「solid-state image sensor」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve a problem that, in a CCD-type solid-state image sensor comprising a charge transfer device having a so-called overlay transfer electrode structure and a micro lens, the focal position of the micro lens gets away from a photoelectric conversion device accompanied by the high integration of the photoelectric conversion device and sensitivity is deteriorated.例文帳に追加

いわゆる重ね合わせ転送電極構造を有する電荷転送素子とマイクロレンズとを備えたＣＣＤ型の固体撮像素子では、光電変換素子の高集積化に伴ってマイクロレンズの焦点位置が光電変換素子から遠のき、感度の低下をもたらす。 - 特許庁

The solid state image sensor is configured as a rear surface irradiation type where photoelectric conversion takes place in the organic material layer 13, generated charges are moved through the semiconductor layer 12 and introduced to a charge storage region 26, and light hν impinges on a surface opposite from the surface where the pixel transistor is formed.例文帳に追加

そして、有機物質層１３で光電変換が行われ、生成した電荷が半導体層１２内を移動して電荷蓄積領域２６へ導かれるように構成され、画素トランジスタが形成された面とは反対の面から光ｈνが入射される裏面照射型に構成される。 - 特許庁

The solid-state image sensor which has photodiodes arrayed longitudinally and laterally is characterized in that photodiodes which are arranged in a checked pattern among the respective photodiodes are provided with luminance filters Y and the remaining photodiodes which are not provided with the luminance filters and arranged in a checked pattern are provided with color filters R, G, and B.例文帳に追加

縦横に配列されたフォトダイオードを備える固体撮像素子において、各フォトダイオードのうち市松状に配列されたフォトダイオードに輝度フィルタＹを設け、輝度フィルタＹが設けられていない残りの市松状に配置されたフォトダイオードにカラーフィルタＲ，Ｇ，Ｂを設ける。 - 特許庁

To eliminate generation of charge leakage between vertically-adjacent light receiving sensors in reading the charge of light sensor to transfer to a vertical transfer register, and additionally can extend the electrode width be tween light receiving sensors of transfer electrodes on a second layer in a CCD solid-state image pickup element.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子において、受光センサ部から垂直転送レジスタへの電荷読み出し時における垂直方向に隣り合う受光センサ部間での電荷リークの発生をなくし、且つ２層目の転送電極の上記受光センサ部間における電極幅の拡大を可能にする。 - 特許庁

The solid state image sensor has a pixel region where pixels 38, each consisting of a photoelectric conversion part PD and a plurality of pixel transistors, are arranged two-dimensionally, and an element isolation region 41 which isolates between pixels formed in the pixel region and constituted of a semiconductor layer 43 embedded in a trench 42 by epitaxial growth.例文帳に追加

光電変換部ＰＤと複数の画素トランジスタからなる画素３８が２次元配列された画素領域と、画素領域内に形成され、トレンチ４２内にエピタキシャル成長による半導体層４３が埋め込まれて構成された画素間を分離する素子分離領域４１を有する。 - 特許庁

A distribution transfer 5 is constituted by providing the vertical last stage of each vertical CCD 2 of a solid state image sensor with electrodes independent from other rows in units of five rows, and a drain 6A is provided capable of discharging signal charges of the independent electrodes selectively.例文帳に追加

固体撮像素子の各垂直ＣＣＤ２の垂直最終段に５列単位で他の列から独立した独立電極が備えられることによって振り分け転送部５が構成され、独立電極の信号電荷を選択的に排出可能なドレイン６Ａが設けられている。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus for detecting a linear defect extended in a vertical direction produced due to a potential dip of a horizontal transfer register and correcting a pixel signal of the detected linear defect when an operating temperature of a solid-state image sensor is low, and to provide a correction method of the pixel signal.例文帳に追加

固体撮像素子の動作温度が低い場合、水平転送レジスタのポテンシャルディップに起因して発生する垂直方向に延びる線状欠陥を検出し、検出された線状欠陥の画素信号を補正する撮像装置および画素信号の補正方法を提供する。 - 特許庁

