variable resistorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1061件
When the photodiode PD having a fast response is used, an ASW control signal Sa is asserted just when the voltage Vpd of a variable resistor 7 reaches a second reference voltage Vr2 smaller than a first reference voltage Vr1 without waiting for the delay time of a delay circuit 10 by a selector circuit 13, an analog switch 3 is turned on to start the APC operation.例文帳に追加
応答の速いフォトダイオードPDを使用した場合は、選択回路13によって、遅延回路10の遅延時間を待つことなく、可変抵抗7の電圧Vpdが第1基準電圧Vr1よりも小さい第2基準電圧Vr2に達した時点でASW制御信号Saをアサートしてアナログスイッチ3をオンさせてAPC動作を開始するようにした。 - 特許庁
The circuit is provided with a D-class amplifier 3 with a switching element 31 controlled by a signal with modulated pulse width, a coil 2c of an electromagnet 2 supplied with power through the switching element 31, and a variable resistor 6 as a current restriction element connected in series to the coil 2c to restrict current variably.例文帳に追加
磁気軸受制御装置のD級アンプ出力回路として、パルス幅変調された信号によって制御されるスイッチング素子31を有するD級アンプ3と、当該スイッチング素子31を介して電力供給される電磁石2のコイル2cと、当該コイル2cと直列に接続され、電流を可変的に制限する電流制限素子としての可変抵抗器6等とを設ける。 - 特許庁
In cases where a composite video signal V_i fed into a synchronization separation circuit 7 includes a false horizontal synchronization signal so that the horizontal synchronization signal output from a comparator CMP1 has false horizontal synchronization signals mixed therein, a microcontroller 15 switches the resistance value of a variable resistor VR to a larger value according to the number of mixed-in false horizontal synchronization signals.例文帳に追加
同期分離回路7に入力される複合映像信号V_iに偽水平同期信号が含まれているため、コンパレータCMP1から出力された水平同期信号の中に、偽水平同期信号が混在している場合に、マイコン15は、混在している偽水平同期信号の数に応じて、可変抵抗器VRの抵抗値を大きな値に切り換える。 - 特許庁
The above problem is solved by the combination of a function always recognizing the screen direction of the display by detecting the resistance value for a resistance volume for such as a variable resistor provided in a powered screen direction to recognize and detect the own direction, and a control means for reproducing a preset direction of the screen whatever the direction it may be facing currently.例文帳に追加
電動画面方向可変機構の中に可変抵抗の様な抵抗ボリュームを備え付けその抵抗値を検出する事により、常に自らの表示装置の画面の向きを認識する機能をし、自己方向を認識検知する機能と予めプリセットしてあった画面の向きに現在の画面がどの向きにあっても再現させる制御手段の組合せにより、課題を解決する。 - 特許庁
A control circuit CP prescribes the number of connected headphones HP in accordance with the state of the switch, adjusts the resistance value of a variable resistor in a volume adjustment circuit VC in accordance with the prescribed number of headphones and performs control to make the voltage value of a sound signal supplied to each jack J-k a fixed value even if the input impedance of the headphone jack part HJ changes.例文帳に追加
このスイッチの状態に応じて制御回路CPがヘッドホンHP接続数を特定すると共に、当該特定されたヘッドホン数に応じてボリューム調整回路VC内の可変抵抗の抵抗値を調整し、ヘッドホンジャック部HJの入力インピーダンスが変化した場合でも各ジャックJ-kに供給される音声信号の電圧値が一定値となるように制御を行う。 - 特許庁
In the high frequency switch circuit controlled by an FET provided between one or more input terminals and one or more output terminals, a shunt FET 8 has no effect on the variable time of a switch FET 6 and hence it rises up in a short time, since a voltage of a VRF 1 is fixed from outside through a resistor 21 when a switch FET 6 set on and a shunt FET 8 set off.例文帳に追加
