| 意味 | 例文 (11件) |
t blの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
The lighting means T flashes the light emitter BL when the state change detecting means 52 detects the state change.例文帳に追加
点灯手段(T)は、状態変化検知手段(52)が状態変化を検知したときに、発光体（BL）を点滅させる。 - 特許庁
In equalizing operation of bit lines (BL-T), (BL-C) being a complementary pair with a bit line amplified by over-drive voltage after read data, electric charges charged excessively by over-drive voltage are discharged to, for example, a ground potential, a bit line equalizing potential is adjusted by adjusting discharge timing.例文帳に追加
データ読み出し後、オーバードライブ電圧によって増幅されたビット線と相補対をなすビット線(BL-T)、(BL-C)のイコライズ動作に際して、オーバードライブ電圧で過剰に充電されていた電荷を例えば接地電位に放電し、放電タイミングの調整でビット線イコライズ電位を調整する。 - 特許庁
The vehicle light control system includes: a lighting means T for lighting the light emitter BL; and a state change detecting means 52 for detecting a state change of the vehicle.例文帳に追加
乗物用調光システムは、発光体（BL）を点灯させるための点灯手段(T)と、乗物における状態変化を検知するための状態変化検知手段(52)とを備える。 - 特許庁
One side terminal of the variable resistors R are connected to the bit lines BL and the other terminals are connected to the switches T.例文帳に追加
可変抵抗器Ｒの一方の端子がビット線ＢＬに接続され、他方の端子がスイッチＴに接続されている。 - 特許庁
When a memory cell at the left end is selected, data read out on bit lines BL, BL bar are inputted through a PMOS transistor T to the first local sense amplifiers and a sense output is placed on the read data bus.例文帳に追加
図中左端のメモリセルが選択されると、ビット線ＢＬ，ＢＬバー上の読み出しデータはＰＭＯＳトランジスタＴを通して第１ローカルセンスアンプに入力され、これが第１、第２ローカルセンスアンプでセンスされて、そのセンス出力が読み出しデータバスに出力される。 - 特許庁
An inner measurement calculation part 7 calculates an inside measurement IL=BL+C1+C2+h(Bev-t) using a bending line length BL, and off-handed value Bev, and a mole length calculation part 9 calculates the mold length TL=IL-ST-kt using a plate thickness coefficient k, and stage tolerance ST.例文帳に追加
内寸法計算部７は、曲げ線長ＢＬ、片伸び値Ｂｅｖを用いて内寸法ＩＬ＝ＢＬ＋Ｃ１＋Ｃ２＋ｈ（Ｂｅｖ−ｔ）を計算し、金型長計算部９は、板厚係数ｋ、ステージトレランスＳＴを用いて、金型長ＴＬ＝ＩＬ−ＳＴ−ｋｔを計算する。 - 特許庁
When the pressing force received from the spring 632 is changed in accordance with a thickness t of a bank note BL, permeability of the contact terminal 112 is changed, resulting in a change in inductance of the variable inductance part 110.例文帳に追加
紙幣ＢＬの厚みｔに応じてスプリング６３２から受ける押圧力が変化すると、接触端子１１２の透磁率が変化して可変インダクタンス部１１０のインダクタンスが変化する。 - 特許庁
A differential relationship between a current field image (F(t)) and a field image (F(t-2)) two fields before is determined for each of a plurality of blocks BL into which a field is divided.例文帳に追加
現在のフィールド画像（Ｆ（ｔ））と２フィールド前のフィールド画像（Ｆ（ｔ−２））との間における差分関係を、フィールドを複数に分割して得られたブロックＢＬ毎に判定する。 - 特許庁
A difference relation between a present field image (F(t)) and a field image (F(t-2)) two fields before is determined for each block BL obtained by dividing a field into multiple by a difference determination circuit 50.例文帳に追加
現在のフィールド画像（Ｆ（ｔ））と２フィールド前のフィールド画像（Ｆ（ｔ−２））との間における差分関係を、差分判定回路５０により、フィールドを複数に分割して得られたブロックＢＬ毎に判定する。 - 特許庁
The bistatic receiving station R has the two-plane switching antenna ATa and ATb for observing by one receiver, two arc-shaped dual Doppler analysis ranges on both sides of a base line BL determined by the transmitting station T and the receiving station R.例文帳に追加
バイスタティック受信局Ｒは、送信局Ｔと受信局Ｒとで定まるベースラインＢＬの両側の２個の円弧状のデュアルドップラー解析範囲を１台の受信機で観測する２面切換アンテナＡＴａ及びＡＴｂを有する。 - 特許庁
Cell blocks MCB0, MCB1 constituted by connecting in series plural memory cells MC in which a ferroelectric capacitor C and a cell transistor T are connected in parallel between terminals N1 and N2 is formed along a pair of bit lines BBL, BL.例文帳に追加
強誘電体キャパシタＣとセルトランジスタＴを並列接続してなるメモリセルＭＣを端子Ｎ１，Ｎ２の間に複数個直列接続して構成されたセルブロックＭＣＢ０，ＭＣＢ１が対をなすビット線ＢＢＬ，ＢＬに沿って形成される。 - 特許庁
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