A sensor frame is provided with solid-state image pickup means 11, 12, a phosphor that converts an X-ray into a visible ray is adhered to an arrayed photoelectric conversion element in the means 11, 12 and with a means that reads charges stored in the arrayed photoelectric conversion element.例文帳に追加

センサフレーム８の内部には固体撮像手段１１、１２が設けられており、これらの内部にはＸ線を可視光線に変化させる蛍光体をアレイ状光電変換素子に接着し、このアレイ状光電変換素子に蓄積された電荷を読み出す手段が設けられている。 - 特許庁

The solid-state image sensor 20 includes a semiconductor substrate 22 with photodiodes 26R, 26G and 26B, a device protective film 23 with a convex inner lens 28, and a color filter array with color filter layers 21R, 21G and 21B and separation walls 25 for separating the color filter layers.例文帳に追加

固体撮像素子２０は、フォトダイオード２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂを備えた半導体基板２２と、凸型インナーレンズ２８を有するデバイス保護膜２３と、カラーフィルタ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及びカラーフィルタ層間を隔てて分離する分離壁２５を有するカラーフィルタアレイとを備えている。 - 特許庁

To provide a light selective transmission filter which sufficiently suppresses the incident angle dependency of light shielding performance, is excellent in light selective transmissivity and can be sufficiently made thin; a resin sheet used for the light selective transmission filter; and a solid state image sensor having the light selective transmission filter.例文帳に追加

光遮断特性の入射角依存性が充分に低減され、光選択透過性に優れるとともに、充分な薄膜化が可能な光選択透過フィルター、該光選択透過フィルターに用いられる樹脂シート、及び、該光選択透過フィルターを有する固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

In this thermal infrared solid-state image sensor provided with a detection part and a signal processing part for processing a signal transmitted from the detection part, which are provided on the same silicon substrate, the thickness of the insulating film of the detection part is set smaller than that of the interlayer separation layer of the signal processing part.例文帳に追加

検出部と検出部から送られた信号を処理する信号処理部とが、同一シリコン基板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置において、検出部の絶縁膜の膜厚を、信号処理部の層間分離層の膜厚より小さくする。 - 特許庁

The solid-state image sensor comprises an underlying resin layer 13, a resin lens 14, a mixture oxide film 15 and a transparent resin film 16 formed on a photoelectric conversion element 17 wherein the mixture oxide film is composed of a mixture of indium oxide and a recess 20 is formed in the underlying resin layer between resin lenses.例文帳に追加

光電変換素子１７上に下地樹脂層１３、樹脂レンズ１４、混合酸化物膜１５及び透明樹脂膜１６を備える固体撮像素子において、混合酸化物膜が酸化インジウム混合酸化物であって、下地樹脂層に樹脂レンズ間で凹部２０があること。 - 特許庁

The solid-state image sensor comprises a plurality of pixels each having a photoelectric conversion unit for generating and storing a signal charge responsive to incident light, and a pixel amplifier 15 composed of a MOS transistor for receiving the signal charge at a gate electrode 45 and outputting a pixel signal responsive to the signal charge.例文帳に追加

固体撮像素子は、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部と、前記信号電荷をゲート電極４５に受け取って前記信号電荷に応じた画素信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる画素アンプ１５とを有する画素を複数備える。 - 特許庁

The solid-state image sensor 9 is positioned and fixed in the lens barrel 10 as the circumferential flank parts 2a and 2b are pressed by pressing members 14 and 15 to abut against surfaces 13a and 13b and the top surface circumferential edge 2e is pressed from below by a pressure plate 19 to abut against a surface 13e.例文帳に追加

固体撮像素子９は、押圧部材１４，１５に押圧されて周側面部２ａ，２ｂが面１３ａ，１３ｂに当接され、下方から抑え板１９に押圧されて上面周縁部２ｅが面１３ｅに当接することにより、レンズ鏡筒１０内に位置決めして固定される。 - 特許庁

