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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > well methodに関連した英語例文

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well methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 6661



例文

MANUFACTURING METHOD OF PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR USE IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING, AND MANUFACTURING METHOD OF PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR USE IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING, AS WELL AS MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体基板加工用粘着テープおよび半導体基板加工用粘着テープの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - 特許庁

ABSORBENT PRODUCT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND HANDLING METHOD THEREOF AS WELL AS INSIDE BAG USED FOR THIS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND UNDERPANT USING THIS例文帳に追加

吸収体製品とその製造方法およびその取り扱い方法ならびにこれに用いられる内袋とその製造方法およびこれを用いた下ばき - 特許庁

FREEZE-THAWING SOLUTION SEPARATION METHOD BY ADVANCED FREEZE CONCENTRATION METHOD AS WELL AS FREEZE-THAWING SOLID-LIQUID SEPARATION METHOD FOR SUSPENSION SOLUTION AND FREEZE-THAWING SEPARATOR FOR THE SAME例文帳に追加

前進凍結濃縮法による凍結融解溶液分離方法と懸濁溶液の凍結融解固液分離方法とその凍結融解分離装置 - 特許庁

INFRARED ABSORPTION MATERIAL AND SYNTHESIS METHOD THEREOF, COLORING COMPOSITION, INK, TONER, PRINTED MATTER, AS WELL AS IMAGE RECORDING METHOD AND IMAGE INFORMATION DETECTING METHOD例文帳に追加

赤外線吸収材料及びその合成方法、着色組成物、インク、トナー、印刷物、並びに画像記録方法及び画像情報検出方法 - 特許庁

例文

To provide a utilizing method of glass of a cathode-ray tube as well as a simple disposing method in the recovery method of metals contained in the cathode-ray tube of a waste television.例文帳に追加

廃テレビジョンからのブラウン管のガラスの利用方法ならびにブラウン管に含まれる金属の回収法について簡便な処理方法を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a semiconductor device which is suitable for suppressing decline in the threshold voltage and in refresh characteristics of a transistor formed on a p well enclosed in an intermediate n well in a triple well, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

三重ウェルの中nウェルに取り囲まれるpウェル上に形成されたトランジスタのしきい電圧及びリフレッシュ特性低下を抑制するのに好適な半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

TRANSFER MATERIAL FOR REFLECTION PLATE FORMATION, ITS MANUFACTURING METHOD, REFLECTION PLATE, AS WELL AS LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

反射板形成用転写材料及びその製造方法、反射板、並びに液晶表示装置及びその製造方法 - 特許庁

EQUIPMENT FOR MANUFACTURING LIGHT SCATTERING REFLECTION SUBSTRATE AND METHOD FOR THE SAME AS WELL AS LIGHT SCATTERING REFLECTION SUBSTRATE MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

光散乱反射基板の製造装置及びその方法並びに当該方法により製造された光散乱反射基板 - 特許庁

IMAGE TRANSMITTING APPARATUS, IMAGE RECEIVING APPARATUS, IMAGE TRANSMITTING/RECEIVING APPARATUS, METHOD FOR TRANSMITTING IMAGE, METHOD FOR RECEIVING IMAGE AS WELL AS MULTI-POINT CONFERENCE SYSTEM例文帳に追加

画像送信装置、画像受信装置、画像送受信装置、画像送信方法、画像受信方法、並びに、多地点会議システム - 特許庁

例文

METHOD FOR PRODUCING AQUEOUS RESIN PARTICLE DISPERSION, AND AQUEOUS RESIN PARTICLE DISPERSION AS WELL AS RESIN PARTICLES FORMED BY THE METHOD例文帳に追加

樹脂微粒子水分散体の製造方法及びこの製造方法にて得られた樹脂微粒子水分散体、樹脂微粒子 - 特許庁

例文

METHOD OF DETECTING CONTAMINATION DURING CLEANING OF POLYCRYSTALLINE SILICON FOR SEMICONDUCTOR AND METHOD OF CLEANING THE SAME AS WELL AS PURE WATER CLEANING EQUIPMENT FOR THE SAME例文帳に追加

半導体用多結晶シリコン洗浄時の汚染検知方法及びその洗浄方法並びにその純水洗浄装置 - 特許庁

SCHEDULING METHOD AND RATE CONTROL METHOD, AS WELL AS, RADIO BASE STATION EQUIPMENT IN W-CDMA RADIO BASE STATION EQUIPMENT例文帳に追加

