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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > solid-state image sensorに関連した英語例文

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solid-state image sensorの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 857



例文

A digital process circuit 14 inputs an image signal during a blanking term of a solid-state image sensor 1 in the form of pixels over a plurality of horizontal lines and determines an average value of image signals for each horizontal address of the pixel.例文帳に追加

ディジタルプロセス回路14は、固体撮像素子1のブランキング期間における画像信号を複数の水平ラインの画素の形で入力し、画像信号の平均値を、画素の水平アドレスごとに求める。 - 特許庁

An epoxy resin sheet 4 having open holes 3 only at photo- detecting parts 2 is adhered through adhesives 5 to a solid-state image sensor element chip 1, and a transparent member 6 to be a flat plate part is adhered onto the epoxy resin sheet 4 through the adhesives 5, thus constituting a solid- state image pickup device.例文帳に追加

固体撮像素子チップ1に対して、受光部2のみに穴空き部3を有するエボキシ系樹脂シート4を接着剤5により接着し、エボキシ系樹脂シート4上に接着剤5により平板部となる透明部材6を接着して、固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

The solid-state image-sensing device comprises a pn-junction sensor part 111, a device isolation layer for trench isolation for isolating the sensor part into pixels, and a semiconductor region formed protruding from the device isolation layer toward the sensor part and having a conductivity type opposite to that of a charge accumulation region of the sensor part.例文帳に追加

固体撮像装置は、pn接合型のセンサ部と、センサ部を画素分離するトレンチ分離による素子分離層と、素子分離層からセンサ部側に張出して形成されたセンサ部の電荷蓄積領域とは逆導電型の半導体領域とを有する。 - 特許庁

Signals from the pixels arranged in partial regions positioned on the reverse side to the vertical scanning circuit in the pixel region obtained under the state irradiating the solid-state image sensor with a light are stored.例文帳に追加

前記固体撮像素子に光を照射した状態で得た、前記画素領域のうちの前記垂直走査回路とは反対側に位置する一部の領域に配置された画素からの信号を、蓄積する。 - 特許庁

例文

To provide an AD converter which can achieve AD conversion of high bit accuracy while shortening the read time, and to provide a solid state image sensor and a camera system.例文帳に追加

読み出し時間の短縮化を図れ、高ビット精度のAD変換を実現することが可能なAD変換装置、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁


例文

Furthermore, the water is made circulated by guiding the cooled water to the circulation passage of the opposite side to the rear face side (symbol PA side) of the CCD solid state image sensor 120.例文帳に追加

さらに冷却された水をCCD固体撮像素子120の背面側(符号PA側)とは反対の側の循環路へと導くことにより水を循環させる。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor that reduces a false signal due to electric charges generated on a surface of a photoelectric conversion unit without deteriorating efficiency of electric charge transfer.例文帳に追加

電荷転送効率を劣化させることなく、光電変換部表面で発生する電荷による偽信号を低減することが可能な固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor that prevents the peeling of a film and dropping of a deposit on a sidewall in a dicing process to suppress reduction of the yield, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ダイシング工程における膜ハガレや側壁デポ物の脱落を抑制し、歩留まりの低下を抑制させた固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor and a camera which enable both suppression of barriers formed on channels in the case of back-side illumination and reduction in reset voltage.例文帳に追加

裏面照射型においてチャネルに形成されるバリアの抑制とリセット電圧の低減を両立させることが可能な固体撮像素子およびカメラを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a solid-state image sensor that decreases a ripple of spectral response characteristics without increasing an area of a photoelectrically converting part, and enhances the output sensitivity.例文帳に追加

光電変換部の面積を増加させることなく、分光感度特性のリップルを低減させ、かつ出力感度を向上させることのできる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a process for fabricating a solid state image sensor capable of forming a waveguide having a reflective film exhibiting good surface modality, coating performance, and adhesiveness.例文帳に追加

表面様相及び被覆性、さらには密着性の良い反射膜を有する導波路を形成することができる固体撮像素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor which is reduced in resistance, can perform high-speed transfer, and has low power consumption without deteriorating electric dielectric strength between charge transfer electrodes.例文帳に追加

電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、低抵抗化を図り、高速転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To manufacture a solid-state image sensor where a difference of signal output values between a center part and a peripheral part of a pixel region is reduced further even if the pixel region is large.例文帳に追加

画素領域が大きくても、画素領域における中央部と周辺部との間の信号出力値の差がより一層低減された固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

COLORED RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, COLORED CURED FILM, COLOR FILTER AND MANUFACTURING METHOD OF COLOR FILTER, SOLID STATE IMAGE SENSOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF DYE例文帳に追加