A solid-state image sensor comprises a pixel group in which unit pixels each including a microlens and a plurality of photo-electric converters are arrayed two-dimensionally, and the pixel group includes image sensing pixels and focus detecting pixels, in which shielding units that partially shield each of the plurality of photo-electric converters are provided as the focus detecting pixels in a portion of the pixel group.例文帳に追加

マイクロレンズと複数の光電変換部とを有する単位画素が２次元に配列された画素群を備え、当該画素群が撮像用画素と焦点検出用画素を含む固体撮像素子であって、前記画素群の一部に前記焦点検出用画素として、前記複数の光電変換部のそれぞれを部分的に遮光する遮光部を設けた。 - 特許庁

In the structure, a shutter 20 composed of distributed liquid crystal elements is arranged between a lens-barrel 16 housing a plurality of lenses 12, 14 and 15 and a diaphragm 13 and having the capability of an auto focus function, and an image-forming member 19 comprising a solid-state image sensor such as a CCD, and the distributed liquid crystal elements are provided with an IR-cut filter.例文帳に追加

複数のレンズ１２、１４、１５と絞り１３を収納してオートフォーカス機能の働きを持つ鏡筒１６とＣＣＤなどの固体撮像素子からなる結像部材１９との間に分散型液晶素子でもって構成したシャッター２０を配置し、この分散型液晶素子にＩＲカットフィルターを設けた構造にする。 - 特許庁

To provide a method for correcting smear of a CCD solid state image sensor in which overcorrection can be relaxed when a large smear is detected by suppressing horizontal noise of a smear signal extracted from a smear detection line and regulating the gain of the smear signal appropriately, and to provide an electronic apparatus comprising a CCD solid imaging device employing the smear correction method.例文帳に追加

本発明は、スミア検出ラインから抽出したスミア信号の水平方向のノイズを抑制し、さらにスミア信号に適度なゲイン調整を掛けることにより大きなスミアを検出した時の過補正を緩和できるようにしたＣＣＤ固体撮像素子のスミア補正方法及びこのスミア補正方法を用いたＣＣＤ固体撮像装置を備えた電子機器を提供するものである。 - 特許庁

The cyan color filter characterized in that it is the color filter containing at least resin and pigment, the pigment contains at least one kind selected from PG7, PG36 and AIPC and at least one kind selected from PB15:3 and PB15:6 and the solid-state image sensor using it are provided.例文帳に追加

少なくとも樹脂と顔料を含むカラーフィルタであって、該顔料がＰＧ７、ＰＧ３６、及びＡｌＰＣから選択される少なくとも一種と、ＰＢ１５：３及びＰＢ１５：６から選択される少なくとも一種とを、含むことを特徴とするシアン色カラーフィルタ、及びそれを用いた固体撮像素子。 - 特許庁

In a solid-state image sensor provided with a first storage capacity Cs and a second storage capacity Cn respectively holding first signals and second signals read from each pixel 300, lengths (gate length L) of the first storage capacity Cs and the second storage capacity Cn in the shorter direction is longer than a pixel pitch.例文帳に追加

各画素３００から読み出される第１信号及び第２信号をそれぞれ保持する第１保持容量Ｃｓ及び第２保持容量Ｃｎを備えた固体撮像装置において、第１保持容量Ｃｓ及び第２保持容量Ｃｎの短手方向の長さ（ゲート長Ｌ）を、画素ピッチよりも長くする。 - 特許庁

In the solid-state image sensor comprising pixels having a function of photoelectric conversion which are disposed is rows and/or columns, N adjacent pixels form a set, isolating regions between the pixels in the same set are not shaded but those between the pixels belonging to different sets are shaded.例文帳に追加

