「solid-state image sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The CMOS image sensor is provided with a solid-state imaging CMOS active pixel sensor element comprising a unit pixel which is structured, so that the uniformity of the sensitivity between pixels can be improved, by using the pixel array without the need for an additional light-shielding layer.例文帳に追加

追加的な光遮蔽層の必要なしでピクセルアレイにかけてピクセル−ピクセルの間感度の均一度を向上させることができるように構造化された単位ピクセルを含む固体撮像ＣＭＯＳアクティブピクセルセンサー素子が提供される。 - 特許庁

A solid-state image sensor includes: a plurality of imaging pixels each of which outputs an imaging signal for forming an image signal indicative of a subject image; and a plurality of focus detection pixels each of which outputs a focus detection signal for detecting a focus controlled state of a photographing lens in accordance with a pupil division phase difference system.例文帳に追加

固体撮像素子は、被写体像を示す画像信号を形成するための撮像用信号を出力する複数の撮像用画素と、瞳分割位相差方式に従って撮影レンズの焦点調節状態を検出するための焦点検出用信号を出力する複数の焦点検出用画素と、を含む。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor which outputs a logarithmicconverted signal according to an incident light quantity and has an image sensible brightness range narrowed according to the brightness distribution of an object.例文帳に追加

本発明は、入射光量に対して対数変換した信号を出力する固体撮像装置において、その撮像可能な輝度範囲を被写体の輝度分布に応じた輝度範囲に狭めた固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To solve the problem of generation of irregularities in the surface of an image sensor due to a thick IR transmitting filter laminated in an IR picture element in a solid-state image sensing element wherein R, G, B picture elements detecting RGB color factors and IR picture element detecting infrared light factor are disposed.例文帳に追加

ＲＧＢ色成分を検知するＲ，Ｇ，Ｂ各画素と赤外光成分を検知するＩＲ画素とが配列された固体撮像素子において、ＩＲ画素に積層されるＩＲ透過フィルタが厚い分、撮像部表面に凹凸が生じる。 - 特許庁

When the recording paper 18 is in carrying, the transfer surface of the recording paper 18 on which a toner image should be transferred is irradiated with the light emitted from the linear like light source of a rear paper detecting sensor 13, then, the reflected light is received by a solid-state image pick-up device.例文帳に追加

記録用紙１８を搬送しているとき、裏紙検知センサ１３の線状光源１３１から記録用紙１８のトナー像を転写する転写面に光を照射し、その反射光を固体撮像素子１３２で受光する。 - 特許庁

A substrate voltage (clip voltage Vc) is set to an initial value, and image sensing operation is carried out by driving a solid-state image sensor while casting light of enough luminance to allow an storage charge amount of each photodiode to attain a saturation signal charge amount.例文帳に追加

基板電圧（クリップ電圧Ｖｃ）を初期値に設定し、各フォトダイオードの蓄積電荷量が飽和信号電荷量に達するのに十分な輝度の光を照射した状態で固体撮像素子を駆動して撮像動作を行わせる。 - 特許庁

To prevent a picture displayed on a self light emitting type picture display board from being hardly viewable because of ambient brightness without increasing power consumption in a digital camera obtaining picture data expressing a subject image by forming the subject image on a solid-state image sensor.例文帳に追加

固体撮像素子上に被写体像を結像させてその被写体像を表す画像データを得るディジタルカメラに関し、消費電力の増大を伴わずに、自発光式の画像表示板に表示された画像が、周囲の明るさによって見えにくくなることを防止する。 - 特許庁

A solid-state image sensing element 20 is formed by providing a light receiving sensor 3 which performs photoelectric conversion to a surface layer of a base 2, and providing transfer electrodes 4, 5 for transferring charge formed in a light receiving sensor onto the base 2 and a light screening film 6 covering the same.例文帳に追加

基体２の表層部に光電変換をなす受光センサ部３が設けられ、基体２上に受光センサ部で形成された電荷を転送するための転送電極４、５とこれを覆う遮光膜６とが設けられてなる固体撮像素子２０である。 - 特許庁