着色感放射線性組成物、着色硬化膜、カラーフィルタ及びカラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、液晶表示装置、並びに、染料の製造方法 - 特許庁

To easily perform the detection processing of random noise generated from an image sensor (solid-state imaging device) and to easily perform reduction processing of the random noise.例文帳に追加

イメージセンサ(固体撮像素子)が発生するランダムノイズの検出処理を容易にし、かつランダムノイズの低減化処理を容易にしたノイズ処理装置及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

To achieve a solid state image sensor capable of reading data sufficiently adaptive (small variations and linear or nonlinear) to an amount of received light from a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

受光量に十分に対応(ばらつきの少ない線形又は非線形)したデータを不揮発性メモリセルから読み出すことができる固体撮像装置を実現すること。 - 特許庁

To facilitate preventing a reduction in sensitivity even in a long-wavelength region while increasing the number of pixels for a backside-illumination solid-state image sensor.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像素子について、高画素化を実現しながら、長波長領域においても容易に感度の低下を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a cover glass for solid state image sensor in which generation of dust from the end face of a glass plate and chipping at the end face are prevented after cutting the glass plate.例文帳に追加

ガラス板の切断後に端面からの発塵や端面におけるカケを抑制し、ガラス板の端面から発塵やカケが発生しない固体撮像管用カバーガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor which can enhance the efficiency of charge injection into an FG, and can enhance the detection sensitivity of a signal according to charges stored in the FG.例文帳に追加

FGへの電荷注入効率の向上や、FGに蓄積された電荷に応じた信号の検出感度の向上が可能な固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

As a wafer for a spacer becoming the substrate of a spacer disposed between a solid state image sensor and cover glass, an inexpensive bare wafer thicker than the height of the spacer is used.例文帳に追加

固体撮像素子とカバーガラスとの間に配置されるスペーサーの基材となるスペーサ用ウエハとして、スペーサーの高さ寸法よりも厚く安価なベアウエハを使用する。 - 特許庁

An effective pixel part 15 and an optical black part 16 have an identical pixel structure and a light intercepting film 11 is formed on the optical black part 16 thus constituting a solid state image sensor 1.例文帳に追加

有効画素部15とオプティカルブラック部16の画素構造が同一であり、オプティカルブラック部16上に遮光膜11が形成された固体撮像素子1を構成する。 - 特許庁

To provide window glass of a solid-state image sensor package, the glass which has high weatherability and solarization resistance as well as high transmission characteristics for UV rays and which is considered about environment.例文帳に追加

高い耐候性及び耐ソラリゼーション性を備えつつ、高い紫外線透過特性を有し、かつ環境に配慮された固体撮像素子パッケージ用窓ガラスを提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging element 11 is a MOS-type image sensor, and has a light-sensitive section 13; a shift register section; and the amplification section 15 formed at one surface side of an Si substrate 12.例文帳に追加

固体撮像素子11は、MOS型イメージセンサであって、Si基板12の一方面側に形成された、光感応部13、シフトレジスタ部及び増幅部15を有する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor which does not cause image quality deterioration even though there is a difference in a characteristic between a plurality of output amplifiers and has small power consumption, and to provide its driving method and an imaging apparatus.例文帳に追加

複数の出力アンプに特性差があっても画質劣化を生じることなく、しかも消費電力の小さい固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置を提供する - 特許庁

To provide an imaging apparatus for detecting a very small defect of a solid-state image sensor conspicuous as an image is brighter and correcting a pixel signal of the detected very small defect, and to provide a correction method of the pixel signal.例文帳に追加

画像が明るいほど目立つ固体撮像素子の微小欠陥を検出し、検出された微小欠陥の画素信号を補正する撮像装置および画素信号の補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor, capable of preventing charge from being injected from an impurity diffusion region such as a drain region to a floating gate and can improve S/N, and to provide an image capturing apparatus.例文帳に追加

ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、S/Nを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heat-resistant adhesive tape having high visibility and a method for the mounting of an image sensor by using the tape as a protection adhesive tape for a solid-state image sensing device.例文帳に追加

視認性の高い耐熱性の粘着テープを提供すること、および、それを保護用粘着テープとして固体撮像デバイスに用いた映像センサの実装方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve manufacturing efficiency and element accuracy by carrying out various positionings readily and properly during manufacturing of an amplification type solid-state image sensing element (CMOS image sensor) of a so- called backside illumination type.例文帳に追加

いわゆる裏面照射型の増幅型固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)の作製時における各種の位置合わせを容易かつ適正に行い、製造効率および素子精度を改善する。 - 特許庁

