trenchesを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1012件
fortify by surrounding with trenches 例文帳に追加
堀で囲まれて強化する - 日本語WordNet
Fought each other in the trenches例文帳に追加
塹壕の中で戦い合い - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
When the trenches are formed by etching, projection parts 70 are left inside the trenches.例文帳に追加
溝50をエッチングして形成する際に、その内側に凸部70を残す。 - 特許庁
Annular buffer trenches 30 are provided to be located adjacently to gate trenches 23 in the longitudinal direction of the gate trenches 23 and separated from the gate trenches 23.例文帳に追加
ゲートトレンチ23の長手方向において、ゲートトレンチ23の隣に配置されると共にゲートトレンチ23と分離された環状のバッファートレンチ30を設ける。 - 特許庁
SHAPES OF SCRIBE TRENCHES FOR PIEZOELECTRIC BASE MATERIAL例文帳に追加
圧電母材のスクライブ溝の形状 - 特許庁
The second trenches are formed in the first trenches, have bottom surfaces lower than those of the first trenches, and have widths narrower than those of the first trenches.例文帳に追加
第2のトレンチは、第1のトレンチ内に形成され、第1のトレンチの底面よりも低い底面を有し、第1のトレンチの幅よりも狭い幅を有する。 - 特許庁
The wiring board 30 includes trenches (such as, trenches 32 to trenches 34) formed along at least parts of the electrodes.例文帳に追加
配線基板30は、電極の少なくとも一部に沿って設けられる溝部(溝部32〜溝部34など)を有する。 - 特許庁
Consequently, the widths of the trenches 4 become narrower.例文帳に追加
これにより、トレンチ4の幅が狭くなる。 - 特許庁
Finally, ejection trenches 21 and non-ejection trenches 22 are cut and electrodes 26a, 26b are formed on the side wall 24 between the trenches.例文帳に追加
そして、噴射溝21および非噴射溝22を切削加工し、溝間の側壁24に電極26a,26bを形成する。 - 特許庁
As its remains, horizontal trenches are dug on the slopes of the mountain, and mud walls exist outside these trenches. 例文帳に追加
遺構としては山腹に横堀が掘られており、堀の外側土塁が積みあがっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
rows of barbed wire protected the trenches 例文帳に追加
何列もの有刺鉄線が塹壕を守っていた - 日本語WordNet
The respective trenches have sidewalls and bottom walls.例文帳に追加
各々のトレンチは側壁及び底壁を有する。 - 特許庁
Trenches 50 are formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体基板10にトレンチ50を形成する。 - 特許庁
Annie, this is becca, my friend from work. we are in the trenches together.例文帳に追加
職場の友人 ベッカよ いつも一緒なの - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
In order to clean the trenches, an oxide layer is formed in the inner wall of the plurality of trenches, and the oxide layer is removed from the inner wall of the plurality of trenches.例文帳に追加
トレンチをクリーニングするため、酸化物層を複数のトレンチの内壁に形成し、そして複数のトレンチの内壁から酸化物層を除去する。 - 特許庁
A dielectric material 38 is deposited in the trenches and the dielectric material is deposited on each of the exposed first sidewall parts within the trenches and the barrier layers within the trenches.例文帳に追加
トレンチ内には誘電体材料38を堆積し、トレンチ内の露出された第1側壁部とバリヤー層それぞれに誘電体材料を堆積させる。 - 特許庁
Thereafter, isolation trenches (6) are formed by laser processing.例文帳に追加
さらにレーザ加工により、分離溝(6)を作成する。 - 特許庁
a hand shovel carried by infantrymen for digging trenches 例文帳に追加
溝を掘るために歩兵によって運ばれた手シャベル - 日本語WordNet
The gate trenches 21 are formed like a stripe and the termination trenches 62 are formed concentrically.例文帳に追加
さらに,ゲートトレンチ21はストライプ形状に,終端トレンチ62は同心円状にそれぞれ形成されている。 - 特許庁
Trenches are formed to the semiconductor substrate, and capacitors with storage electrodes are formed to the lower sections of the trenches.例文帳に追加
半導体基板にトレンチを形成し、蓄積電極を有するキャパシタを前記トレンチの下部に形成する。 - 特許庁
Then, trenches 2 are formed, and a filling material is formed on the semiconductor wafer including the inside of the trenches 2.例文帳に追加
そして、トレンチ2を形成し、トレンチ2の内部を含む半導体ウェハ1上に埋込材を形成する。 - 特許庁
A plurality of parallel trenches and regions between the trenches are formed in a substrate, a conductive resin is then supplied to the trenches and regions and immobilized thus forming an electrode which fills the trenches and covers the regions.例文帳に追加
基板に、複数の平行な溝部及び該溝部に挟まれる領域を形成し、該溝部及び該領域に導電性樹脂を供給して固定化することにより、該溝部を充填し、該領域を覆う電極を形成する。 - 特許庁
The photovoltaic device includes a substrate 100 having trenches 101 formed thereon.例文帳に追加
トレンチ101が形成された基板100を設ける。 - 特許庁
The utilizable liquids in the trenches respond with the heaters.例文帳に追加
トレンチ内の利用可能な液体がヒータに応答する。 - 特許庁
The semiconductor device 100 has gate trenches 109 and source trenches 110 formed to intersect perpendicularly to each other.例文帳に追加
半導体装置100は、ゲートトレンチ109とソーストレンチ110とを直角に交差させて形成している。 - 特許庁
Portions of the buffer trenches 30, which are located at the opposite side to the gate trenches 23 sides in the longitudinal direction of the gate trenches 23, are located in the outer peripheral well region 29, so that concentration of electric field on these portions of the buffer trenches 30 can be moderated.例文帳に追加
また、ゲートトレンチ23の長手方向においてバッファートレンチ30のうちゲートトレンチ23側とは反対側の部分が外周ウェル領域29内に位置するので、バッファートレンチ30の当該部分の電界集中を緩和できる。 - 特許庁
Knurl trenches 31 are formed on the outer peripheral surface of the shaft 3.例文帳に追加
軸3の外周面にローレット溝31を形成する。 - 特許庁
The trenches can be filled with an acoustic attenuation material.例文帳に追加
トレンチは音響減衰材料で充填することができる。 - 特許庁
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