光電変換機能を有する画素を複数個、行上もしくは行・列上に配置した固体撮像装置において、Ｎ個の隣接する画素を一つの集合とし、同一集合にある画素の間の分離領域が遮光されず、異なる集合に属する画素の間が遮光されていることを特徴とする。 - 特許庁

Evaluation values of imaging results of white light are measured for four regions located to include a pixel belonging to the central region of a solid state image sensor which imaged the white light, and regions located radially from the center where the white light is imaged and not imaged.例文帳に追加

白色光を撮像した固体撮像素子の中央の領域に属する画素及び、中心から互いに放射状に位置し、かつ前記白色光が結像している領域及び結像していない領域を含むように位置する４箇所の領域について、前記白色光の撮像結果の評価値を測定する。 - 特許庁

The on-chip lenses L1A and L1B are arranged by applying small scaling to the array pitch of the photodiodes 2 from the center of the light receiving surface of the solid-state image sensor 11 toward the periphery thereof, with reference to the position where the center LC of the on-chip lens overlaps the centers O1C, O2C of the corresponding openings O1, O2.例文帳に追加

さらに、オンチップレンズＬ１Ａ、Ｌ１Ｂを、そのオンチップレンズの中心ＬＣと、対応する開口部Ｏ１、Ｏ２の中心Ｏ１Ｃ、Ｏ２Ｃとが重なる位置を基準として、固体撮像素子１１の受光面の中央部から周辺部へ向って、フォトダイオード２の配列ピッチに対して微小スケーリングをかけて配列する。 - 特許庁

To solve the problem wherein an exposure time gets different because a shutter speed is varied corresponding to a change in clock frequency even while a line setting value etc are obtained from the same shutter gain volume through calculation, when a clock frequency which serves as the standard of the operation of a solid-state image sensor is varied with a frequency change in a master clock.例文帳に追加

マスタークロックの周波数の変更によって固体撮像素子の動作の基準となるクロックの周波数が変わると、同じシャッターゲイン量から計算して求めたライン設定値等でも、クロック周波数の変化に応じてシャッター速度が変化するため、露光時間が異なるものとなってしまう。 - 特許庁

A solid-state image pick up device 10 for charge accumulation is structured by arranging a pn-junction type sensor PD and pixels 11 including at least transfer transistor 13, and by floating the gate of the transfer transistor 13 under the bias condition that the gate of the transfer transistor 13 immediately before charge accumulation is cut off.例文帳に追加

ｐｎ接合型のセンサ部ＰＤと、少なくとも転送用トランジスタ１３を含む画素１１が配列されて成り、電荷蓄積の直前の転送用トランジスタ１３のゲートがカットオフされたバイアス状態で、転送用トランジスタ１３のゲートをフローティング状態にして電荷蓄積を行う固体撮像装置１０を構成する。 - 特許庁

A differentiating circuit 77 which outputs an output signal VoutN obtained by amplifying an alternating-current component of an output signal Vout of the solid-state image sensor 42 at a prescribed amplifying rate without amplifying a direct-current component and makes the signal line 49d transmit the output signal VoutN is provided at the distal end portion of the electronic endoscope 10.例文帳に追加

固体撮像素子４２の出力信号Ｖｏｕｔを、直流成分は増幅せず、交流成分を所定の増幅率で増幅したものを出力信号ＶｏｕｔＮとして出力し、信号線４９ｄに伝送させる微分回路７７を電子内視鏡１０の先端部に設ける。 - 特許庁

Transfer electrodes 11 and 12 at a charge transfer section 3 are composed of polysilicon 4 and 5 in the same layer, and high melting point metal silicide 6 is formed on a part of the polysilicon 4 and 5 between light receiving sections 2 in the direction at least parallel with the charge transfer section 3 thus constituting a solid state image sensor 1.例文帳に追加