To realize not only space saving around a photoreceptor but also miniaturization of an imaging device by efficiently arranging a solid-state optical writing device and a potential sensor, while preventing the deterioration of image quality caused by environmental change and changes due to aging or the like by using the potential sensor.例文帳に追加

電位センサを用いることにより環境変化、経時変化等による画像品質の劣化を防ぎつつ、固体光書込装置と電位センサとを効率的に配置して感光体周りの省スペース化、ひいては画像形成装置の小型化を図る。 - 特許庁

To obtain a solid state image sensor capable of forming a waveguide having a reflective film exhibiting good surface aspect, coating performance and adhesiveness and high reflectivity in which hydrogen being fed to a light receiving sensor section is restrained from being absorbed into an underlying film.例文帳に追加

受光センサ部に供給される水素が下地膜に吸収されることが抑えられ、且つ表面様相及び被覆性、さらには密着性の良い、高反射率を有する反射膜が形成された導波路を有する固体撮像素子を得るようにする。 - 特許庁

Consequently, the sensor substrate 38 is cooled efficiently by avoiding the unnecessary cooling to the sensor substrate 38, so that energy saving of a radiation solid-state detecting device 26 including the cooling panel 130 and the entire image capturing system is achieved.例文帳に追加

これにより、センサ基板３８に対する無駄な冷却が回避されて、当該センサ基板３８を効率よく冷却することが可能となり、冷却パネル１３０を含む放射線固体検出器２６及び画像撮影システム全体の省エネルギー化を図ることができる。 - 特許庁

When the luminance of a subject detected by a luminance signal sent from an area sensor (solid state image pickup element) 3 is brighter than a certain fixed value (e.g. 700 cd/m2), a switching judgment circuit 5 judges that the area sensor 3 is allowed to execute logarithmic transformation operation.例文帳に追加

エリアセンサ（固体撮像素子）３より送出される輝度信号によって検出される被写体の輝度がある一定の値（例えば、７００ｃｄ／ｍ^2）よりも明るくなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ３を対数変換動作させるべきであると判定する。 - 特許庁

The solid state image sensor 21 comprises a plurality of sensor parts 11, a read gate part 12, and a transfer register 13 consisting of a transfer region 5 and a transfer electrode 7 wherein the transfer region 5 and the sensor part 11 are fabricated in a semiconductor layer 1 and the surface of the semiconductor layer 1 in the transfer region 5 is formed deeper than the surface of the sensor part 11.例文帳に追加

複数のセンサ部１１と、読み出しゲート部１２と、転送領域５及び転送電極７から成る転送レジスタ１３とを有し、転送領域５及びセンサ部１１が半導体層１内に形成され、この半導体層１の転送領域５の表面がセンサ部１１の表面よりも深く形成されている固体撮像素子２１を構成する。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensor capable of mounting a substrate by reflow soldering with a heat resistance improved without deterioration in mounting accuracy, an increase in number of steps, and an increase in cost, and deterioration in performances such as photosensitivity.例文帳に追加

実装精度の低下や工程増加、コスト増大などを招くことなく、受光感度などの性能を低下させずに、耐熱性を向上させて、リフロー半田による基板実装が可能な固体撮像素子を得る。 - 特許庁

Next, the case 16 is exposed by polishing the fixing plate 46 from the back side of the CCD 10 with a polishing device 55, and afterwards the case 16 is further polished from the back side, thus exposing the solid-state image sensor chip 12.例文帳に追加

続いて、研磨装置５５によりＣＣＤ１０の背面側から固定プレート４６を研磨してケース１６を露呈させた後、さらに、ケース１６を背面側から研磨して固体撮像素子チップ１２を露呈させる。 - 特許庁

To provide a data transfer circuit capable of testing a transfer error on a transfer line to a data detection circuit and capable of detecting a failure in the transfer line and the data detection circuit, a solid-state image sensor, and a camera system.例文帳に追加

データ検出回路への転送線上の転送ミスをテストすることができ、転送線およびデータ検出回路の不良を検知することが可能なデータ転送回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