W−CDMA方式の無線基地局装置におけるスケジューリング方法及びレート制御方法並びに無線基地局装置 - 特許庁

PLASMA GENERATION APPARATUS, ITS CHAMBER INNER WALL PROTECTIVE MEMBER AND ITS MANUFACTURE AS WELL AS PROTECTIVE METHOD FOR CHAMBER INNER WALL AND PLASMA TREATMENT METHOD例文帳に追加

プラズマ発生装置、そのチャンバ—内壁保護部材及びその製造法、チャンバ—内壁の保護方法並びにプラズマ処理方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GLASS SUBSTRATE FOR MAGNETIC DISK, AND GLASS SUBSTRATE FOR MAGNETIC DISK, AS WELL AS METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC DISK, AND MAGNETIC DISK例文帳に追加

磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板、並びに、磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク - 特許庁

STANDARD SAMPLE FOR ANALYSIS AND ITS DATA ACQUISITION METHOD AS WELL AS METHOD AND APPARATUS FOR X-RAY ANALYSIS BY USING STANDARD SAMPLE例文帳に追加

分析用標準試料とそのデータ取得方法、並びにこの標準試料を用いたX線分析方法および装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING RECORD AND MEDIA FOR MEMORIZING PROGRAM FOR PERFORMING ABOVE METHOD AS WELL AS PRINTING SYSTEM例文帳に追加

記録制御方法及び装置と前記記録制御方法を実行するプログラムを記憶した記憶媒体並びに印刷システム - 特許庁

CONNECTING MEMBER AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS CONNECTING MEMBER MOUNTING STRUCTURE HAVING CONNECTING MEMBER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

接続部材及びその製造方法、ならびに前記接続部材を有する接続部材実装構造及びその製造方法 - 特許庁

IRON SULFIDE PARTICLE-CONTAINING SOLUTION, ITS PRODUCTION METHOD, AND HEAVY METAL TREATMENT AGENT AS WELL AS TREATMENT METHOD USING THE SAME例文帳に追加

硫化鉄粒子含有溶液、その製造方法、及びそれを用いた重金属処理剤並びに重金属の処理方法 - 特許庁

METHOD FOR TREATING MIXTURE CONTAINING ORGANIC MATTER AND WHITE INORGANIC PARTICLE, AND MATERIAL OBTAINED BY THIS TREATMENT AS WELL AS METHOD FOR USING THE SAME例文帳に追加

有機物と白色無機粒子を含む混合物の処理方法及びその処理をして得られた材料とその使用方法 - 特許庁

METHOD FOR MANAGING NETWORK DISTRIBUTION DATA AND ITS NETWORK SERVER SYSTEM, AS WELL AS RECORDING MEDIUM IN WHICH SUCH METHOD IS PROGRAMMED AND RECORDED例文帳に追加

ネットワーク流通データの管理方法及びそのネットワークサーバシステム、並びに同方法がプログラムされ記録された記録媒体 - 特許庁

SOLID POLYMER ELECTROLYTE MEMBRANE OF MULTILAYER STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AS WELL AS MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

複層構造の固体高分子電解質膜及びその製造方法、並びに、膜‐電極接合体及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF POLARIZABLE ELECTRODE, SCREENING METHOD OF POLARIZABLE ELECTRODE AND ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, AS WELL AS CARBONACEOUS MATERIAL例文帳に追加

分極性電極の製造方法、分極性電極及び電気二重層キャパシタ、並びに炭素質材料の選別方法 - 特許庁

CELP TYPE VOICE CODING DEVICE AND CELP TYPE VOICE DECODING DEVICE AS WELL AS VOICE ENCODING METHOD AND VOICE DECODING METHOD例文帳に追加

CELP型音声符号化装置とCELP型音声復号化装置及び音声符号化方法と音声復号化方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びMBE装置の状態を管理する方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING INTERNAL DEFECT OF SEMICONDUCTOR WAFER AS WELL AS MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体ウェーハの内部欠陥測定方法、半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハの内部欠陥測定装置 - 特許庁

CONTENT ENCRYPTING METHOD AND DECODING METHOD AS WELL AS CONTENT ENCRYPTING APPARATUS AND DECODING APPARATUS FOR HIERARCHICAL MULTICAST DISTRIBUTION例文帳に追加

