出する被写体の輝度範囲がある一定の値（例えば、２．５桁）よりも広くなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ（固体撮像素子）３を対数変換動作させるべきであると判定する。 - 特許庁

A CCD unit (solid-state image sensor unit) 10 includes: a thin plate type package 11 in which a CCD is housed; a plate 12 including a through-hole 12a for fitting the package 11 in a flat state; and a PCB 13 attached to the back of the package 10.例文帳に追加

ＣＣＤが収納される薄板状のパッケージ１１と、パッケージ１１を扁平な状態で嵌め込むための貫通孔１２ａが設けられたプレート１２と、パッケージ１０の背面部に取り付けられるＰＣＢ１３と、を備えるＣＣＤユニット（固体撮像素子ユニット）１０である。 - 特許庁

To provide a color television camera device that applies digital signal processing to an image pickup output by a solid-state image sensor, having a discrete pixel structure such as a CCD and simplifies the hardware of a low- pass filter applying band limit processing to a color difference signal Q of a standard television system.例文帳に追加

ＣＣＤ等の離散的な絵素構造を有する固体イメジーセンサによる撮像出力についてディジタル信号処理を施すカラーテレビジョンカメラ装置において、標準テレビジョン方式の色差信号Ｑに帯域制限処理を施すローパスフィルタのハードウエアの簡略化を図る。 - 特許庁

When the detected temperature of the temperature sensor 13 is higher than a specified value, processing for successively transmitting the image data to the display part 21 is quit so as to display image data currently obtained by a solid-state imaging element 11 at the display part 21 of the information processor 2.例文帳に追加

その際、温度センサー１３の検知温度が所定値以上である場合に、情報処理装置２の表示部２１に固体撮像素子１１より現在得られている画像データを表示させるために該表示部２１に対して画像データを連続して送信する処理を中止する。 - 特許庁

The imaging system having an image sensor 53 (solid-state imaging device) which outputs light incident from an object as an imaging signal S1, has a digital signal processing circuit 10 (signal processing unit) which applies signal processing to the imaging signal S1 and generates a YC signal S2 (image signal).例文帳に追加

被写体から入射した光を撮像信号Ｓ１として出力するイメージセンサ５３（固体撮像装置）を有した撮像システムにおいて、撮像信号Ｓ１に信号処理を行ったＹＣ信号Ｓ２（画像信号）を生成するデジタル信号処理回路１０（信号処理部）を設ける。 - 特許庁

An imaging apparatus 1 has a peripheral light quantity correction circuit 6 for performing luminance correction of a picked up image with a luminance value in one of two areas as a target luminance value so as to cancel a difference in luminance between a central area and a peripheral edge area in the picked up image by a solid-state imaging sensor 3.例文帳に追加

撮像装置１は、固体撮像素子３による撮像画像における中心領域と周辺領域との輝度差を解消するために、一方の領域の輝度値を目標輝度値として撮像画像の輝度補正を行う周辺光量補正回路６を有する。 - 特許庁

To provide an assembly method for distal end parts of electronic endoscopes by which an inner lead and a signal cable are reliably connected to a circuit board in an excellent manner even if the circuit board disposed on the back surface side of a solid-state image sensor is reduced in the size.例文帳に追加

固体撮像素子の背面側に配置された回路基板が小型化されても、回路基板に対するインナーリードと信号ケーブルの接続を良好かつ確実に行うことができる電子内視鏡の先端部の組立方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus in which trimming processing after photography by a photographer can be omitted by suppressing increase in circuit scale or photography time even when the output is raised locally by the dark current of a solid state image sensor.例文帳に追加

固体撮像素子の暗電流による局所的な出力の持ち上がりが生じた場合においても、回路規模又は撮影時間の増加を抑え、撮影者による撮影後のトリミング処理の手間を省くことが可能な撮像装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the diameter of the insertion portion 2 is reduced since clock noises are never mixed in the ultrasound signals dealing with very weak electric waves, and the solid-state image sensor 13 and the ultrasonic transducer 21 are overlapped in the radial direction.例文帳に追加