To suppress an increase in a dark current during exposure without requiring a sophisticated manufacturing technology in a solid-state image sensor that achieves addition of functions such as full-screen simultaneous storage and dynamic-range expansion while maintaining a saturation charge amount.例文帳に追加

飽和電荷量を維持しつつ全画面同時蓄積やダイナミックレンジ拡大等の機能付加を可能とした固体撮像素子において、高度な製造技術を必要とせずに、露光中の暗電流の増加を抑制する。 - 特許庁

To provide a dye-containing negative curable composition having excellent storage stability and good light resistance, and an excellent color filter (particularly a color filter for a solid-state image sensor) having high cost performance and a method for producing the same.例文帳に追加

保存安定性に優れ、耐光性が良好な染料含有ネガ型硬化性組成物、並びに、コストパフォーマンスが高く優れたカラーフィルタ（特に固体撮像素子用のカラーフィルタ）およびその製造方法を提供する - 特許庁

The method of manufacturing the solid-state image sensor is characterized in that the surface treatment for making at least part of the backside wiring electrodes hydrophobic is carried out, and a light-shielding layer is provided on the second main surface except that part.例文帳に追加

裏面配線電極の少なくとも一部を疎水化する表面処理を行い、その部分を除く第２の主面に遮光層を設けることを特徴とする固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a back-illuminated solid-state image sensor having a photoelectric conversion layer having a structure that actualizes a high numerical aperture and rapidly and efficiently extracts generated electric charges.例文帳に追加

高い開口率を実現可能にするとともに、生成された電荷を迅速かつ効率的に取り出すことのできる構造を有する光電変換層を有する裏面照射型固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate and its manufacturing method capable of suppressing metallic contamination and reducing an occurrence of white defects of a solid state image sensor by maintaining a sufficient gettering ability during a device manufacturing process.例文帳に追加

デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gain variable amplifier 5 applies the correction gain depending on the correction gain signal to video signals of second and succeeding frames from the solid-state image sensor section 1 to correct the video signals so that the flicker components in the video signals are canceled together.例文帳に追加

利得可変増幅器５は、固体撮像素子部１からの第２フレーム以降の映像信号に対し、補正用利得信号で決まる補正ゲインをかけることにより、フリッカ成分が相殺されるよう補正する。 - 特許庁

To provide a luminance/color-difference signal generating device, etc., capable of attaining power-saving and miniaturization in a process for compressing a color signal obtained from a solid-state image sensor.例文帳に追加

固体撮像素子から得られた色信号を圧縮処理するまでの工程において、省電力化と小型化を図ることのできる輝度・色差信号生成装置等を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The solid-state image sensor includes the pixel region 10 wherein a plurality of pixels are arranged in two-dimensions and a peripheral circuit area arranged in the peripheral area of the pixel region 10 with inclusion of a circuit to drive the plurality of pixels.例文帳に追加

固体撮像素子は、複数の画素が２次元状に配置された画素領域１０と、複数の画素を駆動する回路を含み画素領域１０の周辺に配置された周辺回路領域とを有する。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor exhibiting sufficient saturation output and sensitivity even when the pixel size is reduced and capable of transferring the signal charges at a high rate, and to provide its fabricating method.例文帳に追加

画素サイズが縮小化されたときでも、充分な飽和出力及び感度を有すると共に信号電荷を高速で転送することが可能である固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of performing reading with high image quality and without deterioration in resolution by balancing a pixel signal transfer time and a transfer time for reading even when a sensor has pixels of high-density.例文帳に追加

センサが高密度となっても、画素信号の転送時間と読み出し用の転送時間とのバランスを取り、高画質で解像度の劣化のない読み取りを実行できる固体撮像装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The control circuit 8 stops supplying the sub-pulse to the solid-state image sensor 1 from the vertical transfer drive circuit 2 during a period when an exposure operation included in the series of photographing operations is not performed.例文帳に追加

前記制御回路８は、前記一連の撮影動作に含まれる露光動作を行なわない期間に前記垂直転送駆動回路２から前記固体撮像素子１に対するサブパルスの供給を停止させる。 - 特許庁