電荷転送部３の転送電極１１，１２を同一層の多結晶シリコン４，５から構成し、この多結晶シリコン４，５の、少なくとも電荷転送部３に平行な方向における受光部２間の部分上に、高融点金属シリサイド６が積層形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive new digital still camera with high sensitivity and a high dynamic range for solving the disadvantages of an imaging system using a silver halide photosensitive material or a digital still camera system using a solid-state imaging element of an inorganic material by employing an organic image sensor for an imaging element, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、撮像素子として有機イメージセンサを用いて、ハロゲン化銀写真感光材料を用いた撮影システム、無機系材料の固体撮像素子を用いたデジタルスチルカメラシステムの各欠点を解消した、高感度、高ダイナミックレンジで低コストな新たなデジタルスチルカメラ及びその作製方法を提供することである。 - 特許庁

To obtain a solid state image sensor of multi-pixel sharing structure in which a sufficient area can be secured at a photoelectric converting section even if the various pixel area is micronized, and optical pixel centers can be arranged two-dimensionally while spaced apart evenly by arranging its photoelectric converting section at the optical center of each pixel.例文帳に追加

複数画素共有構造の固体撮像素子において、書画素面積が微小化しても光電変換部の領域面積を十分に確保でき、またその光電変換部を各画素における光学中心に配置して光学的な画素中心を二次元的に等間隔に配置することを可能にする。 - 特許庁

A freely vertically movable and rotatably spindle 44 is disposed on the upper surface of a control base 43 provided with wheels 42, a supporting base 46 is mounted on the spindle 44 and a solid-state image pickup device 52 composed of a semiconductor two-dimensional sensor is freely openably and closably attached through a hinge 51 to the supporting base 46.例文帳に追加

車輪４２を有する制御台４３の上面に上下動及び回転自在の支軸４４が設けられており、支軸４４上に支持台４６が設けられており、この支持台４６には蝶番５１を介して半導体二次元センサから成る固体撮像装置５２が開閉自在に取り付けられている。 - 特許庁

This solid-state image pickup device is an interline transfer type CCD image sensor of a progressive scan system having a four-phase driven vertical register, is provided with photodiodes 1, transfer gates 2, a vertical register 3, a horizontal register 4, a control gate 5 and a drain 6, and the drain 6 discharging unnecessary charge and the control gate 5 controlling discharge are provided adjacently to the register 4.例文帳に追加

本固体撮像装置は、４相駆動垂直レジスタを有するプログレッシブスキャン方式のインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサであって、図１に示すように、フォトダイオード１、トランスファゲート２、垂直レジスタ３、水平レジスタ４、コントロールゲート５、及びドレイン６を備えていて、不要な電荷を排出するドレイン６と排出を制御するコントロールゲート５が、水平レジスタ４に隣接して設けられている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element and an imaging system which can obtain a good image of which SN ratio reduction is suppressed while suppressing increase in a chip size of an imaging element even when areas having respectively different luminance values exist in an imaging surface and while suppressing increase in power consumption of a sensor without performing complicated processing.例文帳に追加

撮像面内に輝度の異なる領域がある場合にも、撮像素子のチップサイズが増加することを抑制しつつ、煩雑な処理を行わずに、センサの消費電力の増大を抑制しつつ、さらにＳＮ比の低下を抑制した良好な画像を得ることができる固体撮像素子を及び撮像システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the low pass filter which is used for an imaging apparatus having a solid-state image sensor, a part of luminous flux from the optical incident surface is laterally shifted with respect to the light propagation direction and is emitted, and the optical incident surface includes a region in which the lateral shift amount in the same direction of the luminous flux is different in accordance with the incident position.例文帳に追加

固体撮像素子を有する撮像装置に用いる低域通過フィルタであって、該低域通過フィルタは、その光入射面からの光束の一部を光進行方向に対して横ずれさせて出射させており、該光入射面は、光束の同一方向の横ずれ量が入射位置によって異なる領域を含むことを特徴としている。 - 特許庁

Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted.例文帳に追加

エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。 - 特許庁

A solid state image sensor 200 has pixels 202R, G and B, the pixel 202R includes a PD 214 for detecting R light and an IR photoelectric conversion film 226, the pixel 202G includes a PD 214 for detecting G light and an IR photoelectric conversion film 226, and the pixel 202B includes a PD 214 for detecting B light and an IR photoelectric conversion film 226.例文帳に追加

固体撮像素子２００は、画素２０２Ｒ，Ｇ，Ｂを有し、画素２０２Ｒは、Ｒ光を検出するＰＤ２１４及びＩＲ光電変換膜２２６を含み、画素２０２Ｇは、Ｇ光を検出するＰＤ２１４及びＩＲ光電変換膜２２６を含み、画素２０２Ｂは、Ｂ光を検出するＰＤ２１４及びＩＲ光電変換膜２２６を含む。 - 特許庁

The solid-state image sensor has a shunt wiring layer 7d comprising a refractory metal layer 13 to the transfer electrode of a charge transfer portion and has a connection between the transfer electrode or a buffer layer 11d and a shunt wiring layer 7d through an adhesion layer 14 comprising a silicon nitride film at the contact part of this shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

電荷転送部の転送電極に対して高融点金属層１３から成るシャント配線層７ｄを有し、このシャント配線層７ｄのコンタクト部において転送電極又は緩衝層１１ｄとシャント配線層７ｄとの間が窒化珪素膜から成る密着層１４を介して接続されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

In a structure provided with a light screening film used also for a wiring film in an uppermost layer of a multilayer wiring disposed on a pixel array of a solid-state image sensor, the opening pattern of the light screening film is formed so that its opening diameter grows gradually large (that is, a wiring width is narrow) from a central region to a circumferential edge region of a pixel array.例文帳に追加

固体撮像素子の画素アレイ部上に配置される多層配線の最上層に配線膜兼用の遮光膜を設けた構造において、この遮光膜の開口パターンを画素アレイ部の中心領域から周縁領域にかけて、徐々に開口径が大きくなる（すなわち、配線幅が狭くなる）ように形成する。 - 特許庁

In a solid state image sensor comprising a photoelectric converting section, and a charge transfer section equipped with an electrode for transferring charges generated at the photoelectric converting section, the charge transfer electrode is composed of a metal material film and the light receiving region of the photoelectric converting section is defined at the outer end of the charge transfer electrode.例文帳に追加

光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、前記電荷転送電極が、金属材料膜で構成され、前記光電変換部の受光領域が前記電荷転送電極の外方端で規定されたことを特徴とする。 - 特許庁

Transfer electrodes 4 and 5 at a charge transfer section 3 are constituted of the same electrode layer, the transfer electrodes 4 and 5 are formed on a substrate through an insulating film including an oxide film and an overlying nitride film, and a part 7 from where the nitride film is removed is provided between light receiving sections 2 in the direction parallel with the charge transfer section 3 thus constituting a solid state image sensor 1.例文帳に追加

電荷転送部３の転送電極４，５を同一層の電極層により構成し、基板上に、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含む絶縁膜を介して転送電極４，５を形成し、電荷転送部３に平行な方向における受光部２間に、窒化膜が除去された部分７を設けて固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

A solid-state image sensor includes a semiconductor substrate on which a plurality of photoelectric conversion elements are arrayed like a two-dimensional array and a plurality of photoelectric conversion elements per predetermined area are included and an antireflection film wherein at least one photoelectric conversion element (e.g., R pixel) per predetermined area is laminated on a light receiving surface of the semiconductor substrate as an antireflection film removing element.例文帳に追加

複数の光電変換素子が二次元アレイ状に配列形成され所定面積当たり複数個の前記光電変換素子を含む半導体基板と、前記所定面積当たり少なくとも１個の前記光電変換素子（この例ではＲ画素）を反射防止膜除去素子として前記半導体基板の受光面に積層される反射防止膜とを備える。 - 特許庁

