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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > type patternに関連した英語例文

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type patternの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2281



例文

An N-type gate pattern 110a and a P-type gate pattern 110b are formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にそれぞれN型ゲートパターン110a及びP型ゲートパターン110bを形成する。 - 特許庁

a type of Japanese cloth with a pattern embroidered in coloured thread 例文帳に追加

色糸で縫い刺して模様を表わした和服地 - EDR日英対訳辞書

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION FOR THERMAL FLOW AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

サーマルフロー用化学増幅型ポジレジスト組成物及びパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE-TYPE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

例文

NEW-TYPE PATTERN LITHOGRAPHY METHOD FOR PARTICLE BEAM PROCESSING例文帳に追加

粒子ビーム処理のための新型のパターン画定法 - 特許庁


例文

POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR FORMING PATTERN TYPE PHOTORESIST LAYER例文帳に追加

パターン状フォトレジスト層の形成方法および装置 - 特許庁

NEGATIVE TYPE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 - 特許庁

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁

例文

POSITIVE TYPE CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST AND ITS PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ポジ型化学増幅レジスト及びそのパターン形成方法 - 特許庁

例文

PHASE CHANGE MEMORY SELECTION TYPE ELECTRON SOURCE AND PATTERN DRAWING APPARATUS例文帳に追加

相変化メモリ選択型電子源および描画装置 - 特許庁

DIRECT VIEWING TYPE STEREOSCOPIC IMAGE DISPLAY APPARATUS CAPABLE OF REMOVING MOIRE PATTERN例文帳に追加

モアレパターンを除去した直視型立体画像ディスプレイ - 特許庁

POSITIVE TYPE PHOTORESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

BALL INLET DEVICE FOR PATTERN COMBINATION TYPE PACHINKO GAME MACHINE例文帳に追加

図柄組合わせ式パチンコ遊技機用の入球装置 - 特許庁

HALF-TONE TYPE PHASE SHIFT MASK AND HOLE PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク及びホールパターン形成方法 - 特許庁

In particular, it refers to the rhomboidal arrangement of four karahana (a type of Chinese arabesque pattern) petals. 例文帳に追加

唐花紋の特に4弁の菱形のものいう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

COLD CATHODE FLAT TYPE FLUORESCENT LAMP AND ITS PATTERN ELECTRODE例文帳に追加

冷陰極フラット型蛍光ランプとそのパターン電極 - 特許庁

NEGATIVE TYPE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ネガ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 - 特許庁

PATTERN SPECIFICATION TYPE SPEECH SYNTHESIS METHOD, PATTERN SPECIFICATION TYPE SPEECH SYNTHESIS APPARATUS, ITS PROGRAM, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

様式指定型音声合成方法、及び様式指定型音声合成装置とそのプログラムと、その記憶媒体 - 特許庁

The pattern information regulated by the style type selected by a style selection switch and the section type of the pattern (pattern B) reproduced thus far is reproduced (pattern C).例文帳に追加

スタイル選択スイッチで選択されたスタイル種類と、それまでに再生されていたパターン(パターンB)のセクション種類とで規定されるパターン情報を再生する(パターンC)。 - 特許庁

To provide a photomask for negative exposure which permits production of a photocuring type pattern without peeling the pattern, and a photocuring type pattern produced using the same.例文帳に追加

パターンの剥離なく光硬化型パターンを作製可能なネガ露光用フォトマスク、及びこれを用い作製した光硬化型パターンを提供する。 - 特許庁

PATTERN PAPER FOR FOLDING TYPE PACKAGING BOX, PACKAGING METHOD FOR FOLDING TYPE PACKAGING BOX AND FOLDING TYPE PACKAGE例文帳に追加

折込み式包装箱用型紙、折込み式包装箱体の包装方法及び折込み式包装体 - 特許庁

A pattern generation control part 2 reads pattern generation information from a pattern generation information memory 4, and generates a pattern type, a PROG (program) memory address and a PRBS (Pseudo Random Binary Sequence) pattern information from the designation of a pattern in the pattern generation information and the length of the pattern.例文帳に追加

パターン発生制御部2は、パターン発生情報メモリ4からパターン発生情報を読み出して、パターン発生情報内のパターンの指定とパターンの長さからパターンタイプとPROGメモリアドレスとPRBSパターン情報を生成する。 - 特許庁

A type of corner lacking in the maze pattern is determined and a right orientation of the maze pattern is obtained.例文帳に追加