A solid state image sensor 21 comprises: a photodiode layer 25 where photoelectric conversion elements converting received light into charges are arranged planarly; and a conductor structure layer 24 arranged on the upper surface of the photodiode layer 25.例文帳に追加

固体撮像素子２１は、受光した光を電荷に変換する光電変換素子が平面的に配置されたフォトダイオード層２５と、フォトダイオード層２５の上面に配置される導体構造体層２４とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid state image sensor in which a photoelectric conversion part, consisting of a semiconductor thin film having excellent crystallinity, can be laminated on a substrate without affecting a drive circuit or an electrode.例文帳に追加

駆動回路や電極に影響を及ぼすことなく、この上部に結晶性に優れた半導体薄膜からなる光電変換部を積層形成することが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a black photosensitive resin composition for a solid state image sensor in which a small amount of a residue is generated, adhesion to a substrate after being exposed is excellent and a black pattern having an excellent rectangular cross section profile is obtained.例文帳に追加

現像残渣が少なく、感光後の基板密着性に優れ、良好な矩形の断面プロファイルを有する黒色パターンが得られる固体撮像素子用黒色感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

When the luminance range of a subject to be detected by the detector 4 is smaller than the fixed value (2.5 digits, e.g.) a switch judging circuit 5 judges that the sensor (solid-state image pickup element) 3 should be made to execute linear transformation.例文帳に追加

又、輝度検出装置４により検出する被写体の輝度範囲がある一定の値（例えば、２．５桁）よりも狭くなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ３を線形変換動作させるべきであると判定する。 - 特許庁

The solid state image pickup sensor 1 is provided with a package 11 having an opening 23 and a chip 12 for converting light received on the light receiving face 12a thereof into an electric signal is secured to the bottom of the opening 23.例文帳に追加

固体撮像素子１は、開口部２３が設けられたパッケージ１１を有し、開口部２３の底には、光を受ける受光面１２ａを有して受けた光を電気信号に変換するチップ１２が固定されている。 - 特許庁

Even if an adhesive 10 extrudes when the spacer 5 is pasted to a chip substrate 4a, it is received in the chamfered part 5b and does not flow to the solid state image sensor 3.例文帳に追加

スペーサー５をチップ基板４ａに貼り付ける際に接着剤１０がはみ出しても、はみ出した接着剤１０は面取り部５ｂ内に収容されるため、固体撮像素子３上に接着剤１０が流れ込むことはない。 - 特許庁

To realize a solid-state image sensor that prevents deterioration in transfer efficiency of signal charges, a decrease in vertically transferred signal charges, a decrease in transfer speed, etc., and has high performance and high picture quality.例文帳に追加

信号電荷の転送効率の劣化、垂直方向へ転送される信号電荷の減少、及び転送速度の低下等を防止すると共に、高性能で高画質な固体撮像装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a drive method, capable of performing an output whose S/N ratio is high in the case of performing driving in low resolution, with respect to high resolution in a solid-state image pickup device obtained by arranging a plurality of sensor strings in parallel.例文帳に追加

複数のセンサ列を並列配置してなる固体撮像装置において最高解像度に対して低解像度での駆動を行う場合、ＳＮ比の高い出力を行うことが可能な駆動方法を提供する。 - 特許庁

A solid state image sensor comprises: a semiconductor substrate 22 having a light receiving part; an oxide film 13 formed on the surface of the semiconductor substrate; and a light-shielding film 39 formed on the upper layer of the oxide film with an adhesion layer 15 of Ti interposed therebetween.例文帳に追加

受光部を有する半導体基板２２と、半導体基板表面に形成された酸化膜１３と、同酸化膜の上層にＴｉの密着層１５を介して形成された遮光膜１９とを備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a LOG image sensor 11, an operational amplifier 12 which adjusts a dynamic range of an output signal of the sensor 11, an AD converter 13 for performing AD conversion of an output signal from the amplifier 12, a frame memory 15 which holds calibration data and an image processing unit 14 which generates image data and outputs it to a monitor.例文帳に追加