これにより、微弱電波を取り扱う超音波信号に対してクロックノイズが混入することなく、また径方向において固体撮像素子１３と超音波振動子２１とをオーバーラップすることができるため、挿入部２の細径化を図ることができる。 - 特許庁

The solid state image sensor comprises: a substrate having multiple photoelectric conversion parts arranged two-dimensionally; and multiple color filters laminated on the substrate and transmitting light in a specific wavelength region toward each photoelectric conversion part.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像素子は、２次元配列された複数の光電変換部を有する基板と、前記基板に対して積層され、前記各光電変換部に向けて特定の波長域の光を透過させる複数のカラーフィルタと、を備える。 - 特許庁

The solid-state image sensor including: a pixel region consisting of a plurality of pixels arranged in two dimensions; and a vertical scanning circuit being arranged on one side in the line direction of the pixel region and supplying a plurality of the pixels with driving signals at every line is inspected.例文帳に追加

２次元に配置された複数の画素からなる画素領域と、前記画素領域の行方向の一方側に配置され前記複数の画素に行毎に駆動信号を供給する垂直走査回路と、を有する固体撮像素子を検査する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor in which an area over a photodiode is prevented from being exposed to a plasma; the flexibility in the thickness of a sidewall film used also as a reflection preventing film is enhanced; and the film thickness of the reflection preventing film is optimized despite the deposited film thickness to enhance the responsivity at the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオード上をプラズマに晒さないようにし、反射防止膜と兼用化するサイドウォール膜厚の自由度を増やし、デポ膜厚によらず、反射防止膜の膜厚最適化を図り、フォトダイオードでの受光感度を向上させる。 - 特許庁

A solid-state image pickup device 1 has a sensor line A, a collecting gates F for simultaneously reading and collecting the signal charge of sensors 2 and plural transfer registers B and C, and divides the signal charge of the sensors 2 among the plural registers B and C.例文帳に追加

センサ列Ａと、各センサ２の信号電荷を同時に読み出して蓄積する蓄積ゲートＦと、複数の転送レジスタＢ，Ｃとを有し、各センサ２の信号電荷を複数の転送レジスタＢ，Ｃに振り分ける固体撮像装置１を構成する。 - 特許庁

The solid state image sensor 10 has such a structure as a P type semiconductor layer 1, an N type semiconductor layer 2, a P type semiconductor layer 3, and an N type semiconductor layer 4 are laid sequentially in layers from the surface of a P type semiconductor substrate 5 toward the inside thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１０は、Ｐ型半導体基板５の表面からその内部に向かって、Ｐ型半導体層１、Ｎ型半導体層２、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層４がこの順に重層された構造となっている。 - 特許庁

The solid state image sensor is provided with a photodiode PD in pixels, a PD reset switch Q105 which resets the photodiode, a transfer switch Q101, a selection switch Q104, a input transistor Q103 of a source follower, and a reset switch Q102 which resets the input of the source follower.例文帳に追加

画素内にフォトダイオードＰＤ、フォトダイオードをリセットするＰＤリセットスイッチＱ１０５、転送スイッチＱ１０１、選択スイッチＱ１０４、ソースフォロワの入力トランジスタＱ１０３、ソースフォロワの入力をリセットするリセットスイッチＱ１０２を具備する。 - 特許庁

To obtain a buffer circuit of a source follower type capable of reducing the space factor of a boosting power source circuit by reducing places using boosting power voltage at the linear sensor part of a solid-state image pickup element to reduce a boosting power stabilizing capacity.例文帳に追加

固体撮像素子のリニアセンサ部分で、昇圧電源電圧が使用される箇所を減らし、昇圧電源安定化容量を小さくし、もって昇圧電源回路の占有面積が縮小できるソースフォロア型バッファ回路を提供する。 - 特許庁

This solid-state image sensor as the object of evaluation is provided with a opto-electronic conversion part 101 for converting an incident light into electric charges and a reading gate 102 for extracting the electric charge from the photoelectric conversion part 101, by intermittently turning it on in one frame cycle.例文帳に追加

評価対象である固体撮像素子は、入射光を電荷に変換して蓄積する光電変換部１０１と、１フレーム周期で間欠的にオンして光電変換部１０１から電荷を取り出す読出ゲート１０２とを備える。 - 特許庁

