wafer‐thinを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
To obtain a flat surface of a wafer thin film without giving any damage on the surface of wafer thin film by milling the coagulated slurry or large size particle slurry for polishing an oxide film into the unit particles.例文帳に追加
凝固化或いは巨大粒子化した酸化膜研磨用スラリーを単位粒子に粉砕し、ウエハー薄膜表面に傷を発生させることなく、ウエハー薄膜表面の平坦化を行う。 - 特許庁
To provide a method by which the thickness of a thin film can be controlled easily with high accuracy, even when the objective substrate has a large individual difference in a single-wafer thin-film process.例文帳に追加
枚葉式薄膜プロセスにおいて、基板の個体差が大きい場合でも容易に高精度で膜厚を制御する方法が従来提供されていない。 - 特許庁
The second diameter is obtained after the thinning step the wafer thin is completed, and selected by an amount of almost twice the length (204a) of the peripheral wafer rounding of the measured along a radial line.例文帳に追加
この第2の直径は、薄くするステップが完了された後に得られ、半径ラインに沿って計られたウエハの周辺の丸みの長さ(204a)の約2倍の量だけ第1直径より大きく選択される。 - 特許庁
To extract a minute sample piece 3 of a semi-conductor wafer thin film processed by a focused ion beam 2, the distal end 9 of a supporting means provided on a transfer means 7 is brought into contact with the minute sample piece 3, and the sample connected to the end making use of the interatomicbonds caused by surface activation of the contact surface is extracted.例文帳に追加
集束イオンビーム2で薄膜加工した半導体ウェーハの微細試料片3を摘出するために、搬送手段7に設けられた保持手段先端部9を試料片3に接触させ、接触面の表面活性化による原子間結合を利用して両者を接合して、取り出す。 - 特許庁
To provide a support tape capable of reducing the damage of wafer even if it is an extremely thin wafer of about 50 μm thick, and capable of obtaining a semiconductor wafer thin film and an IC tip with a smooth polished surface, by supporting the wafer to a supporting board with good flatness.例文帳に追加
支持板にウエハを平面性よく支持することにより、厚さ50μm程度の極めて薄いウエハであってもウエハの破損を低減でき、研磨面が平滑な半導体ウエハ薄膜及びICチップを得られる支持テープを提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor device includes a step 1 of making a wafer thin, a step 2 of mounting the back surface of the thin wafer into a ring frame by a dicing tape, and a step 3 of plating a surface of the wafer mounted in the ring frame.例文帳に追加
ウェハを薄型化する工程1、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程2、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程3を備えた半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁
When a single-wafer thin-film process device performs thin-film process for attaining a prescribed thickness, the device once suspends the process before the process reaches the prescribed thickness, and after measuring the film thickness obtained in the process performed thus far, starts the remaining thin film process by deciding the condition of the process, based on the measured film thickness.例文帳に追加
枚葉式薄膜プロセス装置において、薄膜プロセスを所定の厚みまで行う際、処理が所定の厚みにまで達する前に処理を一時中断し、そこまでの処理により行われた膜厚を測定した後、測定した膜厚をもとに,残りの薄膜プロセスの条件を決定し処理を行う。 - 特許庁
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