The solid-state image sensor comprises: a plurality of pixels to output signals generated by photoelectric conversion; a reference signal generation part to generate a reference signal; and an operator part to calculate, based on a comparison between a signal from an arbitrary pixel and a reference signal,a pulse signal corresponding to a differential signal between signals from the arbitrary pixel and an adjacent pixel of the same color.例文帳に追加

光電変換により生じた信号を出力する複数の画素と、基準信号を発生する基準信号発生部と、任意の画素に基づく信号と基準信号との比較結果に基づいて、任意の画素に基づく信号と、その画素と近接する同色の画素に基づく信号との差分信号に相当するパルス信号を演算する演算部とを備える。 - 特許庁

A solid-state image sensor includes: a photodiode PD that generates and stores a charge according to incident light; the floating capacitor FC that has a microelectro mechanical system capacitor 21 for indicating a variable capacity value according to a control signal, receives the charge and converts the charge into voltage; and an amplifier transistor that outputs a signal according to an electrical potential of the floating capacitor FC.例文帳に追加

固体撮像素子は、入射光に応じた電荷を生成し蓄積するフォトダイオードＰＤと、制御信号に応じた可変の容量値を示すマイクロエレクトロメカニカルシステムキャパシタ２１を有し、前記電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換するフローティング容量部ＦＣと、フローティング容量部ＦＣの電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタとを備える。 - 特許庁

The solid state image sensor has a micro lens on a semiconductor substrate 1 with a photoelectric conversion element 2 formed.例文帳に追加

光電変換素子２が形成された半導体基板１の上にマイクロレンズを備える固体撮像素子において、半導体基板１の上に厚さＸのカラーフィルタ層が積層されると共に該カラーフィルタ層の表面部を厚さＹ（＜Ｘ）の凸レンズ部１１ａに成形して前記マイクロレンズ１１とし、該カラーフィルタ層の凸レンズ１１ａ部を除く厚さＺ（＝Ｘ−Ｙ）の部分１１ｂを平板形状としたことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a polymerizable composition for a color filter which can suppress illuminance dependence upon forming a colored pattern even when exposure apparatus having different levels of illuminance are used, which exhibits superior curing property of a formed colored pattern, and which can give a rectangular pattern with superior resolution, and to provide a color filter showing good color separation and a solid-state image sensor having high resolution.例文帳に追加

着色パターンを形成するに際して、照度の異なる露光機を用いても照度依存性を抑制することができ、形成された着色パターンの硬化性に優れ、解像度の優れた矩形のパターンを得ることができるカラーフィルタ用の重合性組成物を得ることであり、色分離性が良好なカラーフィルタ、及び高解像度の固体撮像素子を得る。 - 特許庁

A solid state image sensor is manufactured which comprises: a pixel region 10 where multiple pixels are arranged two-dimensionally; and a peripheral region 50 arranged on the periphery of the pixel region 10 in which the pixel region 10 and the peripheral region 50 include a plurality of wiring layers 36-38 and an insulating film 35 is arranged on the uppermost layer 38 out of the wiring layers 36-38.例文帳に追加

複数の画素が２次元状に配置された画素領域１０と、画素領域１０の周辺に配置された周辺領域５０とを有し、画素領域１０及び周辺領域５０が複数層の配線層３６〜３８を含み、配線層３６〜３８のうちの最上の配線層３８上に絶縁膜３５が配置された固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

The solid state image sensor is fabricated through a step for forming a planarized film 20 by etching or chemical mechanical polishing a first inorganic film, a step for forming a second inorganic film on the planarized film 20, and a step for forming on-chip lenses 21 by etching back a lens-shaped resist layer formed on the second inorganic film.例文帳に追加

また、平坦化膜となる第１の無機膜を形成しエッチバック又は化学的機械的研磨法により平坦化膜２０を形成する工程と、平坦化膜２０上に第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜上にレンズ形状のレジスト層を形成しエッチバックして第２の無機膜によるオンチップレンズ２１を形成する工程とを有して固体撮像装置１を製造する。 - 特許庁