An imaging apparatus comprises: a solid state imaging sensor having a photoelectric conversion part; and an imaging lens for forming a subject image onto the photoelectric conversion part of the solid state imaging sensor.例文帳に追加

光電変換部を備えた固体撮像素子と、前記固体撮像素子の前記光電変換部に被写体像を結像させる撮像レンズとを有する撮像装置の撮像レンズにおいて、前記固体撮像素子の撮像面が湾曲しており、前記撮像レンズが、物体側から順に正の屈折力を有する第１レンズＬ１と、負の屈折力を有する第２レンズＬ２と、正または負の屈折力を有する第３レンズＬ３からなり、以下の条件式を満足する。 - 特許庁

This solid-state image sensor 1 has a rear surface irradiated type structure, and comprises the lenses 7 in the rear surface of a silicon layer 2 in which the light-receiving sensor section PD is formed, and an insulating layer 13, used as an alignment mark which, is embedded and formed in the silicon layer 2 in the periphery of an imaging region 20.例文帳に追加

裏面照射型構造を有し、受光センサ部ＰＤが形成されたシリコン層２の裏面側にレンズ７を有し、撮像領域２０の周辺においてシリコン層２に位置合わせマークとして用いられる絶縁層１３が埋め込まれて形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

A birefringence optical device 13 with birefringence characteristics divides light B from a subject 1 into an ordinary ray (O ray B_o) and an extraordinary ray (E ray B_e) with polarization directions orthogonally intersecting, and forms an O ray image I_o and an E ray image I_e respectively at different positions of a solid state image sensor 11 with pixels arranged in a matrix form.例文帳に追加

複屈折特性を有する複屈折光学素子１３により、被写体１からの光Ｂを偏光方向が直交する常光線（Ｏ光線Ｂ_ｏ）と異常光線（Ｅ光線Ｂ_ｅ）とに分離し、マトリクス状に画素が配列された固体撮像素子１１の異なる位置にそれぞれＯ光線像Ｉ_ｏおよびＥ光線像Ｉ_ｅとして結像させる。 - 特許庁

To provide a driving method producing an imaging output for autofocus ensuring high focus precision in a CCD solid state image sensor where the vertical last stage is equipped with independent electrodes for each row in units of a plurality of rows, and to provide an imaging apparatus employing it.例文帳に追加

垂直最終段が複数列単位で列毎に独立の電極を備えたＣＣＤ固体撮像素子において、高いフォーカス精度が得られるオートフォーカス用の撮像出力を得るための駆動方法と、それを用いた撮像装置を提供する。 - 特許庁

The timing control section causes the transfer control section of one solid-state image sensor to output the element selection pulse at least twice at an interval corresponding to a cycle that is an integer multiple of the switching timing pulse, thereby allowing two or more systems to simultaneously output the pulses.例文帳に追加

タイミング制御部は、１つの固体撮像素子の転送制御部に、切換えタイミングパルスの整数倍の周期に対応した時間をあけて、素子選択用パルスを少なくとも２回出力させて、２系統以上の同時出力が行えるようにする。 - 特許庁

The solid state image sensor comprises a vertical snaking CCD 5 having a bend for each pixel, a plurality of light receiving elements 2 formed on the opposite sides of the vertical CCD 5, and a read gate 4 formed between the bend of the vertical CCD 5 and the receiving element 2.例文帳に追加

画素毎に屈曲部分を有し、蛇行して形成された垂直ＣＣＤ５と、垂直ＣＣＤ５の両側に形成された複数の受光素子２と、垂直ＣＣＤ５の屈曲部分と受光素子２の間に形成された読み出しゲート４を有する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus for correcting shading that is applied to ununiform distance from a center of an image caused by an asymmetrical photo sensor shape and an asymmetrical shape of a light shield film aperture so as to uniformize a shading amount over whole imaging regions thereby reducing uneven sensitivity and improving the sensitivity as a result.例文帳に追加

非対称なフォトセンサ形状及び遮光膜開口形状に起因する画面中心からの距離に対して不均一なシェーディングを補正し、撮像領域全体でシェーディング量を均一にし、結果として感度ムラの低減や感度の向上を図る。 - 特許庁