迷路パターンの欠けている角のタイプを判定し、迷路パターンの正しい方位を得る。 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR FORMING PATTERN AND CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE TYPE PHOTORESIST USING SAME例文帳に追加

パタ—ン形成用樹脂組成物及びそれを用いた化学増幅型ポジ型ホトレジスト - 特許庁

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE TYPE RESIST COATING LIQUID AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

化学増幅型ポジ型レジスト塗布液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING SAME例文帳に追加

化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁

CHEMICAL AMPLIFICATION POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパタ—ン形成方法 - 特許庁

CHEMICAL AMPLIFICATION POSITIVE TYPE RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD AND DEVICE FOR BRUSH TYPE HAIR LINE PATTERN例文帳に追加

刷毛目調ヘアラインパターンの作成方法及び作成装置 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND FORMING METHOD OF POSITIVE TYPE PATTERN例文帳に追加

感光性樹脂組成物およびポジ型パターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE TYPE PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加

ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 - 特許庁

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加

化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁

CHEMICALLY AMPLIFIED TYPE PHOTORESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 - 特許庁

An energizing path for cooling is formed between an among the N-type pattern 3, the discharge electrode 6 and the P-type pattern 4.例文帳に追加

そして、N型パターン3、放電電極6及びP型パターン4の間に、冷却用の通電経路を設ける。 - 特許庁

If a code type is the same, the pattern of the area β becomes the same.例文帳に追加

コードタイプが同じなら、領域(ロ)のパターンは同じになる。 - 特許庁

AMPLIFICATION TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT WITH REDUCED FIXED PATTERN NOISE例文帳に追加

固定パタ−ンノイズを低減した増幅型固体撮像素子 - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR LEVENSON TYPE MASK例文帳に追加

パターン形成方法およびレベンソン型マスクの製造方法 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND POSITIVE TYPE PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

感光性樹脂組成物およびポジ型パターン形成方法 - 特許庁

SIMD TYPE MICROPROCESSOR FOR PERFORMING PATTERN MATCHING OR THE LIKE例文帳に追加

パターンマッチングなどを行なうためのSIMD型マイクロプロセッサ - 特許庁

CEMENT-TYPE INORGANIC BOARD WITH JOINT PATTERN AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

目地模様付きセメント系無機質板及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR DECIDING PATTERN OF NONCONTACT TYPE IC CARD ANTENNA COIL例文帳に追加

非接触型ICカード用アンテナコイルのパターン決定方法 - 特許庁

The pattern may vary according to the type of impact and discharge.例文帳に追加

そのパターンは,影響および排出のタイプに応じ異なる。 - 英語論文検索例文集

The method for forming resist pattern comprises using the positive type resist composition.例文帳に追加

該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 - 特許庁

An auxiliary pattern corresponding to a certain pattern such as a memory pattern is formed in a different type of an auxiliary pattern from auxiliary patterns for other patterns.例文帳に追加

メモリパターン等のあるパターンに対する補助パターンと、それ以外のパターンに対する補助パターンを、互いに異なったタイプの補助パターンとする。 - 特許庁

Then, the first dot-shaped pattern group constitutes the star type pattern 202 of first color, and the second dot-shaped pattern group constitutes the star type pattern 202 of second color.例文帳に追加

そして、第1のドット状のパターン群により第1の色の星型パターン202が構成され、第2のドット状のパターン群により第2の色の星型パターン202が構成されている。 - 特許庁

A cell gate pattern in which a charge storing layer is installed is arranged in the cell region, and a high voltage type gate pattern a low voltage type gate pattern and a resistance pattern are arranged in the peripheral region.例文帳に追加

セル領域に電荷貯蔵層が備えられたセルゲートパターンが配置され、周辺領域に高電圧型ゲートパターン、低電圧型ゲートパターン及び抵抗パターンが配置される。 - 特許庁

POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION例文帳に追加

ポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

METHOD FOR COMPRESSING VELOCITY PATTERN, METHOD FOR EXPANDING VELOCITY PATTERN, METHOD FOR COMPRESSING AND EXPANDING VELOCITY PATTERN, AND VELOCITY PATTERN CONTROL TYPE AUTOMATIC TRAIN CONTROL EQUIPMENT例文帳に追加

速度パターンの圧縮方法,速度パターンの展開方法,速度パターンの圧縮及び展開方法、及び速度パターン制御式自動列車制御装置 - 特許庁

例文

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD FOR PATTERN IN DIFFERENT TYPE BY USING THE APPARATUS例文帳に追加

露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法 - 特許庁




  
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