An endoscope system is equipped with an endoscope for driving a solid-state image sensor based on a clock signal whose frequency corresponds to the number of pixels of the solid-state image sensor, a processor device which produces a video signal for an image display based on an imaging signal output from the endoscope and the clock signal, and an option circuit board 56 for outputting by converting the video signal to a prescribed format.例文帳に追加

内視鏡システムは、固体撮像素子の画素数に対応した周波数のクロック信号に基づいて固体撮像素子の駆動を行う内視鏡と、内視鏡から出力される撮像信号及びクロック信号に基づいて画像表示用の映像信号を生成するプロセッサ装置と、映像信号を所定の形式に変換して出力するオプション基板56とを備える。 - 特許庁

The image processor comprises a solid state imaging element, a signal processing section for processing an output from the solid state imaging element based on an inputted system clock signal and delivering an image signal, and a means for informing a user of the frequency of the system clock signal inputted to the signal processing section to the solid state image sensor such that it corresponds to the system clock signal of a plurality of frequencies.例文帳に追加

固体撮像素子と、システムクロック信号が入力され、該システムクロック信号に基づいて前記固体撮像素子の出力を信号処理し、画像信号として出力する信号処理部と、複数の周波数のシステムクロック信号に対応するように、前記信号処理部に入力したシステムクロック信号の周波数を前記固体撮像素子に通知する手段と、を備えたものである。 - 特許庁

To provide a driving method of a solid-state image sensor and an imaging apparatus in which signal charges of all pixels are used, and thus, a movie image and an AE/AF image with higher sensitivity are obtained in imaging of the movie image and signal drive of AE/AF control.例文帳に追加

ムービー画像の撮像やAE/AF制御の信号駆動において、全画素の信号電荷を使用し、これによって、より高感度のムービー画像やAE/AF画像が得られる固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

To improve noise characteristic in a photoelectric conversion device and improve an image quality, by effectively utilizing a semiconductor metal compound for field effect transistor, in an amplification type solid-state image sensing element (CMOS image sensor) of a so-called backside illumination type.例文帳に追加

いわゆる裏面照射型の増幅型固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)において、電界効果トランジスタ用の半導体金属化合物を有効利用し、光電変換素子におけるノイズ特性の改善、画質の向上を図る。 - 特許庁

Also, the telecentric characteristics of the image side luminous flux necessary for the image pickup lens using a solid-state image sensor can more easily be secured by arranging an aperture-stop nearest the object side and making the object side surface of a second lens convex to the object side.例文帳に追加

また、最も物体側に開口絞りを配置し、第2レンズの物体側面を物体側に凸とすることで、固体撮像素子を用いた撮像レンズに必要な、像側光束のテレセントリック特性が確保しやすくなる。 - 特許庁

When the timing for driving the solid state image sensor is controlled for a variation in system clock frequency informed from the signal processing section, image quality of the image signal can be kept constant even if the system clock frequency is varied.例文帳に追加

さらに、前記信号処理部より通知されたシステムクロック周波数の変化に対して、固体撮像素子の駆動タイミングを制御すれば、システムクロック周波数が変わっても画像信号の画質を一定に保つことが可能となる。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises the solid state image sensor, and a means for applying a voltage to the transfer electrode 18 wherein the read-out pulse voltage is applied from the voltage applying means to the x sheets of the transfer electrode 18B1, 18B3 and 18A4.例文帳に追加

また、前記固体撮像素子と、転送電極18に電圧を印加する電圧印加手段とを備え、電圧印加手段から前記x枚の転送電極18B1,18B3,18A4に読み出しパルス電圧が印加される固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

To prevent a camera from being deteriorated by radiation, to thereby utilize a camera that uses solid state image sensors such as a CCD (Charge Coupled Device) image sensor, a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor, or the like, and further to be capable of photographing a wide range of area using a lens whose view angle is wide.例文帳に追加

カメラの放射線劣化を抑えることが出来、これによりカメラとしてCCDイメージセンサ やCMOSイメージセンサ等の固体撮像素子を使用したものを利用することが出来、さらにレンズとして視野角の広いレンズを使用して広範囲なエリアの撮影を可能とする。 - 特許庁

A solid state image sensor comprises a dummy electrode and dummy bumps 8 disposed together with original electrode pads and bumps 116 on a semiconductor substrate 104 for constituting a solid state image sensing element 4 in such a manner that the dummy electrode pads are connected to a corresponding dummy wiring pattern 10 on the substrate 104 via the bumps 8.例文帳に追加