階層型マルチキャスト配信のためのコンテンツ暗号化方法及び復号化方法並びにコンテンツ暗号化装置及び復号装置 - 特許庁

CHIP-LIKE ELECTRONIC COMPONENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, PSEUDO-WAFER USED FOR THE MANUFACTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AS WELL AS MOUNTIGN STRUCTURE例文帳に追加

チップ状電子部品及びその製造方法、その製造に用いる疑似ウェーハ及びその製造方法、並びに実装構造 - 特許庁

INSERTION STATE INSPECTION DEVICE FOR PRESS-FIT TERMINAL AND INSPECTION METHOD OF THE SAME AS WELL AS MANUFACTURING METHOD OF COMBINED ITEM OF PRESS-FIT TERMINAL AND BASE BOARD例文帳に追加

プレスフィット端子の挿入状態検査装置およびその方法とプレスフィット端子と基板との結合品の製造方法 - 特許庁

INFORMATION PROCESSOR, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND CONTROL METHOD THEREOF, AS WELL AS PROGRAM FOR MAKING COMPUTER IMPLEMENT THE METHOD例文帳に追加

情報処理装置、画像表示装置、および、これらにおける制御方法ならびに当該方法をコンピュータに実行させるプログラム - 特許庁

DISPLACEMENT DETECTING METHOD AND DEVICE, AS WELL AS IMAGE PROCESSING METHOD AND IMAGE PROCESSOR, AND INSPECTING DEVICE USING SAME例文帳に追加

位置ずれ検出方法及び位置ずれ検出装置並びに画像処理方法及び画像処理装置とそれを用いた検査装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF STRUCTURAL PATTERN AND WIRING STRUCTURE AS WELL AS MANUFACTURING METHOD OF ELECTRON SOURCE AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

部材パターンの製造方法、配線構造体の製造方法、電子源の製造方法、及び、画像表示装置の製造方法 - 特許庁

NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AS WELL AS LITHIUM ION SECONDARY BATTERY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

リチウムイオン二次電池用負極活物質およびその製造方法、並びにリチウムイオン二次電池およびその製造方法 - 特許庁

HYDROPHILIC, FLEXIBLE POLYURETHANE FOAM AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS MICROORGANISM IMMOBILIZATION SUPPORT AND SEWAGE DISPOSAL METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

親水性軟質ポリウレタンフォーム及びその製造方法、並びに微生物固定化担体、汚水浄化方法及び汚水浄化装置 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMBRANE CATALYST LAYER ASSEMBLY, AS WELL AS DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY例文帳に追加

膜触媒層接合体の製造装置及び製造方法、並びに膜電極接合体の製造装置及び製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ELECTRON SOURCE, AND ELECTRON SOURCE MANUFACTURED BY THE MANUFACTURING METHOD AS WELL AS IMAGE FORMING DEVICE USING THE ELECTRON SOURCE例文帳に追加

電子源の製造方法及び、該製造方法にて製造された電子源並びに該電子源を用いた画像形成装置 - 特許庁

DOCUMENT PROCESSING DEVICE AND ITS CONTROL METHOD, DOCUMENT MANAGEMENT SYSTEM AND DATA PROCESSING METHOD AS WELL AS COMPUTER PROGRAM IN SYSTEM例文帳に追加

ドキュメント処理装置およびその制御方法、ドキュメント管理システムおよび該システムにおけるデータ処理方法並びにコンピュータプログラム - 特許庁

NET CASINO SYSTEM AND GAME CONTROLLING METHOD FOR THE SYSTEM, STORAGE MEDIUM HAVING STORED PROGRAM WHICH THE METHOD CAN PERFORM AS WELL AS SERVER例文帳に追加

ネットカジノシステム及び当該システムのゲーム制御方法、当該方法が実行可能なプログラムを記憶した記憶媒体、並びにサーバ - 特許庁

CYCLIC OLEFIN RING-OPENING POLYMER HYDRIDE AND ITS PRODUCING METHOD, AS WELL AS CROSS-LINKED POLYMER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

環状オレフィン系開環重合体水素化物およびその製造方法並びに架橋重合体およびその製造方法 - 特許庁

APPARATUS FOR PRODUCING MASKING SHEET AND MASKING SHEET PRODUCED WITH THE SAME, AND METHOD FOR STICKING MASKING SHEET AS WELL AS PRINTING METHOD ON EQUIPMENT例文帳に追加