A CCD 10 is mounted on a fixing plate 46, a high-power laser beam is irradiated to the CCD 10 while a region accommodating the solid-state image sensor chip 12 is shielded from light, and the package 14 is opened by releasing the bonding of a case 16 and a transparent cover 18.例文帳に追加

ＣＣＤ１０を固定プレート４６に取り付け、固体撮像素子チップ１２に対応する領域を遮光した状態で高出力なレーザー光をＣＣＤ１０へ照射し、ケース１６と透明カバー１８との接着を解除してパッケージ１４を開封する。 - 特許庁

To provide a binary conversion circuit which is compact and reduces power consumption so as to be easily integrated in an image sensor, converts clock phase information into a binary value and is capable of performing digital addition/subtraction, to provide a method for the same, and to provide an AD conversion apparatus, a solid-state imaging device, and a camera system.例文帳に追加

イメージセンサに集積しやすいよう小型で低消費電力であり、クロック位相情報をバイナリ値に変換し、かつデジタル加減算可能なバイナリ値変換回路およびその方法、ＡＤ変換装置、固体撮像素子、並びにカメラシステムを提供する。 - 特許庁

A solid state image sensor 10 includes an X decoder 12 for generating the reset voltage for resetting the pixel cell Ca, and supplying the reset voltage to every other pixel cells Ca along at least one of the row direction or the column direction during the reset period.例文帳に追加

固体撮像素子１０は、画素セルＣａをリセットするリセット電圧を生成し、リセット期間にリセット電圧を画素セルＣａに対して行方向及び列方向の少なくとも一方に沿って１つおきに供給できるＸデコーダ１２を備えている。 - 特許庁

In a solid state imaging element, in a color filter mounted at an image sensor, G, B are alternately arrayed in odd number sequences, R, G are alternately arrayed in an even number sequences, and an arraying period of adjacent odd number sequences to each other and even number sequences to each other are deviated by one pixel in a column direction.例文帳に追加

イメージセンサに装着するカラーフィルタを、奇数列にＧ，Ｂが交互に配列され、偶数列にＲ，Ｇが交互に配列され、かつ隣接する奇数列同士、偶数列同士で互いの配列周期が列方向に１画素ずれる配列とする。 - 特許庁

In the solid state image sensor wherein a plurality of the pixels 2 are arranged, the number of pixels of unidirection is made predetermined times of effective resolution, and regions 23 capable of moving signal charges between those pixels are arranged between every predetermined number of the pixels 2 adjacent to each other.例文帳に追加

複数個の画素２が配列された固体撮像素子において、一定の方向の画素数を有効解像度の所定数倍にし、隣り合う所定数個ずつの画素２の間に、それらの画素同士での信号電荷の移動を可能にする領域２３を設ける。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is provided with a LOG sensor 11 generating an output signal which changes logarithmically in accordance with an incident ray volume, an operand amplifier 13 adjusting a dynamic range of the output signal from the sensor 11, an AD converter 14 which AD-converts an output signal from the operand amplifier 13, an image processor 15, a memory 16 and a calibration signal generator 17.例文帳に追加

入射光量に応じて対数的に変化する出力信号を発生するＬＯＧセンサ１１と、センサ１１の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ１３と、オペアンプ１３からの出力信号をＡＤ変換するためのＡＤコンバータ１４と、画像処理器１５と、メモリ１６と、キャリブレーション信号発生器１７とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁

In a solid-state image pickup device having at least sensor parts 1 and shift registor parts 3 arranged on one side of the sensor parts 1 to read out the signal charge generated corresponding to the photodetected amount in this censor parts 1 to be transferred, the side edges on the sides facing the one side of the sensor parts 1 of the read out electrodes 6 of the signal charge are protruded to the sensor parts 1.例文帳に追加

センサー部１と、このセンサー部１の一側に配置され、このセンサー部において受光量に応じて発生した信号電荷を読み出して転送するシフトレジスタ部３とを少なくとも有する固体撮像装置において、そのシフトレジスタ部の、上記信号電荷を読み出す読み出し電極６の、センサー部１の上記一側に対向する側の側縁が、シフトレジスタ部３を構成する他の電極１１の側縁より、センサー部側に突出する構成とする。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