1つ以上の入力端子と1つ以上の出力端子間に設けたFETによって制御される高周波スイッチ回路において、スイッチFET6がオンでシャントFET8がオフの場合、VRF1は外部から抵抗21を介して電圧が固定されているため、スイッチFET6の変動時間はシャントFET8の影響を受けることなく、短時間で立ち上がる。 - 特許庁
When the photodiode PD having a fast response is used, an ASW control signal Sa is asserted at the point of time when the voltage Vpd of a variable resistor 7 reaches a second reference voltage Vr2 smaller than a first reference voltage Vr1 without waiting for the delay time of a delay circuit 10 by a selector circuit 13, an analog switch 3 is turned on, and the APC operation is started.例文帳に追加
応答の速いフォトダイオードPDを使用した場合は、選択回路13によって、遅延回路10の遅延時間を待つことなく、可変抵抗7の電圧Vpdが第1基準電圧Vr1よりも小さい第2基準電圧Vr2に達した時点でASW制御信号Saをアサートしてアナログスイッチ3をオンさせてAPC動作を開始するようにした。 - 特許庁
The variable resistor 21 includes a first terminal and a second terminal; a plurality of current/voltage converters 41 connected in series; and a correction-voltage selecting circuit 51 to change a resistance value in between the first and the second terminals, by changing steps in the plurality of current/voltage converters 41 connected in series in between the first and the second terminals.例文帳に追加
可変抵抗素子21は、第1端子及び第2端子と、直列に接続された複数の電流電圧変換器41と、第1端子と第2端子との間に接続される直列に接続された複数の電流電圧変換器41の段数を変更することにより、第1端子と第2端子との間の抵抗値を変更する補正電圧選択回路51とを備える。 - 特許庁
At this time, left/right advancing variable resistors 8a, 8b are connected to a mandrel O in the inside center of the controller for interlocking with the shift lever J and its both ends, an advance/retreat changeover switch 5 is arranged, and a retreating variable resistor is provided in a proper place inside of the controller 50.例文帳に追加
シフトレバーに連動する、心棒と、左前進用可変抵抗器、右前進用可変抵抗器が接続され、同様に作動する前後進切替スイッチを設けるコントローラー内部の後進用可変抵抗器を備え、操作用ワイヤーが動作し、それに連動してシフトレバーは往復運動し、コントローラー内部にある、コントローラー外部のタイマーに接続され、電源スイッチ、一時停止スイッチ、一時停止スイッチとは異なる左動輪用一時停止スイッチ、右動輪用一時停止スイッチ、左後進スイッチ、右後進スイッチ、最小半径左折用スイッチ、最小半径右折用スイッチを作動し推進するように構成する。 - 特許庁
The LED drive circuit 10 wherein a current for driving an LED 6 is set by a digital signal includes: a digital potentiometer 14 for subjecting a digital signal to D/A conversion to output an analog voltage value for setting the drive current of the LED 6; a variable resistor 12 for varying a reference voltage applied to the digital potentiometer 14; and a maximum current adjustment circuit 20 for limiting a maximum current flowing to the LED.例文帳に追加
デジタル信号によりLED6を駆動する電流が設定されるLED駆動回路10において、デジタル信号をD/A変換し、LED6の駆動電流を設定するためのアナログ電圧値を出力するデジタルポテンショメータ14と、デジタルポテンショメータ14に印加される基準電圧を可変する可変抵抗12と、LEDに流れる最大電流を制限する最大電流調整回路20とを備える。 - 特許庁
To provide a method for forming a nonvolatile memory element during an wiring process for facilitating high integration by lamination and change of design when a nonvolatile memory element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film is fabricated in a semiconductor integrated circuit, and a method for fabricating a nonvolatile memory element by a low temperature process without causing any thermal damage in the wiring process.例文帳に追加
半導体集積回路へ、ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する不揮発性記憶素子を作りこむ際に、積層化による高集積化と設計変更を容易にする配線工程中において不揮発性記憶素子を形成する方法と、配線工程で熱的ダメージを与えることのない低温プロセスで形成可能な不揮発性記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
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