マスキングシート作製装置とそれにより作製されたマスキングシート、及びマスキングシートの貼り付け方法、並びに機器への印刷方法 - 特許庁

PLASMA DISPLAY SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, PLASMA DISPLAY PANEL USING THE SAME, AS WELL AS INORGANIC LAYER AND METHOD OF PREVENTING ITS DETERIORATION例文帳に追加

プラズマディスプレイ用基板、その製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル、並びに無機物層及びその変質防止方法 - 特許庁

METHOD FOR CUTTING GLASS FIBER, METHOD FOR CUTTING PHOTOCATALYST FIBER AS WELL AS PRODUCTION OF GAS TREATMENT APPARATUS AND GAS TREATMENT APPARATUS例文帳に追加

ガラスファイバーの切断方法及び光触媒ファイバーの切断方法、並びにガス処理装置の製造方法及びガス処理装置 - 特許庁

BUMP FORMING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND BUMP FORMING METHOD AS WELL AS POSITION DETECTING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT IN SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体ウェハのバンプ形成装置およびバンプ形成方法ならびに半導体ウェハにおける半導体素子の位置検出方法 - 特許庁

ANISOTROPIC CONDUCTIVE SHEET AND ITS MANUFACTURING METHOD, ADAPTER DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS ELECTRICAL TESTING DEVICE OF CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

異方導電性シートおよびその製造方法、アダプター装置およびその製造方法並びに回路装置の電気的検査装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING TANTALUM OXIDE POWDER AS WELL AS NIOBIUM OXIDE POWDER, AND TANTALUM OXIDE POWDER AND NIOBIUM OXIDE POWDER OBTAINED BY THE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

酸化タンタル粉並びに酸化ニオブ粉の製造方法及びその製造方法で得られる酸化タンタル粉並びに酸化ニオブ粉 - 特許庁

INTERNAL SHORT CIRCUIT EVALUATION METHOD AND INTERNAL SHORT CIRCUIT EVALUATION DEVICE FOR BATTERY AS WELL AS BATTERY, BATTERY PACK AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電池の内部短絡評価方法および内部短絡評価装置並びに電池及び電池パックおよびそれらの製造法 - 特許庁

CHEMICAL TREATMENT EQUIPMENT AND PLATING TREATMENT EQUIPMENT AND CHEMICAL TREATMENT METHOD, PLATING TREATMENT METHOD AND RESIDUE REMOVAL TREATMENT METHOD AS WELL AS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING PRINTED CIRCUIT BOARD USING THE SAME例文帳に追加

化学的処理装置とメッキ処理装置および化学的処理方法とメッキ処理方法と残渣除去処理方法ならびにそれを用いた半導体装置の製造方法およびプリント基板の製造方法 - 特許庁

To provide an ion implantation method capable of suppressing the reduction of the well isolation breakdown voltage when the well is formed using a batch type ion implantation apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum well structure, semiconductor laser, spectral measuring instrument and method of manufacturing the quantum well structure in which performance of characteristics can be improved by accomplishing the quantum well structure in which a large crystal of In composition thicker than the prior art is made into quantum well layer.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いIn組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the present heat pump system, there are provided a pumping well (12) and a reduction well (13) in the ground(11) with the aid of a driving method, and underground water in an aquifer (30) pumped from the pumping well (12) is utilized for heat exchange with a refrigerant, and then it is injected into the return well (13) to return to the aquifer (30).例文帳に追加

このヒートポンプシステムでは、打込工法によって地盤(11)に汲上井戸(12)及び還元井戸(13)を設けて、汲上井戸(12)から汲み上げた帯水層(30)の地下水を、冷媒との熱交換に利用した後、還元井戸(13)に注入して帯水層(30)へ還元するようにしている。 - 特許庁

例文

The method for designing the semiconductor circuit device sets the distance SP04 from a central line 121 of an n-type region 106 for contact in an n-well 112 to an n-well end 101' in a cell comprising the n-well 112 and a p-well 113 to the ditance without the transistor coming under the influence of a resist.例文帳に追加

Nウェル112およびPウェル113を備えたセルにおいて、Nウェル112内のコンタクト用N型領域106の中心線121からNウェル端101’までの距離SP04をトランジスタがレジストからの影響を受けないだけの距離に設定する。 - 特許庁




  
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