固体撮像素子4を構成する半導体基板104には、本来の電極パッドおよびバンプ116とともにダミー電極パッドおよびダミーバンプ8が配置され、ダミー電極パッドはダミーバンプ8を介して半導体基板104上の対応するダミー配線パターン10に接続されている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device, and its fabricating method, in which a fabrication cost, component cost and size are reduced as compared with those of a conventional device while sustaining the product quality thereof and the image center of a solid-state image sensor can be aligned with the optical center of a lens relatively easily.例文帳に追加

従来の製品品質を保ちつつ、製造コスト及び部品コストを従来よりも低減させ、また、固体撮像装置を従来よりも小型化し、更に固体撮像素子のイメージセンターと、レンズの光学中心との位置合わせを比較的容易に行うことのできる固体撮像装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element capable of supressing dark current without reducing the efficiency of photoelectric conversion, to provide a method of manufacturing the photoelectric conversion element, and to provide a solid-state image sensor.例文帳に追加

光電変換効率を低下させることなく、暗電流を抑制することができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

In a CCD solid-state image sensing device, independently from a gate insulating film 21, a transparent insulating film 22 is formed from a photograph sensor 2 at least to a position which comes into contact with the gate insulating film 21.例文帳に追加

CCD固体撮像素子において、ゲート絶縁膜21とは別に、少なくともフォトセンサ部2からゲート絶縁膜21に接する位置まで、透明絶縁膜22を形成する。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor in which the electric resistance value of a conductive member in a potential gradient formation part is less susceptible to variation, and stability of operation and characteristics can be ensured.例文帳に追加

電位勾配形成部の導電性部材の電気抵抗値にばらつきが生じ難く、動作及び特性の安定性を確保することが可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

A solid-state image sensor 110 is disposed on a first substrate 100, and the first substrate 100 is movable in an arbitrary direction within a surface nearly vertical to the optical axis of an imaging optical system.例文帳に追加

第1基板100には固体撮像素子110が配置されており、第1基板100は撮像光学系の光軸と略垂直な面内で任意の方向に移動可能である。 - 特許庁

To provide a method for producing a color filter inexpensively by facilitating production of a white filter, and a solid state image sensor equipped with that color filter.例文帳に追加

ホワイトフィルタを容易に製造することができるようにしたことにより、安価に製造を行うことができるカラーフィルタの製造方法及びこのカラーフィルタを備えた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor that strikes a balance between a reduction of a reflection at an interface of a light guide to an entrance part and an enhancement of condensing efficiency by the light guide.例文帳に追加

光導波路と入射部との界面での反射の低減と、光導波路による集光効率の向上を両立することが可能となる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a data scanning circuit, capable of properly selecting columns that are simultaneously read in accordance with a thinning rate in reading the columns in parallel, to provide a solid-state image sensor, and to provide a camera system.例文帳に追加

並列に読み出す場合、間引き率に応じて同時に読み出すカラムを適切に選択することができるデータ走査回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor having microlenses formed for elevating the sensitivity with increase of the number of pixels to improve the resolution wherein the smear noise is suppressed.例文帳に追加

画素数を多くし高解像度化した際の高感度化を行うためマイクロレンズを形成した固体撮像装置において、スミア雑音の発生を抑制した固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor which can perform the timing of the signal storage start and end of all pixels to a simultaneous reset switch Q102 without the deterioration of SN in an output.例文帳に追加

出力のSNが劣化することなく、全画素の信号蓄積開始と終了のタイミングを同時リセットスイッチQ102に行うことが可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A solid-state image sensor 100 includes a voltage controller 130 which controls the voltage of the charge-voltage conversion node 104 of each pixel 101 via the control switch 106 of the pixel 101.例文帳に追加

固体撮像装置100は、各画素101の制御スイッチ106を通して各画素101の電荷電圧変換ノード104の電圧を制御する電圧制御部130を備える。 - 特許庁

To obtain a solid state image sensor in which read-out voltage is lowered, unnecessary read-out of charges is prevented at the time of charge transfer, and generation of noise due to application of a high read-out voltage to the transfer electrodes is prevented.例文帳に追加

読出し電圧の低電圧化、電荷転送時の電荷の不要な読出しの防止、転送電極に読出し高電圧を印加することによるノイズ発生の防止を実現する。 - 特許庁

例文

To provide a solid-state image sensing device which is improved in photoelectric conversion efficiency of a sensor part and reduced in dark current due to a leakage current, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

センサ部における光電変換効率の向上とリーク電流による暗電流の低減を図った固体撮像装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁




  
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