The semiconductor imaging device comprises a silicon substrate 11, a sensor section 20 provided on the silicon substrate 11 while having a plurality of solid state image sensors pij and electrodes for outputting signal charges by performing photoelectric conversion of received light, and a color filter layer 26 provided on the sensor section 20 wherein the color filter layer contains infrared light absorbing pigment.例文帳に追加

シリコン基板１１と、受けた光を光電変換して信号電荷を出力するための複数の固体撮像素子ｐｉｊ及び電極を有してシリコン基板１１に設けられたセンサ部２０と、このセンサ部２０上に設けられたカラーフィルタ層２６とを備え、カラーフィルタ層は、赤外光吸収性の色素を含むものである。 - 特許庁

A solid-state image sensing element is constituted by providing a plurality of sensors 2 and a color filter 10 formed above the sensor 2, providing a fading filter 12 in the sensor 2 side from the color filter 10 on some sensors 2 and forming the fading filter 12 of a material whose reflectivity in air to light in a visible light region is 50% or less.例文帳に追加

複数のセンサ部２と、センサ部２の上方に形成された色フィルタ１０とを有し、一部のセンサ部２上において色フィルタ１０よりもセンサ部２側に減光フィルタ１２を設け、この減光フィルタ１２を可視光域の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成して固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The device for irradiating the inspection light includes: the halogen lamp 11, LEDs 12a-12c; an optical mixing device 14 for generating the inspection light being uniform white light by mixing their lights; and a condensing lens 16 imaged on a solid-state image sensor 15 by condensing the inspection light.例文帳に追加

検査光照射装置は、ハロゲンランプ１１と、ＬＥＤ１２ａ〜１２ｃと、これらの光を混合して均一な白色光である検査光を生成する光混合装置１４と、検査光を集光して固体撮像素子１５に結像させる集光レンズ１６とからなる。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor capable of covering an imaging region with an interlayer insulating film excellent in film thickness accuracy, suppressing sufficiently parasitic capacitance between wiring on the interlayer insulating film and a lower layer at a peripheral circuit region, and thus improving an imaging property.例文帳に追加

膜厚精度良好な層間絶縁膜で撮像領域を覆うとともに、周辺回路領域においては層間絶縁膜上の配線と下層との間の寄生容量を十分に抑えることができ、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element, having a structure capable of optimizing the film thickness of an antireflection film formed on a photodiode, without causing deterioration of image sensor characteristics or being restricted on a manufacturing process, even if a general CMOS manufacturing process is applied.例文帳に追加

一般的なＣＭＯＳ製造プロセスを適用した場合においても、イメージセンサ特性の劣化を生じさせず、また、製造プロセス上の制約を受けることなく、フォトダイオード上に形成された反射防止膜の膜厚を最適化できる構造を有する固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The endoscope is provided with a temperature sensor detecting the temperature near the distal end, a temperature data superimposing means superimposing the detected temperature data on an output signal outputted by a solid-state image sensing device, and a temperature data acquiring means acquiring the temperature data based on the signal after the superimposition.例文帳に追加

先端部近傍の温度を検出する温度センサと、検出された温度データを、該固体撮像素子が出力する出力信号に重畳させる温度データ重畳手段と、重畳後の信号に基づいて該温度データを取得する温度データ取得手段とを電子内視鏡に配置する。 - 特許庁

The solid state image sensor is equipped with a color filter 15 having at least an yellow filter YE and a white filter W and comprising a resist containing a dye wherein the white filter W is formed by making the resist 12 containing the same dye as the yellow filter YE thinner than the yellow filter YE.例文帳に追加

また、少なくともイエローフィルタＹＥとホワイトフィルタＷを有し、染料含有レジストから成り、イエローフィルタとＹＥ同一の染料含有レジスト１２を、イエローフィルタＹＥの厚さより薄くしてホワイトフィルタＷが形成されたカラーフィルタ１５を備えて成る固体撮像素子を構成する。 - 特許庁