| 例文 (10件) |
sputter deposition processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
In copper deposition processes, a sputter etching process 162 of deposited copper whose deposition is carried out in a same sputter chamber is performed following a sputter deposition process 160 of copper.例文帳に追加
同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。 - 特許庁
To achieve jointing process of an X-ray target material and a heat pipe in shorter time than physical vapor deposition such as ion sputter and laser ablation.例文帳に追加
X線ターゲット材料とヒートパイプの接合工程をイオンスパッタ、レーザーアブレーション等の物理蒸着法よりも短時間に実現する。 - 特許庁
An integrated copper via filling process with the inventive reactor or other reactor includes a first step of highly ionized sputter deposition of copper, a second step of more neutral, lower-energy sputter deposition of copper, and a third step of electroplating copper into a hole.例文帳に追加
集積化された銅のビアを充填する方法は、銅の高度にイオン化されたスパッタ堆積の第１ステップと、銅の、よりニュートラルな低いエネルギーのスパッタ堆積の第２ステップと、ホールへ銅を電気メッキする第３ステップを有する。 - 特許庁
A re-wiring 8 through which a signal of ≥800MHz is transmitted is formed by a process where a metal sputter layer or a metal vapor-deposition layer 23 is formed on a passivation film 5 on a completed wafer 21 prepared through a predetermined process and a process where a metal plating layer 29 is laminated on the metal sputter layer or the metal vapor-deposition layer 23.例文帳に追加
８００ＭＨｚ以上の信号を伝送する再配線８の形成を、所定のプロセスを経て作製された完成ウエハ２１のパッシベーション膜５上に金属スパッタ層又は金属蒸着層２３を形成する工程と、当該金属スパッタ層又は金属蒸着層２３上に金属めっき層２９を積層する工程とを含んで行う。 - 特許庁
The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.例文帳に追加
スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁
To provide a plasma-assisted sputter deposition system which provides the fixed sputtering rate of a target with the lapse of time, and also can make process conditions which are not varied.例文帳に追加
時間の経過に伴なってターゲット部材の一定のスパッタ速度を提供し、かつ変動しないプロセス条件を作ることのできるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供する。 - 特許庁
To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加
化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
In this process, an amorphous thin piezoelectric substance film layer is deposited in the state that the crystallization rate R is smaller than the deposition rate S by making the substrate heating temperature lower than the crystallization temperature after the nucleation time C_1 when the sputter deposition is performed by heating to the crystallization temperature of a piezoelectric material.例文帳に追加
この工程で、圧電体材料の結晶化温度に加熱してスパッタ成膜を行う核生成時間Ｃ_1 の後に、基板加熱温度を結晶化温度より下げて結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより小さい状態で非晶質の圧電体薄膜層を成膜する。 - 特許庁
For example, the second RF source and the conductive grid can be a part of a capacitive circuit configured such that voltage change in the capacitive circuit affects properties of the sputtering gas and, then properties of a sputter deposition process is changed.例文帳に追加
例えば、第２のＲＦ電源及び導電グリッドは、容量性回路の一部を構成しており、容量性回路内における電圧の変化によりスパッタリング・ガスの特性が変化し、その後、スパッタ・成膜プロセスの特性が変化する。 - 特許庁
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