ＬＯＧイメージセンサ１１と、該センサ１１の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ１２と、該アンプ１２からの出力信号をＡＤ変換するためのＡＤコンバータ１３と、キャリブレーションデータを保持するフレームメモリ１５と、画像データを生成してモニタに出力する画像処理器１４とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁

The photosensitive resin composition for a solid-state image sensor lens is to be used in a method of forming a microlens using a photomask which controls the distribution of transmitted light quantity in exposure by a distribution state of fine patterns not resolved at the wavelength of exposure light for forming a microlens.例文帳に追加

また、上記感光性樹脂組成物を用いた固体撮像素子レンズ及び上記固体撮像素子レンズ用感光性樹脂組成物を用いて固体撮像素子レンズを製造する方法、並びに該固体撮像素子レンズを備えた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a charge transfer element to which alignment residual in patterning process at the time of formation does not lead to the variation in the photodetecting area of a photoelectric converter, and to provide its manufacturing method when configuring the image pick-up part of, for example, a solid state image sensor.例文帳に追加

例えば固体撮像素子の撮像部を構成した場合に、作製時のパターニング工程における位置合わせ誤差が光電変換部の受光領域の面積のばらつきにつながらない電荷転送素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a solid state image sensor having a sensor 1 and a charge transfer section 2 where 2n-phase driving is performed by 2n sheets of a transfer electrode 18, x (n<x<2n) sheets of transfer electrodes 18B1, 18B3 and 18A4 out of 2n sheets of the transfer electrode 18 are applied with read-out pulse voltages.例文帳に追加

センサ部１及び２ｎ枚の転送電極１８により２ｎ相駆動が行われる電荷転送部２を有する固体撮像素子に対して、２ｎ枚の転送電極１８のうちｘ枚（ｎ＜ｘ＜２ｎ）の転送電極１８Ｂ１，１８Ｂ３，１８Ａ４に読み出しパルス電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device that a linear conversion or a logarithmic conversion for an electric signal with respect to an incident light to an area sensor can automatically be selected in response to a photographed range.例文帳に追加

本発明は、撮像する範囲に応じて、エリアセンサの入射光に対する電気信号の線形変換動作と対数変換動作とを、自動的に切り換えることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A part of cross-wired vertical transfer paths 158 and 160 of a solid state image sensor 104 transfer charges vertically upward opposite to other vertical transfer path 152 even if a eight-phase drive signal is imparted similarly to other vertical transfer path 152.例文帳に追加

固体撮像素子104のうち、クロス配線された一部の垂直転送路158、160は、他の垂直転送路152と同様の８相駆動信号を与えても、他の垂直転送路152とは反対の垂直上方向に電荷を転送する。 - 特許庁

To simplify the configuration of a device and to simplify control of a solid state image sensor in the distance measuring device for measuring a distance with an object based on a plurality of object images imaged by deviating a focus position.例文帳に追加

フォーカス位置をずらせて撮像された複数の被写体画像に基づいて被写体との間の距離を測定する距離測定装置において、装置の構成を簡単にし、しかも、固体撮像素子の制御を簡単にする。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor for AEAF (Auto Exposure/Auto Focus) mounted with a low-cost spot AE function suitable for a microcomputer with an AD converter (ADC) built-in, wherein AE precision and operational speed are improved, and a chip size is small.例文帳に追加

ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）内蔵のマイコンに適したスポットＡＥ機能を搭載し、ＡＥ精度と動作速度を向上させ、チップサイズが小さく、かつ、低コストのスポットＡＥ機能を搭載したＡＥＡＦ用固体撮像装置を実現する。 - 特許庁

When the luminance of a subject detected by a detection element 4 is larger than a certain fixed value (e.g. 700 cd/m2), a switching judgment circuit 5 judges that an area sensor (solid state image pickup element) 3 is allowed to execute logarithmic transformation operation.例文帳に追加

検出素子４により検出する被写体の輝度がある一定の値（例えば、７００［ｃｄ／ｍ^2］）よりも大きくなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ（固体撮像素子）３を対数変換動作させるべきであると判定する。 - 特許庁